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基于混合二极管的Sallen-Key低通滤波电路振荡行为研究
1
作者
张轩玮
闵富红
+1 位作者
曹弋
叶彪明
《南京师范大学学报（工程技术版）》
CAS
2024年第2期1-10,共10页
设计一种基于混合二极管的Sallen-Key低通滤波振荡电路,将PN结型二极管与电感、电容串并联组合所构成的混合二极管接入低通滤波电路的输入端,构建一种具有复杂动力学行为的混沌振荡电路.引入不对称系数来模拟实际电路中二极管元件之间...
设计一种基于混合二极管的Sallen-Key低通滤波振荡电路,将PN结型二极管与电感、电容串并联组合所构成的混合二极管接入低通滤波电路的输入端,构建一种具有复杂动力学行为的混沌振荡电路.引入不对称系数来模拟实际电路中二极管元件之间电学特性的偏差,通过特定参数的相轨迹图、分岔图和Lyapunov指数谱对振荡电路的对称、不对称系数下两种振荡状态进行数值分析.实验产生振荡电路中独特的吸引子共存现象,揭示了受电路参数调节的对称、不对称共存分岔、反单调特性等丰富的动力学行为演化过程.最后,基于FPGA技术完成振荡电路的数字电路实验,验证了数值仿真的正确性和物理可实现性.
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关键词
低通滤波振荡电路
混合二极管
共存分岔
反单调特性
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职称材料
非对称忆阻诱导的吸引子非对称演化与机理研究
被引量：
2
2
作者
武花干
周杰
+2 位作者
陈胜垚
陈墨
徐权
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第6期2101-2109,共9页
紧磁滞回线是评测物理器件或数学模型是否为忆阻的关键依据,其对称特性也是忆阻的重要特征之一。该文提出一种有源非对称忆阻二极管桥模拟器,它通过改变二极管桥中并联二极管的数量可实现紧磁滞回线非对称度的控制。首先,验证了该非对...
紧磁滞回线是评测物理器件或数学模型是否为忆阻的关键依据,其对称特性也是忆阻的重要特征之一。该文提出一种有源非对称忆阻二极管桥模拟器,它通过改变二极管桥中并联二极管的数量可实现紧磁滞回线非对称度的控制。首先,验证了该非对称忆阻模拟器的指纹特征,并着重探讨了激励频率和对称度控制参数对紧磁滞回线非对称度的影响。进一步地,将该非对称忆阻模拟器耦合到Sallen-Key高通滤波器,构建了一种无感忆阻蔡氏电路;建立了相应的无量纲系统,并揭示了系统吸引子的非对称演化现象。结合平衡点稳定性分析、分岔分析和多吸引子状态初值空间分布,阐明了吸引子非对称演化的产生机理。结果表明,受非对称忆阻的影响,无感忆阻蔡氏电路的两个不稳定鞍焦点失去平衡,导致了非对称共存分岔、多稳定模态等行为的产生。最后,由硬件电路实验验证了理论分析与数值仿真的正确性。
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关键词
忆阻器
非对称
共存分岔
多稳定模态
硬件实验
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职称材料
题名
基于混合二极管的Sallen-Key低通滤波电路振荡行为研究
1
作者
张轩玮
闵富红
曹弋
叶彪明
机构
南京师范大学南瑞电气与自动化学院
出处
《南京师范大学学报（工程技术版）》
CAS
2024年第2期1-10,共10页
基金
国家自然科学基金项目(61971228)。
文摘
设计一种基于混合二极管的Sallen-Key低通滤波振荡电路,将PN结型二极管与电感、电容串并联组合所构成的混合二极管接入低通滤波电路的输入端,构建一种具有复杂动力学行为的混沌振荡电路.引入不对称系数来模拟实际电路中二极管元件之间电学特性的偏差,通过特定参数的相轨迹图、分岔图和Lyapunov指数谱对振荡电路的对称、不对称系数下两种振荡状态进行数值分析.实验产生振荡电路中独特的吸引子共存现象,揭示了受电路参数调节的对称、不对称共存分岔、反单调特性等丰富的动力学行为演化过程.最后,基于FPGA技术完成振荡电路的数字电路实验,验证了数值仿真的正确性和物理可实现性.
关键词
低通滤波振荡电路
混合二极管
共存分岔
反单调特性
Keywords
low-pass filtering oscillation circuit
hybrid diode
coexistence bifurcation
anti-monotonic characteristics
分类号
O415.5 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
非对称忆阻诱导的吸引子非对称演化与机理研究
被引量：
2
2
作者
武花干
周杰
陈胜垚
陈墨
徐权
机构
常州大学微电子与控制工程学院
南京理工大学电子工程与光电技术学院
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第6期2101-2109,共9页
基金
国家自然科学基金(61801054,51607013)
江苏省研究生创新项目(KYCX20_2550)。
文摘
紧磁滞回线是评测物理器件或数学模型是否为忆阻的关键依据,其对称特性也是忆阻的重要特征之一。该文提出一种有源非对称忆阻二极管桥模拟器,它通过改变二极管桥中并联二极管的数量可实现紧磁滞回线非对称度的控制。首先,验证了该非对称忆阻模拟器的指纹特征,并着重探讨了激励频率和对称度控制参数对紧磁滞回线非对称度的影响。进一步地,将该非对称忆阻模拟器耦合到Sallen-Key高通滤波器,构建了一种无感忆阻蔡氏电路;建立了相应的无量纲系统,并揭示了系统吸引子的非对称演化现象。结合平衡点稳定性分析、分岔分析和多吸引子状态初值空间分布,阐明了吸引子非对称演化的产生机理。结果表明,受非对称忆阻的影响,无感忆阻蔡氏电路的两个不稳定鞍焦点失去平衡,导致了非对称共存分岔、多稳定模态等行为的产生。最后,由硬件电路实验验证了理论分析与数值仿真的正确性。
关键词
忆阻器
非对称
共存分岔
多稳定模态
硬件实验
Keywords
Memristor
Asymmetric coexisting bifurcation
Multi-stable mode
Hardware experiment
分类号
TN713 [电子电信—电路与系统]
TN601 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于混合二极管的Sallen-Key低通滤波电路振荡行为研究
张轩玮
闵富红
曹弋
叶彪明
《南京师范大学学报（工程技术版）》
CAS
2024
0
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职称材料
2
非对称忆阻诱导的吸引子非对称演化与机理研究
武花干
周杰
陈胜垚
陈墨
徐权
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2022
2
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职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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