期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
金属有机化学气相沉积W薄膜
被引量：
3
1
作者
李一
李金普
+3 位作者
贾成厂
柳学全
李发长
李楠
《粉末冶金技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期334-338,共5页
以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究。通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜;研究了沉积速率与上述参数之间的关...
以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究。通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜;研究了沉积速率与上述参数之间的关系,并得出了在本试验条件下应用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备W薄膜的最佳工艺参数:热解温度为320～380℃,载气流量为160～200ml/min。
展开更多
关键词
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
六
羰基
钨
(
w
(CO)
6
)
薄膜
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
金属有机化学气相沉积W薄膜
被引量：
3
1
作者
李一
李金普
贾成厂
柳学全
李发长
李楠
机构
北京科技大学材料科学与工程学院
钢铁研究总院粉末冶金研究室
出处
《粉末冶金技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期334-338,共5页
基金
国家高技术研究发展计划资助项目(2009AA03Z116)
文摘
以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究。通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜;研究了沉积速率与上述参数之间的关系,并得出了在本试验条件下应用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备W薄膜的最佳工艺参数:热解温度为320～380℃,载气流量为160～200ml/min。
关键词
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
六
羰基
钨
(
w
(CO)
6
)
薄膜
Keywords
metal-organic chemical vapor desposition
tungsten carbonyl
films
分类号
TQ628.2 [化学工程—精细化工]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属有机化学气相沉积W薄膜
李一
李金普
贾成厂
柳学全
李发长
李楠
《粉末冶金技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
