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CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的巨介电响应机理
被引量：
7
1
作者
郑兴华
张程
+2 位作者
刘馨
汤德平
肖娟
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期630-635,共6页
针对CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12（x=0~0.3）和CaCu3Ti4-yMnyO12（y=0~0.1）的陶瓷。通过微结构和电性能的演变讨论C...
针对CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12（x=0~0.3）和CaCu3Ti4-yMnyO12（y=0~0.1）的陶瓷。通过微结构和电性能的演变讨论CCTO陶瓷的巨介电响应机理。结果表明：加入少量MnO2后,所有陶瓷均为体心立方（BCC）类钙钛矿结构的CCTO单相;但是,CCTO陶瓷显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小晶粒;同时,CCTO陶瓷的电阻率从107-.cm显著提高到109-.cm;介电常数从104显著下降到102;介电损耗从10-1急剧降低到10-3;CCTO陶瓷的巨介电响应是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成的内部阻挡层电容器（IBLC）所致。在较低温度下（〈1 100℃）烧结获得高介电常数、低损耗和温度稳定的CCTO基陶瓷,找到一种降低CCTO陶瓷介电损耗的有效方法。
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关键词
CaCu3Ti4O12陶瓷
巨介电常数
内部
阻挡层
电容器
(
iblc
)
低介电损耗
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职称材料
题名
CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的巨介电响应机理
被引量：
7
1
作者
郑兴华
张程
刘馨
汤德平
肖娟
机构
福州大学材料科学与工程学院
出处
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期630-635,共6页
基金
福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划资助项目(XSJRC2007-16)
福建省发改委资助项目(827014)
文摘
针对CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12（x=0~0.3）和CaCu3Ti4-yMnyO12（y=0~0.1）的陶瓷。通过微结构和电性能的演变讨论CCTO陶瓷的巨介电响应机理。结果表明：加入少量MnO2后,所有陶瓷均为体心立方（BCC）类钙钛矿结构的CCTO单相;但是,CCTO陶瓷显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小晶粒;同时,CCTO陶瓷的电阻率从107-.cm显著提高到109-.cm;介电常数从104显著下降到102;介电损耗从10-1急剧降低到10-3;CCTO陶瓷的巨介电响应是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成的内部阻挡层电容器（IBLC）所致。在较低温度下（〈1 100℃）烧结获得高介电常数、低损耗和温度稳定的CCTO基陶瓷,找到一种降低CCTO陶瓷介电损耗的有效方法。
关键词
CaCu3Ti4O12陶瓷
巨介电常数
内部
阻挡层
电容器
(
iblc
)
低介电损耗
Keywords
CaCu3Ti4O12 ceramics
giant dielectric constant
internal barrier layer capacitor（
iblc
）
low dielectric loss
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的巨介电响应机理
郑兴华
张程
刘馨
汤德平
肖娟
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
7
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