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基于共振隧穿二极管的太赫兹技术研究进展 被引量:2
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作者 刘军 王靖思 +2 位作者 宋瑞良 刘博文 刘宁 《无线电通信技术》 北大核心 2024年第1期58-66,共9页
共振隧穿二极管(Resonant Tunneling Diode, RTD)是一种基于量子隧穿效应的半导体器件,同时具有非线性特性和负阻特性,通过改变偏置电压可以作为太赫兹源和太赫兹探测器,在未来6G技术中通信感知一体化方面具有优势。简要总结了基于RTD... 共振隧穿二极管(Resonant Tunneling Diode, RTD)是一种基于量子隧穿效应的半导体器件,同时具有非线性特性和负阻特性,通过改变偏置电压可以作为太赫兹源和太赫兹探测器,在未来6G技术中通信感知一体化方面具有优势。简要总结了基于RTD实现的器件的工作原理,对基于RTD实现的太赫兹源和太赫兹探测器、太赫兹通信系统以及太赫兹雷达系统等太赫兹技术的研究进展进行介绍,并对当前存在的技术挑战和未来的发展方向进行探讨。基于RTD的太赫兹技术凭借其突出的优势,将成为未来电子器件领域重要的发展方向。 展开更多
关键词 共振穿二极管 太赫兹源 太赫兹通信 太赫兹探测器
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基于共振隧穿二极管的140~220 GHz检波器设计
2
作者 茶兴增 张勇 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期302-305,共4页
本文基于AlGaN/GaN双势垒RTD,设计了一款工作频率范围为140~220 GHz的检波器。通过Silvaco Atlas TCAD仿真了该RTD器件,其峰谷电流比PVCR为1.5349、负微分电导GRTD为35.8852 m S,且构建了物理基模型对其进行了表征,实现了较好的拟合,从... 本文基于AlGaN/GaN双势垒RTD,设计了一款工作频率范围为140~220 GHz的检波器。通过Silvaco Atlas TCAD仿真了该RTD器件,其峰谷电流比PVCR为1.5349、负微分电导GRTD为35.8852 m S,且构建了物理基模型对其进行了表征,实现了较好的拟合,从中选取了直流工作点为-0.575 V。在太赫兹信号输入功率为-30 dBm的条件下,实现了在140~220 GHz频段内,电压灵敏度大于4000 m V/mW,在工作频率170 GHz处大于8923 m V/mW。 展开更多
关键词 共振穿二极管 检波器 太赫兹 领结天线
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基于共振隧穿二极管的集成电路研究
3
作者 马龙 黄应龙 +2 位作者 余洪敏 王良臣 杨富华 《电子器件》 EI CAS 2006年第3期627-634,共8页
RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性,使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT,HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其改进和延伸的基础上,对高... RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性,使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT,HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其改进和延伸的基础上,对高速ADC/DAC电路和低功耗的存储器电路进行了具体的分析。最后对RTD基电路面临的主要问题和挑战进行了讨论,提出基于硅基RTD与线性阈值门(LTG)逻辑相结合是未来纳米级超大规模集成电路的最佳发展方向。 展开更多
关键词 共振穿二极管 集成电路 高频 低功耗
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共振隧穿二极管基础电路的模拟与分析 被引量:1
4
作者 程玥 许军 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期579-582,共4页
简单介绍了RTD的器件特性和器件模型 ,用HSPICE模拟出RTD与电阻、MOS晶体管、RTD本身结合的电路特性。通过对不同电路参数I V特性的模拟和分析 。
关键词 共振穿二极管 双稳态 HSPICE模拟 RTD HSPICE模拟 电路特性
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共振隧穿二极管 被引量:8
5
作者 郭维廉 梁惠来 +8 位作者 张世林 牛萍娟 毛陆虹 赵振波 郝景臣 魏碧华 张豫黔 宋婉华 杨中月 《微纳电子技术》 CAS 2002年第5期11-15,36,共6页
设计并研制出室温工作的共振隧穿二极管,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz。本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明。
关键词 共振穿二极管 纳米器件 量子效应 负阻特性 RTD 振荡频率
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共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题 被引量:8
6
作者 张世林 郭维廉 +4 位作者 梁惠来 侯志娟 牛萍娟 赵振波 郭辉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-333,共5页
对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对
关键词 共振穿二极管 RTD I-V特性 负阻伏安特性 开关时间
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共振隧穿二极管的设计和研制 被引量:8
7
作者 王振坤 梁惠来 +3 位作者 郭维廉 牛萍娟 赵振波 辛春艳 《微纳电子技术》 CAS 2002年第7期13-16,共4页
用分子束外延在半绝缘砷化镓上生长两垒一阱结构,制成RTD单管。经过材料生长设计、工艺设计和版图设计几方面的改进,测得最高振荡频率已达54GHz。
关键词 共振穿二极管 纳米电子器件 峰谷比 砷化镓 分子束外延
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共振隧穿二极管交流小信号模型的建立 被引量:5
8
作者 牛萍娟 郭维廉 +2 位作者 梁惠来 张世林 吴霞宛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期137-140,共4页
建立了用于电路模拟的共振隧穿二极管交流小信号模型 ,并利用 PSPICE电路模拟软件着重模拟分析了其交流特性及其微带振荡器的特性 ,模拟结果与实验数据吻合得较好 。
关键词 共振穿二极管 交流小信号模型 电路模拟 PSPICE软件 微带振荡器 交流钛性
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共振隧穿二极管型光探测器和光调制器 被引量:1
9
作者 陈乃金 郭维廉 +2 位作者 牛萍娟 王伟 于欣 《微纳电子技术》 2008年第1期6-11,共6页
将共振隧穿二极管(RTD)的核心结构——双势垒系统与光探测器和调制器的原理相结合可构成共振隧穿光探测器和共振隧穿光调制器。这些器件既保持了RTD高频、高速的特点,同时又具备了光探测器和光调制器原有的功能,可用于光电集成电路。介... 将共振隧穿二极管(RTD)的核心结构——双势垒系统与光探测器和调制器的原理相结合可构成共振隧穿光探测器和共振隧穿光调制器。这些器件既保持了RTD高频、高速的特点,同时又具备了光探测器和光调制器原有的功能,可用于光电集成电路。介绍了这种具有代表性的RTD型光电器件的工作原理、器件结构、制造工艺、器件参数测试等,为此类器件在国内的设计和研制奠定基础。 展开更多
关键词 共振穿二极管 光电器件 光探测器 光调制器
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共振隧穿二极管的材料结构设计——共振隧穿器件讲座(5) 被引量:3
10
作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2006年第8期361-365,392,共6页
在系统细致分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,确立了RTD材料结构的设计原则和设计方法,并对以SI-GaAs为衬底的RTD分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计。所研制出的RTD参数实测结果证实了此设计方法是正确的。
关键词 共振穿二极管 材料结构设计 分子束外延
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GeSi/Si共振隧穿二极管 被引量:1
11
作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2008年第11期627-634,共8页
GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅... GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅,因此适用于空穴型RTD的研制;n型带内RTD只有通过应力Si或应力GeSi来实现,这种应力型RTD为带内RTD的主要结构;而带间GeSi/SiRITD则将成为更有应用前景的、性能较好的GeSi/SiRTD器件结构。 展开更多
关键词 GeSi/Si共振穿二极管 GeSi/Si异质结 GeSi/Si带间共振穿二极管 能带结构 材料结构
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共振隧穿二极管中的电荷积累效应——共振隧穿器件讲座(4) 被引量:1
12
作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2006年第4期172-176,共5页
介绍了共振隧穿二极管(RTD)中电荷积累效应,利用顺序隧穿模型分析了RTD中有电荷积累时器件各部分电压的再分布;并结合电压降局限于双势垒区和遍及整个RTD的两种情况,建立了电荷和电流方程;最后利用电荷积累效应解释了负阻区本征双稳态... 介绍了共振隧穿二极管(RTD)中电荷积累效应,利用顺序隧穿模型分析了RTD中有电荷积累时器件各部分电压的再分布;并结合电压降局限于双势垒区和遍及整个RTD的两种情况,建立了电荷和电流方程;最后利用电荷积累效应解释了负阻区本征双稳态特性。 展开更多
关键词 共振穿二极管 电荷积累效应 双稳态
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不对称势垒对共振隧穿二极管I-V特性的影响
13
作者 武一宾 杨瑞霞 +2 位作者 商耀辉 牛晨亮 王健 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第11期663-667,共5页
利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性。在峰值电流密度为132kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷... 利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性。在峰值电流密度为132kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷比。测试结果还表明不对称势垒厚度的RTD在偏压情况下,当电子从较薄势垒向较厚势垒穿透时,更容易获得高的电流峰谷比,反之可获得较大的负微分电阻电压区域。 展开更多
关键词 不对称势垒 共振穿二极管(RTD) 电流峰谷比(PVCR) 负微分电阻(NDR) 分子束外延(MBE) 磷化铟
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电子在双垒二极管中的共振隧穿
14
作者 刘云鹏 罗恩泽 《电子器件》 CAS 1994年第3期12-15,共4页
本文对双垒二极管中的电子隧穿作了数值分析。引入隧穿矩阵,建立了透射系数的公式;利用该公式,计算了隧道电流。此外,本文还分析了势垒结构对伏-安特性的影响。
关键词 双垒 共振穿 透射系数 伏-安特性 二极管
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共振隧穿二极管的直流变温特性 被引量:2
15
作者 管坤 谢生 +3 位作者 郭维廉 毛陆虹 张世林 王伊钿 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期428-431,478,共5页
优化设计了GaAs/InGaAs/A1As双势垒异质结构,采用台面工艺实现了RTD的器件制备,在3~350K温度范围内对器件的直流特性进行了测试分析。实验结果表明,受热电子发射电流的影响,当测试温度T〉77K时,GaAs基RTD的直流特性参数随温度... 优化设计了GaAs/InGaAs/A1As双势垒异质结构,采用台面工艺实现了RTD的器件制备,在3~350K温度范围内对器件的直流特性进行了测试分析。实验结果表明,受热电子发射电流的影响,当测试温度T〉77K时,GaAs基RTD的直流特性参数随温度变化显著;而当T%77K后,器件直流特性趋于饱和。基于实验数据外推的最高工作温度和极限负阻温度分别为370K和475K。 展开更多
关键词 共振穿二极管 量子效应 砷化镓 负微分电阻 温度特性
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基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管 被引量:2
16
作者 车相辉 梁士雄 +5 位作者 张立森 顾国栋 郝文嘉 杨大宝 陈宏泰 冯志红 《电子技术应用》 2019年第8期32-33,39,共3页
为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温... 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。 展开更多
关键词 共振穿二极管 峰值电流密度 峰谷电流比
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InP基共振隧穿二极管太赫兹振荡器的设计与实现 被引量:3
17
作者 刘军 宋瑞良 +1 位作者 刘宁 梁士雄 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期443-447,共5页
利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RT... 利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RTD器件直流特性测试显示:峰值电流密度J_(p)为359.2 kA/cm^(2),谷值电流密度J_(v)为135.8 kA/cm^(2),峰谷电流比PVCR为2.64,理论计算得到的器件最大射频输出功率和振荡频率(f_(max))分别为1.71 mW和1.49 THz。利用透镜封装的形式对采用Bow-tie片上天线和RTD设计的太赫兹振荡器进行封装,测试得到振荡频率超过1 THz,输出功率为2.57μW,直流功耗为8.33 mW,是国内首次报道超过1 THz的振荡器。 展开更多
关键词 太赫兹 共振穿二极管 振荡器
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共振隧穿二极管I-V特性变温模型的建立 被引量:1
18
作者 张莉莉 张世林 +3 位作者 郭维廉 毛陆虹 王伊钿 管坤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期522-527,共6页
首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型,利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管(RTD)I-V特性数据拟合,建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上,针对150~350K温度范围内RTD I-V特性数据,利用Matlab软件拟合得... 首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型,利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管(RTD)I-V特性数据拟合,建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上,针对150~350K温度范围内RTD I-V特性数据,利用Matlab软件拟合得到不同温度下的拟合参数,通过分析拟合参数与温度的关系,初步建立了RTD的I-V特性变温模型。 展开更多
关键词 共振穿二极管 I-V方程 拟合参数 变温模型
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太赫兹共振隧穿二极管探测器研究进展及应用 被引量:2
19
作者 王东双 苏娟 谭为 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第10期991-999,共9页
太赫兹波独特的性质使其在物理学、生物学、医疗诊断、无损检测、无线通信等领域有着广阔的应用前景。共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿效应的半导体器件,利用其负微分电阻和直流非线性特性,可以分别实现太赫兹波的产生和探测,近... 太赫兹波独特的性质使其在物理学、生物学、医疗诊断、无损检测、无线通信等领域有着广阔的应用前景。共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿效应的半导体器件,利用其负微分电阻和直流非线性特性,可以分别实现太赫兹波的产生和探测,近年来获得越来越多的关注。基于RTD的太赫兹探测器具有可室温工作、体积小、易集成、灵敏度高等特点,使其在未来短距离、超高速的太赫兹无线通信及万物互联等场景具备优势。本文将重点介绍太赫兹RTD探测器的研究进展及其应用进展,并对后续技术发展进行展望。 展开更多
关键词 太赫兹探测器 共振穿二极管 直接探测 相干探测
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共振隧穿二极管电流密度-电压曲线数值计算中积分方法的改进 被引量:1
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作者 梁擎擎 阮刚 张斌 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 1999年第4期365-371,共7页
提出了一种基于黄金分割法和二分法寻查思想的一维积分来实现二维积分的方法,此方法能迅速而精确地计算RTD电流密度-电压曲线适用于RTD及其电路的计算机辅助设计。
关键词 共振穿二极管 电流密度 电压曲线 数值计算
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