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前段结构对全隔离CMOS图像传感器性能的影响分析: 1; 作者王文轩《集成电路应用》 2024年第5期10-12,共3页; 阐述全隔离图像传感器前段不同的金属接触孔结构、多晶硅结构对传感器光学以及电学性能的影响。实验结果表明,在像素隔离区域设置金属接触孔结构,或者同时设置金属接触孔与多晶硅结构,可以提升传感器红外光波段抗串扰能力,并且金属接触... 展开更多; 关键词全隔离cmos图像传感器金属接触孔结构多晶硅结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于粗细量化并行与TDC混合的CMOS图像传感器列级ADC设计方法被引量：2: 2; 作者郭仲杰苏昌勖 +3 位作者许睿明程新齐余宁梅李晨《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期486-499,共14页; 针对传统单斜式模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)和串行两步式ADC在面向大面阵CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器读出过程中的速度瓶颈问题,本文提出了一种用于高速CMOS图像传感器的全并行ADC设计方... 展开更多; 关键词 cmos图像传感器列并行ADC 单斜式ADC 两步式全并行时间数字转换器; 在线阅读下载PDF 职称材料

面向亿级CMOS图像传感器的高速全并行两步式ADC设计方法被引量：4: 3; 作者郭仲杰许睿明 +3 位作者程新齐余宁梅苏昌勖李晨《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期2067-2075,共9页; 针对传统单斜式模数转换器(Analogue-to-Digital Conversion,ADC)和串行两步式ADC在面向大面阵CMOS图像传感器读出过程中的速度瓶颈问题,本文提出了一种用于高速CMOS图像传感器的全并行两步式ADC设计方法,该ADC设计方法基于时间共享和... 展开更多; 关键词 cmos图像传感器列并行ADC 单斜式ADC 两步式全并行; 在线阅读下载PDF 职称材料

佳能推出全新5.7K 60fps全画幅全局快门CMOS传感器: 4; 《影视制作》 2023年第1期96-96,共1页; 佳能发布了一款名为LI5030SA的新传感器,这是一款全画幅CMOS全域快门,能够拍摄最高帧速率为60fps的视频,具有很高的动态范围(未公布具体数据),最大分辨率为5.7K。佳能的新型35mm全画幅CMOS图像传感器是一款全域快门、像素总数在1900万... 展开更多; 关键词 cmos图像传感器帧速率 cmos传感器全画幅动态范围全域快门像素; 在线阅读下载PDF 职称材料

25亿CMOS图像传感器芯片项目开创南京新产业板块: 5; 《中国集成电路》 2016年第1期26-26,共1页; 德科码＂CMOS图像传感器芯片（CIS）产业园＂项目近日正式落户南京开发区。该项目总投资约25亿美元,建成后将填补中国CIS产业的空白,主导中国的CIS市场。; 关键词传感器芯片 cmos图像传感器电荷耦合器件产业板块数字摄像头晶圆厂全产业链拍照功能芯片制造高洁净度; 在线阅读下载PDF 职称材料

业界要闻: 6; 《中国集成电路》 2024年第9期1-12,共12页; 国内新闻晶合集成1.8亿像素全画幅CIS芯片成功试产近期,晶合集成与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅(2.77英寸)CIS(CMOS图像传感器),为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择,推动全画幅CIS进入发展新阶段。据... 展开更多; 关键词 cmos图像传感器 CIS 全画幅国内新闻芯片尺寸拼接技术拼接精度业界要闻; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名前段结构对全隔离CMOS图像传感器性能的影响分析: 1; 作者王文轩; 机构思特威(上海)电子科技股份有限公司; 出处《集成电路应用》 2024年第5期10-12,共3页; 文摘阐述全隔离图像传感器前段不同的金属接触孔结构、多晶硅结构对传感器光学以及电学性能的影响。实验结果表明,在像素隔离区域设置金属接触孔结构,或者同时设置金属接触孔与多晶硅结构,可以提升传感器红外光波段抗串扰能力,并且金属接触孔与多晶硅组合的隔离结构还可以改善传感器电学高温性能。; 关键词全隔离cmos图像传感器金属接触孔结构多晶硅结构; Keywords fully isolated cmos image sensors contact structure poly silicon structure; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于粗细量化并行与TDC混合的CMOS图像传感器列级ADC设计方法被引量：2: 2; 作者郭仲杰苏昌勖许睿明程新齐余宁梅李晨; 机构西安理工大学自动化与信息工程学院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期486-499,共14页; 基金国家自然科学基金(No.62171367) 陕西省创新能力支撑计划项目(No.2022TD-39) 陕西省重点研发计划项目(No.2021GY-060)。; 文摘针对传统单斜式模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)和串行两步式ADC在面向大面阵CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器读出过程中的速度瓶颈问题,本文提出了一种用于高速CMOS图像传感器的全并行ADC设计方法.该方法基于时间共享和时间压缩思想,将细量化时间提前到粗量化时间段内,解决了传统方法的时间冗余问题;同时采用插入式时间差值TDC(Time-to-Digital Converter),实现了全局低频时钟下的快速转换机制.本文基于55-nm 1P4M CMOS工艺对所提方法完成了详细电路设计和全面测试验证,在模拟电压3.3 V,数字电压1.2 V,时钟频率250 MHz,输入电压1.2~2.7 V的情况下,将行时间压缩至825 ns,ADC的微分非线性和积分非线性分别为+0.6/-0.6LSB和+1.6/-1.2LSB,信噪失真比(Signal-to-Noise-and-DistortionRatio,SNDR)为68.271 dB,有效位数(Effective Numbers Of Bits,ENOB)达到11.0489 bit,列不一致性低于0.05%.相比现有的先进ADC,本文提出的方法在保证低功耗、高精度的同时,ADC转换速率提高了87.1%以上,为高速高精度CMOS图像传感器的读出与量化提供了一定的理论支撑.; 关键词 cmos图像传感器列并行ADC 单斜式ADC 两步式全并行时间数字转换器; Keywords cmos image sensors column-parallel ADC single-slope ADC two-step fully parallel TDC; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向亿级CMOS图像传感器的高速全并行两步式ADC设计方法被引量：4: 3; 作者郭仲杰许睿明程新齐余宁梅苏昌勖李晨; 机构西安理工大学自动化与信息工程学院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期2067-2075,共9页; 基金国家自然科学基金(No.62171367) 陕西省重点研发计划(No.2021GY-060) 陕西省创新能力支撑计划(No.2022TD-39)。; 文摘针对传统单斜式模数转换器(Analogue-to-Digital Conversion,ADC)和串行两步式ADC在面向大面阵CMOS图像传感器读出过程中的速度瓶颈问题,本文提出了一种用于高速CMOS图像传感器的全并行两步式ADC设计方法,该ADC设计方法基于时间共享和时间压缩思想,将细量化时间提前到粗量化时间段内,解决了传统方法的时间冗余问题;同时针对两步式结构在采样过程中的电荷注入和时钟馈通问题,提出了一种基于误差同步存储技术的误差校正方法,消除了采样电路非理想因素对ADC性能的影响.本文基于55 nm 1P4M CMOS工艺对所提方法完成了详细电路设计和全面测试验证,在模拟电压为3.3 V,数字电压为1.2 V,时钟频率为250 MHz,输入信号为1.472 V的设计条件下,本文设计实现的13 bit ADC转换时间为512 ns,DNL(Differential NonLinearity)为+0.8/-0.8LSB,INL(Integral NonLinearity)为+2.1/-3.5LSB.信噪失真比(Signal to Noise and Distortion Ratio,SNDR)达到70 dB,有效位数为11.33 bit,列级功耗为47μW.相比现有的先进ADC,本文提出的方法在保证低功耗、高精度的同时,使ADC转换速率提高了74.4%以上,为高速高精度CMOS图像传感器的读出与量化提供了一定的理论支撑.; 关键词 cmos图像传感器列并行ADC 单斜式ADC 两步式全并行; Keywords cmos image sensors column-parallel ADC single-slope ADC two-step fully parallel; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名佳能推出全新5.7K 60fps全画幅全局快门CMOS传感器: 4; 出处《影视制作》 2023年第1期96-96,共1页; 文摘佳能发布了一款名为LI5030SA的新传感器,这是一款全画幅CMOS全域快门,能够拍摄最高帧速率为60fps的视频,具有很高的动态范围(未公布具体数据),最大分辨率为5.7K。佳能的新型35mm全画幅CMOS图像传感器是一款全域快门、像素总数在1900万像素左右、在全像素输出时最高帧速率达58fps的传感器。该传感器适用于广泛的环境和应用。; 关键词 cmos图像传感器帧速率 cmos传感器全画幅动态范围全域快门像素; 分类号 TP3 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名25亿CMOS图像传感器芯片项目开创南京新产业板块: 5; 机构 CSIA; 出处《中国集成电路》 2016年第1期26-26,共1页; 文摘德科码＂CMOS图像传感器芯片（CIS）产业园＂项目近日正式落户南京开发区。该项目总投资约25亿美元,建成后将填补中国CIS产业的空白,主导中国的CIS市场。; 关键词传感器芯片 cmos图像传感器电荷耦合器件产业板块数字摄像头晶圆厂全产业链拍照功能芯片制造高洁净度; 分类号 F426.6 [经济管理—产业经济]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名业界要闻: 6; 出处《中国集成电路》 2024年第9期1-12,共12页; 文摘国内新闻晶合集成1.8亿像素全画幅CIS芯片成功试产近期,晶合集成与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅(2.77英寸)CIS(CMOS图像传感器),为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择,推动全画幅CIS进入发展新阶段。据介绍,晶合集成基于自主研发的55nm工艺平台,携手思特威共同开发光刻拼接技术,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难,成功突破了在单个芯片尺寸上,所能覆盖一个常规掩模的极限,同时确保在nm级的制造工艺中,拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。; 关键词 cmos图像传感器 CIS 全画幅国内新闻芯片尺寸拼接技术拼接精度业界要闻; 分类号 F426.63 [经济管理—产业经济]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	前段结构对全隔离CMOS图像传感器性能的影响分析	王文轩	《集成电路应用》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于粗细量化并行与TDC混合的CMOS图像传感器列级ADC设计方法	郭仲杰苏昌勖许睿明程新齐余宁梅李晨	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	面向亿级CMOS图像传感器的高速全并行两步式ADC设计方法	郭仲杰许睿明程新齐余宁梅苏昌勖李晨	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	佳能推出全新5.7K 60fps全画幅全局快门CMOS传感器		《影视制作》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	25亿CMOS图像传感器芯片项目开创南京新产业板块		《中国集成电路》	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	业界要闻		《中国集成电路》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料