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CMOS 1.2V电压10Gb/s光接收机前置放大器设计
被引量：
2
1
作者
吴有恩
《煤炭技术》
CAS
北大核心
2011年第4期35-37,共3页
采用UMC 0.13-μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)速率级的低电压供电光接收机前置放大器。采用1.2V低电压供电和三级共源放大结构,跨阻中频增益为57.5dBΩ,-3dB带宽为10.1GHz,总的等效输入噪声电流为1.47μA,相位裕度...
采用UMC 0.13-μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)速率级的低电压供电光接收机前置放大器。采用1.2V低电压供电和三级共源放大结构,跨阻中频增益为57.5dBΩ,-3dB带宽为10.1GHz,总的等效输入噪声电流为1.47μA,相位裕度为73.7°,可稳定工作在10Gb/s速率。芯片面积为0.54mm×0.74mm。
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关键词
前置
放大器
共源跨阻放大器
低电压
CMOS工艺
光接收机
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职称材料
题名
CMOS 1.2V电压10Gb/s光接收机前置放大器设计
被引量：
2
1
作者
吴有恩
机构
江西渝州科技职业技术学院
出处
《煤炭技术》
CAS
北大核心
2011年第4期35-37,共3页
文摘
采用UMC 0.13-μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)速率级的低电压供电光接收机前置放大器。采用1.2V低电压供电和三级共源放大结构,跨阻中频增益为57.5dBΩ,-3dB带宽为10.1GHz,总的等效输入噪声电流为1.47μA,相位裕度为73.7°,可稳定工作在10Gb/s速率。芯片面积为0.54mm×0.74mm。
关键词
前置
放大器
共源跨阻放大器
低电压
CMOS工艺
光接收机
Keywords
preamplifier
common-source transimpedance amplifier
low voltage supply
CMOS technology
optical receiver
分类号
TN72 [电子电信—电路与系统]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
CMOS 1.2V电压10Gb/s光接收机前置放大器设计
吴有恩
《煤炭技术》
CAS
北大核心
2011
2
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