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题名SiC MOSFET改进关断瞬态模型研究
被引量：1
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作者
陈月清
袁梦寒
郭希铮
焦健
游小杰
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机构
北京交通大学电气工程学院
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出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2024年第20期8201-8211,I0024,共12页
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基金
中央高校基本科研业务费专项资金(科技领军人才团队项目)(2022JBXT006)。
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文摘
传统碳化硅(silicon carbide,Si C)金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor,MOSFET)关断瞬态模型忽略了在小负载电流或小驱动电阻下Si CMOSFET的沟道关断先于对管Si C肖特基势垒二极管导通的特殊关断模式,导致该工况下传统关断模型不适用。为解决该问题,该文在传统模型的基础上,加入了对特殊关断模式机理的详细分析,完善了SiCMOSFET的关断瞬态模型。所提模型采用时间分段、机理解耦以及参数解耦的求解方法,取消了模型的迭代,提高了模型的求解速度。仿真计算结果与实验测量结果对比表明,所提改进模型可以准确体现Si CMOSFET在不同关断模式下的瞬态波形,验证了改进模型的准确性、有效性及适用性。
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关键词
SiCMOSFET
关断瞬态改进模型
半桥电路
关断模式
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Keywords
SiC MOSFET
improved model for turn-off transient
half bridge circuit
turn-off modes
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分类号
TM131.2
[电气工程—电工理论与新技术]
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