期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
应用于无线充电系统的SiC MOSFET关断特性分析 被引量:10
1
作者 薄强 王丽芳 +3 位作者 张玉旺 陶成轩 刘志孟 蒙金雪 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2021年第15期150-157,共8页
SiC MOSFET的关断特性是无线充电系统传输效率和电应力研究的主要内容之一,对系统的安全、高效运行具有重要意义。首先,针对无线充电系统中考虑高次谐波的关断瞬态电流进行建模,并基于数据手册建立SiC MOSFET的关断能量损耗模型;其次,... SiC MOSFET的关断特性是无线充电系统传输效率和电应力研究的主要内容之一,对系统的安全、高效运行具有重要意义。首先,针对无线充电系统中考虑高次谐波的关断瞬态电流进行建模,并基于数据手册建立SiC MOSFET的关断能量损耗模型;其次,通过计算和仿真验证关断瞬态电流求解的正确性,探讨了关断瞬态电流、关断能量损耗与直流母线电压和输出功率的关系;最后,搭建1 kW LCC-S补偿的基于SiC MOSFET的无线充电系统进行实验验证,结果证明在全输出功率范围内,应用于无线充电系统的SiC MOSFET具有恒关断电流和恒关断损耗的特性。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 零电压开关 无线充电 关断瞬态电流 关断能量损耗 补偿网络
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部