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基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的10 GS/s、3 bit模数转换器 被引量:2
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作者 张翼 沈宇 +3 位作者 李晓鹏 杨磊 刘中华 郭宇锋 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 北大核心 2019年第5期26-33,共8页
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽。设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码... 基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽。设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码率,提高工作速度。电路仿真结果表明,当时钟采样率为10 GS/s时,ADC电路的微分非线性和积分非线性均小于0.2 LSB。该ADC电路在输入信号频率低于10 MHz时的有效位数大于2.8位,在输入信号频率为1 GHz时的有效位数大于2.5位。在-5 V和-3.3 V供电电压下,电路的总功耗为1.6 W,芯片面积为1.0 mm×1.2 mm。 展开更多
关键词 全并行模数转换器 SIGE BICMOS工艺 差分编码电路 超高速
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10bit 100MS/s混合型模数转换器 被引量:2
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作者 张章 余文成 解光军 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期80-85,116,共7页
为了提高模数转换器的性能,将全并行模数转换器和逐次逼近型模数转换器相结合,设计了一种混合型模数转换器.为了进一步降低混合型模数转换器的功耗,提出了一种高位电容跳过与复用的开关策略.理论分析表明,相对于合并电容开关策略,提出... 为了提高模数转换器的性能,将全并行模数转换器和逐次逼近型模数转换器相结合,设计了一种混合型模数转换器.为了进一步降低混合型模数转换器的功耗,提出了一种高位电容跳过与复用的开关策略.理论分析表明,相对于合并电容开关策略,提出的开关策略使电容阵列所需的电容总数减少了一半,电平切换功耗降低了81.22%.最后,基于中芯国际0.18μm工艺,对混合型模数转换器进行仿真.当采样频率为100MS/s、输入频率为48.144 531 25MHz的正弦波信号时,输出信号的无杂散波动态范围为75.879dB,有效位数为9.902bit,功耗为2.41mW,品质因数为25.19fJ/conversion-step.仿真结果表明,这种混合型模数转换器利用提出的开关策略能在功耗、速率和面积上实现很好的折中. 展开更多
关键词 全并行模数转换器 逐次逼近型模数转换器 开关切换策略 高位电容跳过与复用
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