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题名GaAs大功率器件内匹配技术研究
被引量：2
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作者
邱旭
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期780-783,共4页
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文摘
介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等。以C波段40 W大功率器件为例讲述了内匹配技术在GaAs功率器件设计中的应用。通过大信号建模获得大栅宽器件模型,通过ADS软件进行内匹配电路参数的优化计算。通过电路制作及调试,实现了大功率器件的性能。经测试,当器件Vds=9 V时,在5.2~5.8 GHz频段内,输出功率Po≥40 W,功率增益Gp≥9 dB。测量值和设计值基本吻合。
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关键词
内匹配技术
大功率
砷化镓场效应晶体管
大信号模型
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Keywords
internally matched technology
high power
GaAs FET
large-signal model
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分类号
TN386.3
[电子电信—物理电子学]
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题名体积小重量轻的SiC微波脉冲功率晶体管
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作者
田爱华
潘宏菽
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机构
专用集成电路重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第11期697-701,共5页
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文摘
采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2GHz,脉冲宽度30μs,占空比10%)输出功率大于30W、功率增益12dB、功率附加效率大于30%的性能指标。由于直接采用管芯并联结构,省略了内匹配网络,器件的体积和重量较以往的Si微波双极功率晶体管大为降低;采用高温氧化技术克服了传统MESFET工艺中PECVD介质产生较高界面态的不足,减小了器件的泄漏电流,提高了器件性能。器件的研制成功,初步显示了SiC微波脉冲功率器件在体积小、重量轻、增益高、脉冲大功率输出和制作工艺简单等方面的优势。
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关键词
碳化硅(SiC)
硅(Si)
脉冲功率晶体管
内匹配技术
微波
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Keywords
SiC
Si
pulse power transistor
internally matched technology
microwave
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分类号
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
TN323.4
[电子电信—物理电子学]
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