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题名全无机卤化物钙钛矿薄膜外延生长研究进展
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作者
单衍苏
李兴牧
王霞
吴德华
曹丙强
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机构
济南大学材料科学与工程学院
济南大学物理科学与技术学院
山东浪潮华光光电子股份有限公司
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出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第7期1208-1220,共13页
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基金
国家重点研究发展计划(2022YFC3700801)
山东省重点研发计划(2024CXGC010302)
济南市教育局(JNSX-2023015)。
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文摘
全无机卤化物钙钛矿作为一种具有可调节带隙的半导体材料,其热稳定性和光稳定性优于有机-无机杂化钙钛矿,近年来已在太阳能电池、紫外-可见光探测器、发光二极管等领域引发广泛关注,有望成为推动高性能光电器件产业化的关键材料。外延生长技术通过构建晶格匹配的异质界面可生长高质量的晶体薄膜,结合应变工程可对薄膜材料光电性能精准调控,已成为半导体器件制造领域的核心技术路径。随着全无机卤化物钙钛矿材料向商业光电子器件领域的拓展,精准调控薄膜结晶质量、降低缺陷态密度及优化界面特性成为该领域的关键技术瓶颈问题。本综述阐述了卤化物钙钛矿的材料结构及外延生长的基本原理,按照制备方法和衬底晶格匹配程度,分类讨论了全无机卤化物钙钛矿薄膜的外延生长工作。最后,展望了钙钛矿外延的未来方向,希望通过原位生长监测、精确的界面结构表征和规模化制造,进一步提高全无机卤化物钙钛矿的器件性能和应用。
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关键词
全无机卤化物钙钛矿
半导体
薄膜质量
外延生长
光电器件
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Keywords
all-inorganic halide perovskite
semiconductor
thin-film quality
epitaxial growth
optoelectronic device
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分类号
O484
[理学—固体物理]
TB383.2
[一般工业技术—材料科学与工程]
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