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全原子经验赝势法模拟InAs/InAsSbⅡ类超晶格
被引量：
1
1
作者
马玲丽
詹锋
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2018年第6期2462-2469,共8页
为了研究InAs/InAs1-xSbxⅡ类超晶格结构的物理特性,首次采用全原子的经验赝势方法对InAs/InAs1-xSbx结构进行模拟,并对体系的近带边能级、单粒子波函数和带边跃迁矩阵元进行了计算。结果表明,量子限制效应造成超晶格带隙的宽化;超晶格...
为了研究InAs/InAs1-xSbxⅡ类超晶格结构的物理特性,首次采用全原子的经验赝势方法对InAs/InAs1-xSbx结构进行模拟,并对体系的近带边能级、单粒子波函数和带边跃迁矩阵元进行了计算。结果表明,量子限制效应造成超晶格带隙的宽化;超晶格中基态电子主要局域在InAs层,基态空穴主要局域在合金层,与相关体材料及I型超晶格所做的对比结果表明,电子、空穴的物理分离效应是造成体系载流子寿命较长的重要原因;将带边跃迁矩阵元作为衡量载流子寿命的重要元素,针对固定波段的超晶格系统进行优化,最终得到带边跃迁矩阵元更小的体系(163?) InAs/(82?) InAs0. 72Sb0. 28结构,其跃迁矩阵元是0. 010 684 3 a.u.。
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关键词
Ⅱ型超晶格
全原子经验赝势
跃迁矩阵元
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职称材料
题名
全原子经验赝势法模拟InAs/InAsSbⅡ类超晶格
被引量：
1
1
作者
马玲丽
詹锋
机构
有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室
出处
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2018年第6期2462-2469,共8页
基金
广西自然科学基金资助项目(2014GXNSFAA118025)。
文摘
为了研究InAs/InAs1-xSbxⅡ类超晶格结构的物理特性,首次采用全原子的经验赝势方法对InAs/InAs1-xSbx结构进行模拟,并对体系的近带边能级、单粒子波函数和带边跃迁矩阵元进行了计算。结果表明,量子限制效应造成超晶格带隙的宽化;超晶格中基态电子主要局域在InAs层,基态空穴主要局域在合金层,与相关体材料及I型超晶格所做的对比结果表明,电子、空穴的物理分离效应是造成体系载流子寿命较长的重要原因;将带边跃迁矩阵元作为衡量载流子寿命的重要元素,针对固定波段的超晶格系统进行优化,最终得到带边跃迁矩阵元更小的体系(163?) InAs/(82?) InAs0. 72Sb0. 28结构,其跃迁矩阵元是0. 010 684 3 a.u.。
关键词
Ⅱ型超晶格
全原子经验赝势
跃迁矩阵元
Keywords
type-Ⅱsuperlattice
all-atom empirical pseudopotential method
transition matrix element
分类号
O411.3 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
全原子经验赝势法模拟InAs/InAsSbⅡ类超晶格
马玲丽
詹锋
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2018
1
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职称材料
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