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Cu12Sb4S13量子点的光照增强阻变性能
1
作者
王志青
陈彬彬
+4 位作者
沈杰
陈文
刘曰利
龚少康
周静
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第8期1908-1916,共9页
采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12Sb4S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.4...
采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12Sb4S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.42 V的低工作电压和105的高阻变开关比,并表现出优异的数据保持性和耐久性.在持续工作1.4×106s和经过104次快速读取后,器件阻变性能变化率小于0.1%.在光照和电场共同作用下,S2-导电通道的形成与破坏和FTO/CAS QDs界面肖特基势垒高度的调制是FTO/CAS QDs/Au在高阻态与低阻态之间转变的原因.
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关键词
光照
全无机cu12sb4s13量子点
阻变性能
阻变存储器
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职称材料
题名
Cu12Sb4S13量子点的光照增强阻变性能
1
作者
王志青
陈彬彬
沈杰
陈文
刘曰利
龚少康
周静
机构
武汉理工大学材料科学与工程学院
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第8期1908-1916,共9页
基金
国家自然科学基金(批准号:51572205,11674258,51802093)
教育部装备预研联合基金(批准号:6141A02022262)
武汉理工大学研究生优秀学位论文培育项目(批准号:2018-YS-001)资助。
文摘
采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12Sb4S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.42 V的低工作电压和105的高阻变开关比,并表现出优异的数据保持性和耐久性.在持续工作1.4×106s和经过104次快速读取后,器件阻变性能变化率小于0.1%.在光照和电场共同作用下,S2-导电通道的形成与破坏和FTO/CAS QDs界面肖特基势垒高度的调制是FTO/CAS QDs/Au在高阻态与低阻态之间转变的原因.
关键词
光照
全无机cu12sb4s13量子点
阻变性能
阻变存储器
Keywords
Light irradiation
All inorganic
cu
12
sb
4
s
13
quantum dot
Re
s
i
s
tive
s
witching characteri
s
tic
s
Re
s
i
s
tive random-acce
s
s
memory(RRAM)device
分类号
O614 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cu12Sb4S13量子点的光照增强阻变性能
王志青
陈彬彬
沈杰
陈文
刘曰利
龚少康
周静
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
0
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