TN248．1 2005031712 高平均功率腔内和频蓝光Nd:YAG激光器=High power blue Nd:YAG laser by intracavity summing frequency [刊,中]／毕勇(中科院光电所光电系统工程部．北京 (100080)),孙志培…∥光学 精密工程．-2005,13(1)．- 16-...TN248．1 2005031712 高平均功率腔内和频蓝光Nd:YAG激光器=High power blue Nd:YAG laser by intracavity summing frequency [刊,中]／毕勇(中科院光电所光电系统工程部．北京 (100080)),孙志培…∥光学 精密工程．-2005,13(1)．- 16-21 研究了Nd3+离子~4F3/2→~4I13/2态1．3μm谱线腔内三 倍频产生高平均功率蓝光激光,获得4．3 W蓝光激光输 出,重复频率3.5 kHz,脉冲宽度150±10 ns。展开更多
TN248.1 2004064079 表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模=Passive modelocking diode-end-pumped Nd:YAG laser with surface-state type of semiconductor saturable absorption mirror[刊,中]/王勇刚(中科院半导体所...TN248.1 2004064079 表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模=Passive modelocking diode-end-pumped Nd:YAG laser with surface-state type of semiconductor saturable absorption mirror[刊,中]/王勇刚(中科院半导体所.北京(100083)),马骁宇…∥光电子·激光.—2004,15(5).—446-448 砷化镓半导体材料与空气接触的表面存在密度很高的电子表面态,砷化镓材料内部的电子可以通过这种表面进行弛豫,弛豫时间估计在ps量级。依此原理,制作了一种新型的表面态型半导体可饱和吸收镜。展开更多
