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轨道交通碳化硅器件研究进展
被引量：
2
1
作者
李诚瞻
周才能
+2 位作者
秦光远
宋瓘
陈喜明
《电子与封装》
2022年第6期13-26,共14页
随着轨道交通硅基功率器件性能逐渐逼近理论极限,碳化硅功率器件成为重点研究方向,以满足轨道交通系统对高功率密度、低损耗和高可靠性等要求。综述了轨道交通领域碳化硅MOSFET和SBD的芯片、混合碳化硅模块和全碳化硅模块的发展概况,并...
随着轨道交通硅基功率器件性能逐渐逼近理论极限,碳化硅功率器件成为重点研究方向,以满足轨道交通系统对高功率密度、低损耗和高可靠性等要求。综述了轨道交通领域碳化硅MOSFET和SBD的芯片、混合碳化硅模块和全碳化硅模块的发展概况,并展望了碳化硅芯片和模块的技术发展趋势。介绍了碳化硅MOSFET芯片向沟槽栅、集成SBD和提升可靠性和迁移率等方向发展的趋势。全碳化硅器件、低杂散电感结构、低热阻基板和高可靠性烧结层的研究对碳化硅模块的发展至关重要。
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关键词
轨道交通
碳化硅
MOSFET
全碳化硅模块
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职称材料
题名
轨道交通碳化硅器件研究进展
被引量：
2
1
作者
李诚瞻
周才能
秦光远
宋瓘
陈喜明
机构
株洲中车时代半导体有限公司
新型功率半导体器件国家重点实验室
出处
《电子与封装》
2022年第6期13-26,共14页
文摘
随着轨道交通硅基功率器件性能逐渐逼近理论极限,碳化硅功率器件成为重点研究方向,以满足轨道交通系统对高功率密度、低损耗和高可靠性等要求。综述了轨道交通领域碳化硅MOSFET和SBD的芯片、混合碳化硅模块和全碳化硅模块的发展概况,并展望了碳化硅芯片和模块的技术发展趋势。介绍了碳化硅MOSFET芯片向沟槽栅、集成SBD和提升可靠性和迁移率等方向发展的趋势。全碳化硅器件、低杂散电感结构、低热阻基板和高可靠性烧结层的研究对碳化硅模块的发展至关重要。
关键词
轨道交通
碳化硅
MOSFET
全碳化硅模块
Keywords
railway traction
SiC
MOSFET
full-SiC modules
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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被引量
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1
轨道交通碳化硅器件研究进展
李诚瞻
周才能
秦光远
宋瓘
陈喜明
《电子与封装》
2022
2
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