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高纯锗探测器全能峰效率的MC模拟 被引量:5
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作者 刘畅 陈凌 +4 位作者 文富平 单健 欧阳红平 李加兴 朱维滔 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2016年第1期1-4,14,共5页
采用MC模拟高纯锗探头对轴向和边侧的点源全能峰效率,与实验测得的全能峰效率相比较发现二者存在较大的偏差。本工作通过不断调节晶体的半径、厚度和锗晶体外层铜支架厚度,获得了模拟计算的准确尺寸。结果表明:使用调整后的尺寸模拟计... 采用MC模拟高纯锗探头对轴向和边侧的点源全能峰效率,与实验测得的全能峰效率相比较发现二者存在较大的偏差。本工作通过不断调节晶体的半径、厚度和锗晶体外层铜支架厚度,获得了模拟计算的准确尺寸。结果表明:使用调整后的尺寸模拟计算的全能峰效率与实验效率在轴向方向的偏差在±5%以内,边侧方向在±6%以内,获得了较为准确的高纯锗探头物理模型。 展开更多
关键词 MC模拟 高纯锗探测 全能峰探测效率
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高纯锗探测器探测效率的MCNP模拟 被引量:18
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作者 张建芳 赵广义 +3 位作者 王玉德 王明勇 马玉刚 张慧 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期843-846,共4页
利用同轴型高纯锗(HPGe)探测器测量152Eu和133Ba在15cm处的探测效率,调节探测器死层厚度和冷指尺寸,利用Monte Carlo方法对同轴型HPGe探测器的全能峰效率进行模拟计算,并将计算效率与实验效率进行比较.结果表明,当HPGe探测器的死层厚度... 利用同轴型高纯锗(HPGe)探测器测量152Eu和133Ba在15cm处的探测效率,调节探测器死层厚度和冷指尺寸,利用Monte Carlo方法对同轴型HPGe探测器的全能峰效率进行模拟计算,并将计算效率与实验效率进行比较.结果表明,当HPGe探测器的死层厚度为0.22cm,冷指半径和长度分别为0.301cm和1.00cm时,模拟效率与实验效率相符。 展开更多
关键词 高纯锗探测 全能峰探测效率 MONTE CARLO方法 死层厚度 冷指尺寸
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