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Cu-Al合金平板试样内氧化层的测定
被引量：
4
1
作者
国秀花
宋克兴
+1 位作者
郜建新
刘瑞华
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期21-24,共4页
以Cu2O为氧源,采用包埋法在自制真空炉胆内进行了Cu-Al合金平板试样的内氧化试验,测定了内氧化层深度和试样的电导率,建立了平板试样内氧化后Cu-Al合金层和弥散强化层共存下的电导率模型,推导出Cu-Al合金平板试样的内氧化深度X和电导率...
以Cu2O为氧源,采用包埋法在自制真空炉胆内进行了Cu-Al合金平板试样的内氧化试验,测定了内氧化层深度和试样的电导率,建立了平板试样内氧化后Cu-Al合金层和弥散强化层共存下的电导率模型,推导出Cu-Al合金平板试样的内氧化深度X和电导率!的关系:!=41.18+0.541 333 2!3X-4X2"。结果表明,内氧化后在试样横截面上有一条明显的界线,分界线的深度测定和电导率测定结果与公式计算结果吻合得较好,证明此界线即为内氧化的前沿界面,在显微镜下可测量出内氧化层的深度。
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关键词
CU-AL合金
内氧化
深度
电导率
内氧化前沿界面
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职称材料
题名
Cu-Al合金平板试样内氧化层的测定
被引量：
4
1
作者
国秀花
宋克兴
郜建新
刘瑞华
机构
河南科技大学材料科学与工程学院
出处
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期21-24,共4页
基金
河南省重点科技攻关项目(0523021500)
洛阳市重点科技攻关项目(020902)
+1 种基金
河南科技大学重大预研科学研究基金资助(2005ZD003)
河南科技大学人才科学研究基金资助
文摘
以Cu2O为氧源,采用包埋法在自制真空炉胆内进行了Cu-Al合金平板试样的内氧化试验,测定了内氧化层深度和试样的电导率,建立了平板试样内氧化后Cu-Al合金层和弥散强化层共存下的电导率模型,推导出Cu-Al合金平板试样的内氧化深度X和电导率!的关系:!=41.18+0.541 333 2!3X-4X2"。结果表明,内氧化后在试样横截面上有一条明显的界线,分界线的深度测定和电导率测定结果与公式计算结果吻合得较好,证明此界线即为内氧化的前沿界面,在显微镜下可测量出内氧化层的深度。
关键词
CU-AL合金
内氧化
深度
电导率
内氧化前沿界面
Keywords
Cu-Al alloy
depth of internal oxidation
electrical conductivity
internal oxidation interface
分类号
TB331 [一般工业技术—材料科学与工程]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
Cu-Al合金平板试样内氧化层的测定
国秀花
宋克兴
郜建新
刘瑞华
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2007
4
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