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新型电力电子器件及其进展 被引量：1
1
作者 王彩琳 高勇 《集成电路应用》 2003年第11期41-47,共7页
本文重点介绍了几种新型的硅(如COOLMOS、IGBT、IEGT、MCT、GTO、IGCT、PIC)和碳化硅器件(如SiC-功率MOSFET、SiC-Bi-MOSFET和SiC-GTO)。分析了这些器件的结构特点、工作原理,给出了这些新器件的发展动态、未来发展趋势及其进一步发展... 本文重点介绍了几种新型的硅(如COOLMOS、IGBT、IEGT、MCT、GTO、IGCT、PIC)和碳化硅器件(如SiC-功率MOSFET、SiC-Bi-MOSFET和SiC-GTO)。分析了这些器件的结构特点、工作原理,给出了这些新器件的发展动态、未来发展趋势及其进一步发展的主要技术障碍。 展开更多
关键词 电力电子器件 COOLMOS IGBT IEGT MCT gto 功率MOSFET SiC—gto 工作原理
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基于GTO的静止无功补偿装置研究 被引量：1
2
作者 王易平 《现代电子技术》 2010年第11期160-163,共4页
基于大功率全控型电力电子器件GTO的静止无功补偿装置具有自关断特性,在以DSP控制技术的支持下,通过实时检测电网无功功率的变化,自动发出GTO通/断控制脉冲,快速投切电容器,实现对供电线路无功功率的跟踪调节。该装置比普通晶闸管补偿装... 基于大功率全控型电力电子器件GTO的静止无功补偿装置具有自关断特性,在以DSP控制技术的支持下,通过实时检测电网无功功率的变化,自动发出GTO通/断控制脉冲,快速投切电容器,实现对供电线路无功功率的跟踪调节。该装置比普通晶闸管补偿装置(TSC)的可靠性高。在实现三相共补与分相补偿时,具有响应速度快、控制简单、噪音和损耗小、可靠性高、结构简练等优点。 展开更多
关键词 全控型电力电子器件gto DSP 功率因数 静止无功补偿装置
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