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基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计
被引量：
4
1
作者
丁春宝
张万荣
+7 位作者
金冬月
谢红云
陈亮
沈佩
张东晖
刘波宇
周永强
郭振杰
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期1070-1076,共7页
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准...
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。
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关键词
低噪声
放大器
(LNA)
SiGe异质结双极晶体管(HBT)
电阻反馈
线性度
共射-共基放大器
在线阅读
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职称材料
题名
基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计
被引量：
4
1
作者
丁春宝
张万荣
金冬月
谢红云
陈亮
沈佩
张东晖
刘波宇
周永强
郭振杰
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期1070-1076,共7页
基金
国家自然科学基金（60776051,61006044,61006059）和北京市自然科学基金（4082007,4122014）资助项目.
文摘
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。
关键词
低噪声
放大器
(LNA)
SiGe异质结双极晶体管(HBT)
电阻反馈
线性度
共射-共基放大器
Keywords
low noise amplifier （LNA）, SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT）, resistance feedback, linearity, Cascode
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计
丁春宝
张万荣
金冬月
谢红云
陈亮
沈佩
张东晖
刘波宇
周永强
郭振杰
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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