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2Cr13钢的全方位离子注入与离子束增强沉积复合表面强化处理 被引量:8
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作者 刘洪喜 汤宝寅 +3 位作者 王浪平 王小峰 王宇航 于永澔 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2005年第2期32-37,共6页
对2Cr13不锈钢表面进行了等离子体浸没离子注入(PIII)与离子束增强沉积(IBED)复合强化处理.对强化后的试样进行了俄歇电子能谱(AES)、X光电子能谱(XPS)分析及显微硬度、摩擦磨损和耐腐蚀性能测试.结果表明,处理后的试样表面层中含有强化... 对2Cr13不锈钢表面进行了等离子体浸没离子注入(PIII)与离子束增强沉积(IBED)复合强化处理.对强化后的试样进行了俄歇电子能谱(AES)、X光电子能谱(XPS)分析及显微硬度、摩擦磨损和耐腐蚀性能测试.结果表明,处理后的试样表面层中含有强化相TiN和CrN;与基体相比,被处理试样的显微硬度显著增大,最大增幅达80.4%;摩擦系数降至0.2~0.3,磨痕宽度最大减少了近4倍;腐蚀电位最大提高了5倍,腐蚀电流密度减少了26倍.磨损中粘着现象大大减轻,耐磨耐蚀性能得到了显著改善. 展开更多
关键词 全方位离子注入 表面强化 显微硬度 离子体浸没离子注入 耐磨耐蚀性 强化相 试样 耐腐蚀性能 基体 X光电子能谱
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窄脉冲保形全方位离子注入技术 被引量:2
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作者 汤宝寅 王浪平 +3 位作者 曾照明 王小峰 甘孔银 于永澔 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2004年第1期10-15,共6页
叙述了全方位离子注入过程中,由于被处理零件与其周围离子鞘层之间厚度的增加,引起零件与鞘层之间保形性变差,导致零件表面注入剂量不均匀性;文中系统分析了注入电压、等离子体密度、脉冲宽度和脉冲频率等处理工艺参数对注入剂量不均匀... 叙述了全方位离子注入过程中,由于被处理零件与其周围离子鞘层之间厚度的增加,引起零件与鞘层之间保形性变差,导致零件表面注入剂量不均匀性;文中系统分析了注入电压、等离子体密度、脉冲宽度和脉冲频率等处理工艺参数对注入剂量不均匀性的影响,用鞘层动力学计算机数值模拟方法从理论上研究了轴承内外圈处理中工艺参数对注入剂量不均匀性的影响,并用实验方法进行了测量验证,理论研究和试验测量结果的一致性,说明所提出的窄脉冲保形全方位离子注入技术完全适用于复杂形状零件表面均匀强化处理。 展开更多
关键词 离子体浸没离子注入 全方位离子注入 注入剂量不均匀性 保形性
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用于全方位离子注入的10kV固体脉冲调制器研制 被引量:1
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作者 甘孔银 汤宝寅 +3 位作者 王浪平 王小峰 王松雁 武洪臣 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2003年第4期34-38,共5页
采用IGBT串联技术研制成功了用于全方位离子注入的10 kV固体脉冲调制器。试验表明:该固体脉冲调制器在纯阻性负载时最高输出电压为14 kV,最高输出脉冲电流为20 A,输出脉冲宽度可在2 ms和112 ms之间以1 ms步长变化、脉冲重复频率范围为1 ... 采用IGBT串联技术研制成功了用于全方位离子注入的10 kV固体脉冲调制器。试验表明:该固体脉冲调制器在纯阻性负载时最高输出电压为14 kV,最高输出脉冲电流为20 A,输出脉冲宽度可在2 ms和112 ms之间以1 ms步长变化、脉冲重复频率范围为1 Hz^4 kHz,短时间可以工作到8.6 kHz。但在等离子体负载时,由于输入电容的影响,下降时间比较长。 展开更多
关键词 全方位离子注入 固体脉冲调制器 IGBT串联
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高能束流加工技术:全方位离子注入与沉积技术及其在航空领域的应用探讨 被引量:2
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作者 王浪平 王小峰 汤宝寅 《航空制造技术》 2010年第16期38-43,共6页
作为先进制造技术发展的前沿领域,高能束流加工技术以其独特的技术优势,受到越来越多的重视。随着航空工业的快速发展和各种新结构、新材料的应用。
关键词 高能束流加工技术 沉积技术 全方位离子注入 应用 航空领域 先进制造技术 航空工业 航空航天
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[例48]全方位离子注入与沉积在航天精密运动部件表面强化中的应用
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作者 王浪平 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期F0002-F0002,共1页
在火箭、卫星等研制中,渗氮、喷涂等表面强化方法很容易导致零件尺寸变差,因此必须在精密部件表面制备出高尺寸精度和高性能的强化层。而传统表面强化技术难以同时满足这两个要求。
关键词 表面强化技术 运动部件 全方位离子注入 应用 航天 沉积 零件尺寸 强化方法
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适用于全方位离子注入过程的脉冲调制器上升沿参数设计的研究
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作者 汤宝寅 甘孔银 +4 位作者 于永澔 王浪平 王小峰 刘洪喜 王松雁 《航空制造技术》 北大核心 2004年第z1期259-265,共7页
本课题建立了两种物理模型来描述理想脉冲情况下等离子体中的电子运动,并建立了电子运动方程.在无限长平面靶情况下首次得到了电子运动方程的解析解,提出了理想上升沿判据.通过对保形全方位离子注入的处理工艺参数的研究,获得了各个工... 本课题建立了两种物理模型来描述理想脉冲情况下等离子体中的电子运动,并建立了电子运动方程.在无限长平面靶情况下首次得到了电子运动方程的解析解,提出了理想上升沿判据.通过对保形全方位离子注入的处理工艺参数的研究,获得了各个工艺参数之间的定标关系.研究结果表明,在相同的注入脉冲宽度情况下,增加等离子体密度和离子质量都能够获得更均匀的注入分布.注入波形的上升沿对注入离子能量分布造成的影响完全可以通过提高等离子体的密度和改变离子质量来消除.因此在设计调制器时追求过陡的上升沿意义不大,从技术难度和成本效益比上看,上升沿在1~2μs之间即可满足全方位离子注入过程对电源的要求. 展开更多
关键词 保形全方位离子注入 高压脉冲调制器上升沿
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