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题名SiC MOSFET改进关断瞬态模型研究
被引量：1
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作者
陈月清
袁梦寒
郭希铮
焦健
游小杰
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机构
北京交通大学电气工程学院
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出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2024年第20期8201-8211,I0024,共12页
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基金
中央高校基本科研业务费专项资金(科技领军人才团队项目)(2022JBXT006)。
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文摘
传统碳化硅(silicon carbide,Si C)金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor,MOSFET)关断瞬态模型忽略了在小负载电流或小驱动电阻下Si CMOSFET的沟道关断先于对管Si C肖特基势垒二极管导通的特殊关断模式,导致该工况下传统关断模型不适用。为解决该问题,该文在传统模型的基础上,加入了对特殊关断模式机理的详细分析,完善了SiCMOSFET的关断瞬态模型。所提模型采用时间分段、机理解耦以及参数解耦的求解方法,取消了模型的迭代,提高了模型的求解速度。仿真计算结果与实验测量结果对比表明,所提改进模型可以准确体现Si CMOSFET在不同关断模式下的瞬态波形,验证了改进模型的准确性、有效性及适用性。
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关键词
SiCMOSFET
关断瞬态改进模型
半桥电路
关断模式
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Keywords
SiC MOSFET
improved model for turn-off transient
half bridge circuit
turn-off modes
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分类号
TM131.2
[电气工程—电工理论与新技术]
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题名新型电流微调CMOS带隙基准源的设计
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作者
吴日新
戴庆元
谢芳
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机构
上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期919-922,共4页
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文摘
介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。
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关键词
CMOS带隙基准
电流微调
关断模式
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Keywords
CMOS bandgap reference
current trimming
shutdown mode
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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