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Si能带的非抛物线性对MOSFET电子输运的影响
被引量：
1
1
作者
李海霞
毛凌锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期235-238,共4页
随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响。研究表明,非抛物线因子对小尺寸器件输运电流的影响...
随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响。研究表明,非抛物线因子对小尺寸器件输运电流的影响大,而对大尺寸器件输运电流的影响不明显,这意味着对于深亚微米MOSFET必须考虑非抛物线因子对器件电子输运的影响。
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关键词
深亚微米金属-氧化物半导体场效应晶体管
非抛物线因子
全能带蒙特卡罗
速度过冲
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职称材料
题名
Si能带的非抛物线性对MOSFET电子输运的影响
被引量：
1
1
作者
李海霞
毛凌锋
机构
苏州大学电子信息学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期235-238,共4页
基金
国家自然科学基金(60606016)
文摘
随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响。研究表明,非抛物线因子对小尺寸器件输运电流的影响大,而对大尺寸器件输运电流的影响不明显,这意味着对于深亚微米MOSFET必须考虑非抛物线因子对器件电子输运的影响。
关键词
深亚微米金属-氧化物半导体场效应晶体管
非抛物线因子
全能带蒙特卡罗
速度过冲
Keywords
sub-micron MOSFET
nonpambolicity rate
full-band Monte Carlo
velocity overshoot
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si能带的非抛物线性对MOSFET电子输运的影响
李海霞
毛凌锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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