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肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
1
作者
宋瑞良
毛陆虹
+4 位作者
郭维廉
谢生
齐海涛
张世林
梁惠来
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期632-636,共5页
基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻...
基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。
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关键词
共振隧穿三极管
(RTT)
器件模型
肖特基接触
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职称材料
肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT)的器件模拟
2
作者
宋瑞良
毛陆虹
+2 位作者
郭维廉
梁惠来
张世林
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期290-294,共5页
使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在...
使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在电路中的应用予以说明。
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关键词
肖特基栅
共振隧穿三极管
器件模拟
单稳-双稳转换逻辑电路单元
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职称材料
共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和最新进展
被引量:
3
3
作者
郭维廉
牛萍娟
苗长云
《微纳电子技术》
CAS
2005年第7期298-304,共7页
介绍了共振隧穿器件及其特点,论述了该类器件及其集成技术的发展趋势和最新进展,特别是SiO 2S/iS/iO 2共振隧穿二极管及其集成电路的研制成功是一个突破性的进展。
关键词
共振
隧
穿
二极管
共振隧穿三极管
集成电路
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职称材料
题名
肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
1
作者
宋瑞良
毛陆虹
郭维廉
谢生
齐海涛
张世林
梁惠来
机构
天津大学电信学院
南开大学光电子所
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期632-636,共5页
基金
973计划(2002CB311905)资助项目
文摘
基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。
关键词
共振隧穿三极管
(RTT)
器件模型
肖特基接触
Keywords
resonant tunneling transistor(RTT), device model, Schottky contact
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT)的器件模拟
2
作者
宋瑞良
毛陆虹
郭维廉
梁惠来
张世林
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期290-294,共5页
基金
国家重点基础研究发展规划项目资助(2002CB311905)
专用集成电路国家级重点实验室资助(51432010204JW1401)
文摘
使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在电路中的应用予以说明。
关键词
肖特基栅
共振隧穿三极管
器件模拟
单稳-双稳转换逻辑电路单元
Keywords
Schottky gate resonant tunneling transistor
device simulation
monostablebistable transition logic elements
分类号
TN313.2 [电子电信—物理电子学]
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和最新进展
被引量:
3
3
作者
郭维廉
牛萍娟
苗长云
机构
天津工业大学信息与通讯工程学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
2005年第7期298-304,共7页
基金
天津市应用基础研究重点项目资助(043800811)
文摘
介绍了共振隧穿器件及其特点,论述了该类器件及其集成技术的发展趋势和最新进展,特别是SiO 2S/iS/iO 2共振隧穿二极管及其集成电路的研制成功是一个突破性的进展。
关键词
共振
隧
穿
二极管
共振隧穿三极管
集成电路
Keywords
resonant tunneling diode(RTD)
resonant tunneling transistor(RTT)
IC
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
宋瑞良
毛陆虹
郭维廉
谢生
齐海涛
张世林
梁惠来
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT)的器件模拟
宋瑞良
毛陆虹
郭维廉
梁惠来
张世林
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和最新进展
郭维廉
牛萍娟
苗长云
《微纳电子技术》
CAS
2005
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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