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含负折射率材料一维光子晶体的全方位带隙和缺陷模
被引量：
36
1
作者
尚廷义
郑义
+2 位作者
张会云
张玉萍
姚建铨
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期663-666,共4页
运用光学传输矩阵理论,研究了含负折射率材料一维二元光子晶体的禁带特性和局域模特性,发现了一种新型全方位光子带隙.与传统的Bragg带隙相比,这种新型全方位光子带隙的中心频率和带宽对入射角的变化不敏感.讨论了引入缺陷层后,入射角...
运用光学传输矩阵理论,研究了含负折射率材料一维二元光子晶体的禁带特性和局域模特性,发现了一种新型全方位光子带隙.与传统的Bragg带隙相比,这种新型全方位光子带隙的中心频率和带宽对入射角的变化不敏感.讨论了引入缺陷层后,入射角变化和各层介质厚度做一定比例的缩放时对缺陷模位置的影响.这种特性在具有固定带宽的全方位反射器和微波技术中全方位或大入射角滤波器方面有重要的应用价值.
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关键词
光子
晶体
传输矩阵
负折射率
全方位光子带隙
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职称材料
含负磁导率或双负材料的一维光子晶体的全方位带隙中波的反射相位特性
被引量：
1
2
作者
林密
欧阳征标
徐军
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期1946-1952,共7页
运用传输矩阵法研究了含负磁导率或双负材料的一维光子晶体结构在全方位光子禁带中波的反射相位谱.研究发现"负磁导率材料-正折射率材料"光子晶体和"双负材料-正折射率材料"光子晶体,在所述带隙中,对TE波而言,反射...
运用传输矩阵法研究了含负磁导率或双负材料的一维光子晶体结构在全方位光子禁带中波的反射相位谱.研究发现"负磁导率材料-正折射率材料"光子晶体和"双负材料-正折射率材料"光子晶体,在所述带隙中,对TE波而言,反射相位随入射角的增大而增大;对TM波而言,禁带频率范围内波的反射相位随入射角的增大而减小;TE波和TM波,两种结构的反射位相均随介质层的厚度缩放因子增大而增大,且都与周期数无关.
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关键词
光子
晶体
传输矩阵
负磁导率材料
双负材料
全方位光子带隙
反射相位
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职称材料
含负折射率材料的1维光子晶体掺杂缺陷模研究
被引量：
1
3
作者
苑秋红
谢康
韩艳芬
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期232-235,共4页
为了研究含有负折射率材料的光子晶体掺杂缺陷模的光学传输特性,利用传输矩阵理论进行数值分析。采用插入和替代两种方式对排列整齐的光子晶体进行掺杂,产生了缺陷模式。结果表明,引入正折射率缺陷只能在布喇格带隙中产生缺陷模,引入负...
为了研究含有负折射率材料的光子晶体掺杂缺陷模的光学传输特性,利用传输矩阵理论进行数值分析。采用插入和替代两种方式对排列整齐的光子晶体进行掺杂,产生了缺陷模式。结果表明,引入正折射率缺陷只能在布喇格带隙中产生缺陷模,引入负折射缺陷能够同时在全方位光子带隙和布喇格带隙中产生缺陷模。同时研究了掺杂方式、入射方向、缺陷厚度、缺陷位置、缺陷类型对缺陷模式的影响,并对含有两层缺陷的光子晶体进行研究,得到两缺陷层的距离与带隙产生的关系,即距离越近越容易产生缺陷模式,且缺陷模的深度越深。这对于制造新型的全方位滤波器是有指导作用的。
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关键词
光学器件
负折射率
传输矩阵
光子
晶体
缺陷模式
全方位光子带隙
布喇格
带
隙
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职称材料
题名
含负折射率材料一维光子晶体的全方位带隙和缺陷模
被引量：
36
1
作者
尚廷义
郑义
张会云
张玉萍
姚建铨
机构
郑州大学激光与光电信息技术重点实验室
天津大学精仪学院激光与光电子研究所
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期663-666,共4页
基金
国家自然科学基金(60478021)
河南省高校创新人才培养对象基金
河南省院士科研启动基金资助
文摘
运用光学传输矩阵理论,研究了含负折射率材料一维二元光子晶体的禁带特性和局域模特性,发现了一种新型全方位光子带隙.与传统的Bragg带隙相比,这种新型全方位光子带隙的中心频率和带宽对入射角的变化不敏感.讨论了引入缺陷层后,入射角变化和各层介质厚度做一定比例的缩放时对缺陷模位置的影响.这种特性在具有固定带宽的全方位反射器和微波技术中全方位或大入射角滤波器方面有重要的应用价值.
关键词
光子
晶体
传输矩阵
负折射率
全方位光子带隙
Keywords
Photonic crystal
Transfer matrix
Negative refractive index
Omnidirectional gap
分类号
O43 [机械工程—光学工程]
TN2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
含负磁导率或双负材料的一维光子晶体的全方位带隙中波的反射相位特性
被引量：
1
2
作者
林密
欧阳征标
徐军
机构
电子科技大学物理电子学院
深圳大学电子科学与技术学院太赫兹技术研究中心
深圳大学深圳市微纳光子信息技术重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期1946-1952,共7页
基金
国家自然科学基金(60877034)
广东省自然科学基金重点项目(8251806001000004)
+1 种基金
深圳市科技计划项目
深圳市微纳光子信息技术重点实验室开放项目资助
文摘
运用传输矩阵法研究了含负磁导率或双负材料的一维光子晶体结构在全方位光子禁带中波的反射相位谱.研究发现"负磁导率材料-正折射率材料"光子晶体和"双负材料-正折射率材料"光子晶体,在所述带隙中,对TE波而言,反射相位随入射角的增大而增大;对TM波而言,禁带频率范围内波的反射相位随入射角的增大而减小;TE波和TM波,两种结构的反射位相均随介质层的厚度缩放因子增大而增大,且都与周期数无关.
关键词
光子
晶体
传输矩阵
负磁导率材料
双负材料
全方位光子带隙
反射相位
Keywords
Photonic crystal Transfer matrix Mu-negative materials Double-negative materials Omni-directional gap Reflection phasephase
分类号
O73 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
含负折射率材料的1维光子晶体掺杂缺陷模研究
被引量：
1
3
作者
苑秋红
谢康
韩艳芬
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期232-235,共4页
基金
国家杰出青年基金资助项目(60588502)
国家自然科学基金资助项目(60607005)
文摘
为了研究含有负折射率材料的光子晶体掺杂缺陷模的光学传输特性,利用传输矩阵理论进行数值分析。采用插入和替代两种方式对排列整齐的光子晶体进行掺杂,产生了缺陷模式。结果表明,引入正折射率缺陷只能在布喇格带隙中产生缺陷模,引入负折射缺陷能够同时在全方位光子带隙和布喇格带隙中产生缺陷模。同时研究了掺杂方式、入射方向、缺陷厚度、缺陷位置、缺陷类型对缺陷模式的影响,并对含有两层缺陷的光子晶体进行研究,得到两缺陷层的距离与带隙产生的关系,即距离越近越容易产生缺陷模式,且缺陷模的深度越深。这对于制造新型的全方位滤波器是有指导作用的。
关键词
光学器件
负折射率
传输矩阵
光子
晶体
缺陷模式
全方位光子带隙
布喇格
带
隙
Keywords
optical devices
negative index
transmission matrix
photonic crystals
defect mode
omni-directional gap
Bragg gap
分类号
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
含负折射率材料一维光子晶体的全方位带隙和缺陷模
尚廷义
郑义
张会云
张玉萍
姚建铨
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
36
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
含负磁导率或双负材料的一维光子晶体的全方位带隙中波的反射相位特性
林密
欧阳征标
徐军
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
含负折射率材料的1维光子晶体掺杂缺陷模研究
苑秋红
谢康
韩艳芬
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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