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大尺寸CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)晶体生长和光电性能表征
1
作者
孙元龙
胡子钰
郑国宗
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第8期1313-1318,共6页
卤化物钙钛矿材料作为一种新型的半导体材料,具有材料廉价和光电转换性能优异的优点,基于该材料的各类光电器件已经开始逐步应用。虽然多晶薄膜仍然是主要的研究方向,但其具有形态无序、杂质较多的缺点,而单晶具有无晶界、低缺陷的特点...
卤化物钙钛矿材料作为一种新型的半导体材料,具有材料廉价和光电转换性能优异的优点,基于该材料的各类光电器件已经开始逐步应用。虽然多晶薄膜仍然是主要的研究方向,但其具有形态无序、杂质较多的缺点,而单晶具有无晶界、低缺陷的特点,因此基于大尺寸单晶的研究开始被广泛关注。本文设计了一套内外反控温循环过滤生长装置,采用逆温结晶和籽晶相结合的方法制备了直径大于60 mm的CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)单晶,对晶体样品进行了物相、微观形貌、光学和电学性能的研究。该晶体属于立方晶系,空间群为Pm3m;紫外-可见吸收光谱显示吸收截止边约为576 nm,荧光发射谱峰值552 nm;摇摆曲线显示晶体(100)晶面半峰全宽为91.42″。切割抛光后的晶片光响应灵敏,开关比为2.4×10^(3)。
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关键词
CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)单晶
卤化物钙钛矿
内外反控温循环过滤
晶体生长
光电性能
逆温结晶
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职称材料
题名
大尺寸CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)晶体生长和光电性能表征
1
作者
孙元龙
胡子钰
郑国宗
机构
福建师范大学化学与材料学院
中国科学院福建物质结构研究所
中国科学院大学福建学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第8期1313-1318,共6页
文摘
卤化物钙钛矿材料作为一种新型的半导体材料,具有材料廉价和光电转换性能优异的优点,基于该材料的各类光电器件已经开始逐步应用。虽然多晶薄膜仍然是主要的研究方向,但其具有形态无序、杂质较多的缺点,而单晶具有无晶界、低缺陷的特点,因此基于大尺寸单晶的研究开始被广泛关注。本文设计了一套内外反控温循环过滤生长装置,采用逆温结晶和籽晶相结合的方法制备了直径大于60 mm的CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)单晶,对晶体样品进行了物相、微观形貌、光学和电学性能的研究。该晶体属于立方晶系,空间群为Pm3m;紫外-可见吸收光谱显示吸收截止边约为576 nm,荧光发射谱峰值552 nm;摇摆曲线显示晶体(100)晶面半峰全宽为91.42″。切割抛光后的晶片光响应灵敏,开关比为2.4×10^(3)。
关键词
CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)单晶
卤化物钙钛矿
内外反控温循环过滤
晶体生长
光电性能
逆温结晶
Keywords
CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)single crystal
halide perovskite
internal and external reverse temperature control cycle filtration
crystal growth
photoelectric property
inverse temperature crystallization
分类号
O782 [理学—晶体学]
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
大尺寸CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)晶体生长和光电性能表征
孙元龙
胡子钰
郑国宗
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024
0
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