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NaI(Tl)晶体对面源全能峰效率刻度的点源模拟法
被引量:
8
1
作者
屈国普
龚学余
金杰坤
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期311-313,共3页
介绍了用点源模拟法来刻度面源全能峰效率的方法。并将刻度结果与数值分析法的理论计算值进行了比较,两者在8%内一致。
关键词
典源模拟法
面
源
效率刻度
探测器
闪烁晶体
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职称材料
题名
NaI(Tl)晶体对面源全能峰效率刻度的点源模拟法
被引量:
8
1
作者
屈国普
龚学余
金杰坤
机构
中南工学院技术物理系
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期311-313,共3页
文摘
介绍了用点源模拟法来刻度面源全能峰效率的方法。并将刻度结果与数值分析法的理论计算值进行了比较,两者在8%内一致。
关键词
典源模拟法
面
源
效率刻度
探测器
闪烁晶体
Keywords
Point source simulation test Plate source Calibration of efficiency
分类号
TL812.1 [核科学技术—核技术及应用]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NaI(Tl)晶体对面源全能峰效率刻度的点源模拟法
屈国普
龚学余
金杰坤
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
8
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