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全无机卤化物钙钛矿薄膜外延生长研究进展
1
作者
单衍苏
李兴牧
+2 位作者
王霞
吴德华
曹丙强
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第7期1208-1220,共13页
全无机卤化物钙钛矿作为一种具有可调节带隙的半导体材料,其热稳定性和光稳定性优于有机-无机杂化钙钛矿,近年来已在太阳能电池、紫外-可见光探测器、发光二极管等领域引发广泛关注,有望成为推动高性能光电器件产业化的关键材料。外延...
全无机卤化物钙钛矿作为一种具有可调节带隙的半导体材料,其热稳定性和光稳定性优于有机-无机杂化钙钛矿,近年来已在太阳能电池、紫外-可见光探测器、发光二极管等领域引发广泛关注,有望成为推动高性能光电器件产业化的关键材料。外延生长技术通过构建晶格匹配的异质界面可生长高质量的晶体薄膜,结合应变工程可对薄膜材料光电性能精准调控,已成为半导体器件制造领域的核心技术路径。随着全无机卤化物钙钛矿材料向商业光电子器件领域的拓展,精准调控薄膜结晶质量、降低缺陷态密度及优化界面特性成为该领域的关键技术瓶颈问题。本综述阐述了卤化物钙钛矿的材料结构及外延生长的基本原理,按照制备方法和衬底晶格匹配程度,分类讨论了全无机卤化物钙钛矿薄膜的外延生长工作。最后,展望了钙钛矿外延的未来方向,希望通过原位生长监测、精确的界面结构表征和规模化制造,进一步提高全无机卤化物钙钛矿的器件性能和应用。
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关键词
全无机卤化物
钙钛矿
半导体
薄膜质量
外延生长
光电器件
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职称材料
大尺寸CsPbBr_(3)晶体的熔体法生长研究进展
2
作者
唐嘉
孙志成
+1 位作者
张祖邦
罗辉
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第1期1-10,共10页
由于出色的高能射线解析能力和优秀的环境适应性,全无机卤化物CsPbBr_(3)吸引了众多研究者的关注。然而由于结构相变和热应力的存在,大尺寸CsPbBr_(3)晶体生长过程中容易产生应力,从而导致晶体表面出现裂纹、亚晶界或孪晶等缺陷,严重影...
由于出色的高能射线解析能力和优秀的环境适应性,全无机卤化物CsPbBr_(3)吸引了众多研究者的关注。然而由于结构相变和热应力的存在,大尺寸CsPbBr_(3)晶体生长过程中容易产生应力,从而导致晶体表面出现裂纹、亚晶界或孪晶等缺陷,严重影响其性能。目前大尺寸高质量CsPbBr_(3)晶体仍然无法通过有效的手段进行批量化生产,因此开展大尺寸CsPbBr_(3)晶体的生长与性能研究具有重大理论意义和实际价值。本文简要综述了CsPbBr_(3)晶体的基本性质、制备方法及研究进展,主要讨论了垂直布里奇曼法生长CsPbBr_(3)晶体的影响因素,并对高质量CsPbBr_(3)晶体的生长提出了新的思路。
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关键词
CsPbBr_(3)
熔体法
全无机卤化物
区域熔炼
辐射探测
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职称材料
题名
全无机卤化物钙钛矿薄膜外延生长研究进展
1
作者
单衍苏
李兴牧
王霞
吴德华
曹丙强
机构
济南大学材料科学与工程学院
济南大学物理科学与技术学院
山东浪潮华光光电子股份有限公司
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第7期1208-1220,共13页
基金
国家重点研究发展计划(2022YFC3700801)
山东省重点研发计划(2024CXGC010302)
济南市教育局(JNSX-2023015)。
文摘
全无机卤化物钙钛矿作为一种具有可调节带隙的半导体材料,其热稳定性和光稳定性优于有机-无机杂化钙钛矿,近年来已在太阳能电池、紫外-可见光探测器、发光二极管等领域引发广泛关注,有望成为推动高性能光电器件产业化的关键材料。外延生长技术通过构建晶格匹配的异质界面可生长高质量的晶体薄膜,结合应变工程可对薄膜材料光电性能精准调控,已成为半导体器件制造领域的核心技术路径。随着全无机卤化物钙钛矿材料向商业光电子器件领域的拓展,精准调控薄膜结晶质量、降低缺陷态密度及优化界面特性成为该领域的关键技术瓶颈问题。本综述阐述了卤化物钙钛矿的材料结构及外延生长的基本原理,按照制备方法和衬底晶格匹配程度,分类讨论了全无机卤化物钙钛矿薄膜的外延生长工作。最后,展望了钙钛矿外延的未来方向,希望通过原位生长监测、精确的界面结构表征和规模化制造,进一步提高全无机卤化物钙钛矿的器件性能和应用。
关键词
全无机卤化物
钙钛矿
半导体
薄膜质量
外延生长
光电器件
Keywords
all-inorganic halide perovskite
semiconductor
thin-film quality
epitaxial growth
optoelectronic device
分类号
O484 [理学—固体物理]
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
大尺寸CsPbBr_(3)晶体的熔体法生长研究进展
2
作者
唐嘉
孙志成
张祖邦
罗辉
机构
西南技术物理研究所
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第1期1-10,共10页
文摘
由于出色的高能射线解析能力和优秀的环境适应性,全无机卤化物CsPbBr_(3)吸引了众多研究者的关注。然而由于结构相变和热应力的存在,大尺寸CsPbBr_(3)晶体生长过程中容易产生应力,从而导致晶体表面出现裂纹、亚晶界或孪晶等缺陷,严重影响其性能。目前大尺寸高质量CsPbBr_(3)晶体仍然无法通过有效的手段进行批量化生产,因此开展大尺寸CsPbBr_(3)晶体的生长与性能研究具有重大理论意义和实际价值。本文简要综述了CsPbBr_(3)晶体的基本性质、制备方法及研究进展,主要讨论了垂直布里奇曼法生长CsPbBr_(3)晶体的影响因素,并对高质量CsPbBr_(3)晶体的生长提出了新的思路。
关键词
CsPbBr_(3)
熔体法
全无机卤化物
区域熔炼
辐射探测
Keywords
CsPbBr_(3)
melt method
all-inorganic halide
zone melting
radiation detection
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
全无机卤化物钙钛矿薄膜外延生长研究进展
单衍苏
李兴牧
王霞
吴德华
曹丙强
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
在线阅读
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职称材料
2
大尺寸CsPbBr_(3)晶体的熔体法生长研究进展
唐嘉
孙志成
张祖邦
罗辉
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
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