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La掺杂对(In_(0.5)Nb_(0.5))_(0.10)Ti_(0.90)O_(2)陶瓷微观结构和介电性能的影响: 1; 作者张翠玲陈建宾《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期182-187,共6页; In和Nb共掺杂TiO_(2)(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过... 展开更多; 关键词共掺杂TiO_(2)陶瓷内阻挡层电容效应低频介电损耗晶界数量相界; 在线阅读下载PDF 职称材料

CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷高介电性的起因机制被引量：4: 2; 作者郝文涛张家良 +2 位作者谭永强郑鹏王春雷《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1058-1062,共5页; 为了探索CaCu3Ti4O12(CCTO)高介电性的起因机制,利用固相反应工艺制备了CCTO陶瓷样品,对其电学性质进行了研究.在40 Hz～100 MHz测量范围内,其室温下的介电频谱在1 MHz附近呈现一个类Debye型弛豫,而高温介电频谱分别在1 kHz以下和1 MHz... 展开更多; 关键词高介电材料耗尽层效应内阻挡层电容效应元素变价; 在线阅读下载PDF 职称材料

NaCu_3Ti_3NbO_(12)和NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的巨介电性质及NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的低介电损耗特性: 3; 作者郝文涛徐攀攀 +2 位作者张家良曹恩思彭华《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期62-66,共5页; 利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷,对它们的介电性质和晶格结构进行了研究。结果显示,两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为;在室温或者更低温度下,两种陶瓷的介电频谱(40 Hz^110 MHz)... 展开更多; 关键词 NaCu3Ti3NbO12 NaCu3Ti3SbO12 巨介电性质内阻挡层电容效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的高介电性质及相关机制的研究: 4; 作者杨帅徐攀攀 +4 位作者王明文郝文涛孙礼曹恩思张雍家《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1029-1034,共6页; 在不同烧结温度下,利用传统的固相反应工艺制备了一系列NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷,系统测试了它们的晶体结构、微观结构、介电性质和复阻抗谱。结果显示,所有的NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的主相都呈现类钙钛矿结... 展开更多; 关键词 NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12 高介电性质 CU O第二相元素变价内阻挡层电容效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名La掺杂对(In_(0.5)Nb_(0.5))_(0.10)Ti_(0.90)O_(2)陶瓷微观结构和介电性能的影响: 1; 作者张翠玲陈建宾; 机构太原理工大学物理学院; 出处《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期182-187,共6页; 基金山西省回国留学人员科研资助项目(2021-031)。; 文摘 In和Nb共掺杂TiO_(2)(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过程中的能耗。结果表明,La掺杂减小了INTO陶瓷的晶粒尺寸,增加了陶瓷中晶界的数量,并且陶瓷中析出LaNbTiO_(6)二次相,在陶瓷晶粒之间形成高阻态的相界,降低陶瓷的低频介电损耗,优化了陶瓷介电常数的频率稳定性。; 关键词共掺杂TiO_(2)陶瓷内阻挡层电容效应低频介电损耗晶界数量相界; Keywords co-doped TiO_(2)ceramics internal barrier layer capacitance effect low frequency dielectric loss number of grain boundaries phase boundary; 分类号 TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷高介电性的起因机制被引量：4: 2; 作者郝文涛张家良谭永强郑鹏王春雷; 机构山东大学物理学院; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1058-1062,共5页; 基金教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20090131110015) 山东大学研究生自主创新基金(yzc10043)~~; 文摘为了探索CaCu3Ti4O12(CCTO)高介电性的起因机制,利用固相反应工艺制备了CCTO陶瓷样品,对其电学性质进行了研究.在40 Hz～100 MHz测量范围内,其室温下的介电频谱在1 MHz附近呈现一个类Debye型弛豫,而高温介电频谱分别在1 kHz以下和1 MHz附近呈现两个类Debye型弛豫.抛除表面层的同一个样品分别溅射金电极和烧渗银电极后升温测量其介电频谱,发现低频介电弛豫对电极的金属类型高度敏感,而高频介电弛豫与电极的金属类型无关,与材料微观结构存在着密切的关系.因此推断:CCTO低频介电弛豫起源于样品与电极之间的耗尽层效应,而高频介电弛豫起源于高阻态的晶界与半导化的晶粒形成内部阻挡层电容效应.; 关键词高介电材料耗尽层效应内阻挡层电容效应元素变价; Keywords high-k materials electrode polarization effect internal barrier layer capacitance effect aliovalences; 分类号 TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NaCu_3Ti_3NbO_(12)和NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的巨介电性质及NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的低介电损耗特性: 3; 作者郝文涛徐攀攀张家良曹恩思彭华; 机构太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室太原理工大学物理与光电工程学院山东大学物理学院; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期62-66,共5页; 文摘利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷,对它们的介电性质和晶格结构进行了研究。结果显示,两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为;在室温或者更低温度下,两种陶瓷的介电频谱(40 Hz^110 MHz)的实部只出现一个介电弛豫,而更高温度下的介电频谱的实部则会有两个介电弛豫;XRD结果显示两种陶瓷中都含有少量的CuO第二相。这些实验结果能用CCTO陶瓷中的内阻挡层电容效应解释。NaCu3Ti3SbO12陶瓷的室温介电损耗在40 Hz到7 kHz的宽频率范围内低于0.05,并且其1 kHz的介电损耗在-50~80℃的宽温度范围内低于0.05,这对于实际应用有重要意义。; 关键词 NaCu3Ti3NbO12 NaCu3Ti3SbO12 巨介电性质内阻挡层电容效应; Keywords NaCu3Ti3NbO12 NaCu3Ti3SbO12 giant dielectric-permittivity phenomena internal barrier layer capacitance effect; 分类号 TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的高介电性质及相关机制的研究: 4; 作者杨帅徐攀攀王明文郝文涛孙礼曹恩思张雍家; 机构太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室太原理工大学物理与光电工程学院太原理工大学材料科学与工程学院; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1029-1034,共6页; 基金国家自然科学基金(51602214 11404236 11604234)~~; 文摘在不同烧结温度下,利用传统的固相反应工艺制备了一系列NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷,系统测试了它们的晶体结构、微观结构、介电性质和复阻抗谱。结果显示,所有的NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的主相都呈现类钙钛矿结构,介电性质随烧结温度变化很大。高于1020℃烧结的陶瓷的室温相对介电常数大于3000,具有高介电性质。复阻抗谱显示,NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的电学分布不均匀,由绝缘性的晶界和半导性的晶界组成。通过XRD和XPS测试发现,在陶瓷中观察到了CuO第二相和Cu、Ti、Sb、Ta离子的变价。因此,利用内阻挡层电容效应可以解释NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的高介电性质。; 关键词 NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12 高介电性质 CU O第二相元素变价内阻挡层电容效应; Keywords NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12 high dielectric-permittivity properties CuO secondary phase aliovalences in-ternal barrier layer capacitance effect; 分类号 TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	La掺杂对(In_(0.5)Nb_(0.5))_(0.10)Ti_(0.90)O_(2)陶瓷微观结构和介电性能的影响	张翠玲陈建宾	《现代化工》 CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷高介电性的起因机制	郝文涛张家良谭永强郑鹏王春雷	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2011	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	NaCu_3Ti_3NbO_(12)和NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的巨介电性质及NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的低介电损耗特性	郝文涛徐攀攀张家良曹恩思彭华	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的高介电性质及相关机制的研究	杨帅徐攀攀王明文郝文涛孙礼曹恩思张雍家	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料