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共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察
被引量：
3
1
作者
李小武
周杨
+1 位作者
杨瑞青
苏会和
《东北大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期1365-1368,共4页
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]...
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯结构逐步变化到胞结构和迷宫结构.
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关键词
铜单晶
共轭双滑移
循环形变
位错结构
SEM-ECC技术
晶体取向
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职称材料
题名
共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察
被引量：
3
1
作者
李小武
周杨
杨瑞青
苏会和
机构
东北大学理学院
中国科学院金属研究所
出处
《东北大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期1365-1368,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50671023)
东北大学留学归国博士启动基金资助项目
文摘
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯结构逐步变化到胞结构和迷宫结构.
关键词
铜单晶
共轭双滑移
循环形变
位错结构
SEM-ECC技术
晶体取向
Keywords
copper single crystal
conjugate double slip
cyclic deformation
dislocation structure
SEM-ECC technique
crystallographic orientation
分类号
TG111.8 [金属学及工艺—物理冶金]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察
李小武
周杨
杨瑞青
苏会和
《东北大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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