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InP基共振隧穿二极管太赫兹振荡器的设计与实现
被引量:
3
1
作者
刘军
宋瑞良
+1 位作者
刘宁
梁士雄
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第2期443-447,共5页
利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RT...
利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RTD器件直流特性测试显示:峰值电流密度J_(p)为359.2 kA/cm^(2),谷值电流密度J_(v)为135.8 kA/cm^(2),峰谷电流比PVCR为2.64,理论计算得到的器件最大射频输出功率和振荡频率(f_(max))分别为1.71 mW和1.49 THz。利用透镜封装的形式对采用Bow-tie片上天线和RTD设计的太赫兹振荡器进行封装,测试得到振荡频率超过1 THz,输出功率为2.57μW,直流功耗为8.33 mW,是国内首次报道超过1 THz的振荡器。
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关键词
太赫兹
共振
隧
穿
二极管
振荡器
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职称材料
InP基共振遂穿二极管研究
2
作者
韩春林
薛舫时
+1 位作者
高建峰
陈辰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期1-3,共3页
在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/c...
在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比为8.6。通过MATLAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。
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关键词
共振
遂
穿
二极管
空气桥
MATLAB
电子束光刻
分子束外延
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职称材料
基于共振隧穿二极管的矢量水声传感器设计
被引量:
6
3
作者
张斌珍
谢斌
+2 位作者
薛晨阳
张文栋
陈尚
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05B期2283-2285,2289,共4页
提出了一种基于共振隧穿二极管(RTD)的矢量水声传感器,传感器采用共振隧穿二极管作为敏感元件,共振隧穿二极管布置在传感器结构中柱体的四周边缘.两个反方向变化的基于共振隧穿二极管的振荡器的输出信号通过信号处理电路预处理后输入微...
提出了一种基于共振隧穿二极管(RTD)的矢量水声传感器,传感器采用共振隧穿二极管作为敏感元件,共振隧穿二极管布置在传感器结构中柱体的四周边缘.两个反方向变化的基于共振隧穿二极管的振荡器的输出信号通过信号处理电路预处理后输入微处理器,计算出声源水平方位角和声压.分析并设计了基于共振隧穿二极管的振荡电路、矢量水声传感器物理结构以及制作工艺,讨论了传感器信号处理方法.
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关键词
共振遂穿二极管振荡器
矢量水声传感器
GaAs微结构
纳机电器件
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职称材料
RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的分析
4
作者
王小丽
牛萍娟
+3 位作者
刘宏伟
郭维廉
毛陆虹
杨广华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期422-425,450,共5页
RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景。详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的工作原理,建立了RTD,HBT及RTD-HBT环形振荡器的等效电路模型,并对RTD-HBT环形振荡器用Pspice模拟...
RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景。详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的工作原理,建立了RTD,HBT及RTD-HBT环形振荡器的等效电路模型,并对RTD-HBT环形振荡器用Pspice模拟软件进行了电路模拟。模拟结果与预期结果一致,有助于指导该电路的设计。
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关键词
共振
隧
穿
二极管
-异质结晶体管
反相器
环形
振荡器
PSPICE软件
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职称材料
RTD振荡特性的模拟与研究
5
作者
王伟
牛萍娟
+3 位作者
郭维廉
于欣
杨广华
李晓云
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期938-942,共5页
为解决共振隧穿二极管(RTD)振荡功率的提高受到稳定性限制的问题,利用高级设计系统(ADS)电路仿真,研究了 RTD 分别与 RLC(电阻、电容、电感)、HEMT(高电子迁移率晶体管)及 HBT(异质结双极晶体管)构成的大信号振荡电路,分析了其负阻、双...
为解决共振隧穿二极管(RTD)振荡功率的提高受到稳定性限制的问题,利用高级设计系统(ADS)电路仿真,研究了 RTD 分别与 RLC(电阻、电容、电感)、HEMT(高电子迁移率晶体管)及 HBT(异质结双极晶体管)构成的大信号振荡电路,分析了其负阻、双稳特性产生振荡的机理,探索了 RTD 的连接器件对 RTD 特性的调制作用。研究表明,振荡电压(或电流)的峰值与谷值之差越大,输出电压(或电流)的振荡幅度就越大,且比单纯增大RTD 结面积来增大输出功率的做法有更好的稳定性,据此有望解决功率受限的问题;RTD连接的器件对 RTD 特性的调制作用与连接方式有关,通过改变连接方式可以扩大 RTD 在射频收发系统中的应用。
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关键词
共振
隧
穿
二极管
(RTD)
振荡器
高级设计系统(ADS)
双稳特性
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职称材料
基于RTD材料结构与参数的RTO设计与模拟
6
作者
李艳辉
毛陆虹
+1 位作者
郭维廉
赵帆
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第4期51-54 59,59,共5页
首先对THz波源的共振隧穿二极管(RTD)设计中的关键问题,即从材料与结构出发,对如何提高RTD的截止频率和输出功率进行了分析研究,并利用Win Green软件,仿真设计出具有高振荡频率和输出功率的RTD。在此基础上,采用RTD的共振隧穿理论和缝...
首先对THz波源的共振隧穿二极管(RTD)设计中的关键问题,即从材料与结构出发,对如何提高RTD的截止频率和输出功率进行了分析研究,并利用Win Green软件,仿真设计出具有高振荡频率和输出功率的RTD。在此基础上,采用RTD的共振隧穿理论和缝隙天线的结构模型,利用PSpice仿真软件构建了包含RTD材料与结构参数以及缝隙天线结构参数在内的完整太赫兹振荡器(RTO)的等效电路模型。振荡频率约为1.02THz,输出功率约为88.2μW,本文工作为今后研究该类器件奠定了基础。
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关键词
共振
隧
穿
二极管
振荡
频率
太赫兹
振荡器
电路模型
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职称材料
题名
InP基共振隧穿二极管太赫兹振荡器的设计与实现
被引量:
3
1
作者
刘军
宋瑞良
刘宁
梁士雄
机构
中国电子科技集团公司第五十四研究所北京研发中心
河北半导体技术研究所专用集成电路国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第2期443-447,共5页
基金
Supported by National Key R&D Program of China(2018YFE0202500)
National Key Research and Development Program of China(2017YFC08219)
+1 种基金
Manned Space Advanced Research Project(060401)
Advanced Research Project of Civil Aerospace Technology(B0105)。
文摘
利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RTD器件直流特性测试显示:峰值电流密度J_(p)为359.2 kA/cm^(2),谷值电流密度J_(v)为135.8 kA/cm^(2),峰谷电流比PVCR为2.64,理论计算得到的器件最大射频输出功率和振荡频率(f_(max))分别为1.71 mW和1.49 THz。利用透镜封装的形式对采用Bow-tie片上天线和RTD设计的太赫兹振荡器进行封装,测试得到振荡频率超过1 THz,输出功率为2.57μW,直流功耗为8.33 mW,是国内首次报道超过1 THz的振荡器。
关键词
太赫兹
共振
隧
穿
二极管
振荡器
Keywords
THz
resonant tunneling diode
oscillator
分类号
O43 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
InP基共振遂穿二极管研究
2
作者
韩春林
薛舫时
高建峰
陈辰
机构
南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期1-3,共3页
基金
国家部委预研基金(9140C1404030705)
文摘
在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比为8.6。通过MATLAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。
关键词
共振
遂
穿
二极管
空气桥
MATLAB
电子束光刻
分子束外延
Keywords
resonant tunneling diode
air bridge
MATLAB
electron beam lithography
MBE
分类号
TN312.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于共振隧穿二极管的矢量水声传感器设计
被引量:
6
3
作者
张斌珍
谢斌
薛晨阳
张文栋
陈尚
机构
北京理工大学机电工程学院
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05B期2283-2285,2289,共4页
基金
国家自然科学基金项目资助(50405025
50375050)
+1 种基金
山西省自然基金资助
博士点基金资助
文摘
提出了一种基于共振隧穿二极管(RTD)的矢量水声传感器,传感器采用共振隧穿二极管作为敏感元件,共振隧穿二极管布置在传感器结构中柱体的四周边缘.两个反方向变化的基于共振隧穿二极管的振荡器的输出信号通过信号处理电路预处理后输入微处理器,计算出声源水平方位角和声压.分析并设计了基于共振隧穿二极管的振荡电路、矢量水声传感器物理结构以及制作工艺,讨论了传感器信号处理方法.
关键词
共振遂穿二极管振荡器
矢量水声传感器
GaAs微结构
纳机电器件
Keywords
RTD oscillator
Vector hydrophone
GaAs microstructure
NEMS
分类号
TB565 [交通运输工程—水声工程]
TN753.92 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的分析
4
作者
王小丽
牛萍娟
刘宏伟
郭维廉
毛陆虹
杨广华
机构
天津工业大学信息与通信工程学院
天津大学电子信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期422-425,450,共5页
基金
国家自然科学基金(NSFC405340300)
天津市应用基础研究重点项目(043800811)
文摘
RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景。详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的工作原理,建立了RTD,HBT及RTD-HBT环形振荡器的等效电路模型,并对RTD-HBT环形振荡器用Pspice模拟软件进行了电路模拟。模拟结果与预期结果一致,有助于指导该电路的设计。
关键词
共振
隧
穿
二极管
-异质结晶体管
反相器
环形
振荡器
PSPICE软件
Keywords
RTD-HBT
inverter
ring oscillator
Pspice software
分类号
TN321 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
RTD振荡特性的模拟与研究
5
作者
王伟
牛萍娟
郭维廉
于欣
杨广华
李晓云
机构
天津工业大学信息与通讯学院
天津大学电子信息工程学院
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期938-942,共5页
基金
国家自然科学基金(60536030)资助项目
文摘
为解决共振隧穿二极管(RTD)振荡功率的提高受到稳定性限制的问题,利用高级设计系统(ADS)电路仿真,研究了 RTD 分别与 RLC(电阻、电容、电感)、HEMT(高电子迁移率晶体管)及 HBT(异质结双极晶体管)构成的大信号振荡电路,分析了其负阻、双稳特性产生振荡的机理,探索了 RTD 的连接器件对 RTD 特性的调制作用。研究表明,振荡电压(或电流)的峰值与谷值之差越大,输出电压(或电流)的振荡幅度就越大,且比单纯增大RTD 结面积来增大输出功率的做法有更好的稳定性,据此有望解决功率受限的问题;RTD连接的器件对 RTD 特性的调制作用与连接方式有关,通过改变连接方式可以扩大 RTD 在射频收发系统中的应用。
关键词
共振
隧
穿
二极管
(RTD)
振荡器
高级设计系统(ADS)
双稳特性
Keywords
resonant tunneling diode (RTD), oscillator, advanced design system (ADS), bistability
分类号
TN311 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于RTD材料结构与参数的RTO设计与模拟
6
作者
李艳辉
毛陆虹
郭维廉
赵帆
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015年第4期51-54 59,59,共5页
文摘
首先对THz波源的共振隧穿二极管(RTD)设计中的关键问题,即从材料与结构出发,对如何提高RTD的截止频率和输出功率进行了分析研究,并利用Win Green软件,仿真设计出具有高振荡频率和输出功率的RTD。在此基础上,采用RTD的共振隧穿理论和缝隙天线的结构模型,利用PSpice仿真软件构建了包含RTD材料与结构参数以及缝隙天线结构参数在内的完整太赫兹振荡器(RTO)的等效电路模型。振荡频率约为1.02THz,输出功率约为88.2μW,本文工作为今后研究该类器件奠定了基础。
关键词
共振
隧
穿
二极管
振荡
频率
太赫兹
振荡器
电路模型
Keywords
resonant tunneling diode(RTD),oscillation frequency,resonant terahertz oscillator(RTO),circuit mode
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP基共振隧穿二极管太赫兹振荡器的设计与实现
刘军
宋瑞良
刘宁
梁士雄
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
3
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职称材料
2
InP基共振遂穿二极管研究
韩春林
薛舫时
高建峰
陈辰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
3
基于共振隧穿二极管的矢量水声传感器设计
张斌珍
谢斌
薛晨阳
张文栋
陈尚
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
6
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职称材料
4
RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的分析
王小丽
牛萍娟
刘宏伟
郭维廉
毛陆虹
杨广华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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职称材料
5
RTD振荡特性的模拟与研究
王伟
牛萍娟
郭维廉
于欣
杨广华
李晓云
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
6
基于RTD材料结构与参数的RTO设计与模拟
李艳辉
毛陆虹
郭维廉
赵帆
《微波学报》
CSCD
北大核心
2015
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职称材料
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