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题名S频段pHEMT双通道低噪声放大器芯片的设计
被引量：7
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作者
徐鑫
张波
徐辉
王毅
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机构
中国空间技术研究院西安分院
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第1期83-87,共5页
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文摘
采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度。经流片测试,在1.9~2.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1dB)为10dBm。大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90%,性能指标优于目前同类商业芯片指标。
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关键词
S频段
双通道
低噪声放大器
单刀双掷开关
共源共栅场效应管
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Keywords
S band,dual channel,low noise amplifier,SPDT switch,cascode FET
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分类号
TN722.3
[电子电信—电路与系统]
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