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考虑器件工作温度影响的Si C功率MOSFET建模
被引量：
8
1
作者
滕咏哮
高强
+1 位作者
张乾
徐殿国
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第3期932-941,共10页
提出一种基于MATLAB/Simulink的SiC功率MOSFET全工作区变温度参数建模方法。在Si基横向双扩散MOSFET模型的基础上,采用与温度相关的电流源和电压源补偿器件漏极电流和阈值电压的变化。通过补充实验拓展SiC功率MOSFET的饱和区工作特性曲...
提出一种基于MATLAB/Simulink的SiC功率MOSFET全工作区变温度参数建模方法。在Si基横向双扩散MOSFET模型的基础上,采用与温度相关的电流源和电压源补偿器件漏极电流和阈值电压的变化。通过补充实验拓展SiC功率MOSFET的饱和区工作特性曲线,并根据Si C功率MOSFET的工作特性,采用数学拟合的方法来提取模型参数。在保留各个参数物理意义的同时,摆脱建模过程对物理参数的依赖。在不同电压、电流及温度(25~200℃)的情况下对器件的输出特性、转移特性、阈值电压、导通电阻及开关损耗进行测试,将测试结果与MATLAB/Simulink模型仿真结果进行性比较。模型仿真结果与实际测试结果一致,开关损耗误差在7%之内,验证了模型的准确性及有效性,为实际应用Si C功率MOSFET时系统性能及损耗分析提供参考依据。
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关键词
SiC功率MOSFET
全工作区域
变温度参数模型
MATLAB/Simulink模型
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职称材料
题名
考虑器件工作温度影响的Si C功率MOSFET建模
被引量：
8
1
作者
滕咏哮
高强
张乾
徐殿国
机构
哈尔滨工业大学电气工程系
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第3期932-941,共10页
基金
国家重点研发计划(2017YFB0102301)
台达电力电子科教发展计划(DREK2018003)~~
文摘
提出一种基于MATLAB/Simulink的SiC功率MOSFET全工作区变温度参数建模方法。在Si基横向双扩散MOSFET模型的基础上,采用与温度相关的电流源和电压源补偿器件漏极电流和阈值电压的变化。通过补充实验拓展SiC功率MOSFET的饱和区工作特性曲线,并根据Si C功率MOSFET的工作特性,采用数学拟合的方法来提取模型参数。在保留各个参数物理意义的同时,摆脱建模过程对物理参数的依赖。在不同电压、电流及温度(25~200℃)的情况下对器件的输出特性、转移特性、阈值电压、导通电阻及开关损耗进行测试,将测试结果与MATLAB/Simulink模型仿真结果进行性比较。模型仿真结果与实际测试结果一致,开关损耗误差在7%之内,验证了模型的准确性及有效性,为实际应用Si C功率MOSFET时系统性能及损耗分析提供参考依据。
关键词
SiC功率MOSFET
全工作区域
变温度参数模型
MATLAB/Simulink模型
Keywords
Si C power MOSFET
whole working region
variable temperature parameter model
MATLAB/Simulink model
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
考虑器件工作温度影响的Si C功率MOSFET建模
滕咏哮
高强
张乾
徐殿国
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020
8
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