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n型晶体硅太阳电池光诱导衰减现象研究
被引量：
1
1
作者
李能能
马继奎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第7期540-544,549,共6页
基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理。使用工业化设备在大面积（156 mm×156 mm）n型单晶硅片上制备太阳电池。利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,...
基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理。使用工业化设备在大面积（156 mm×156 mm）n型单晶硅片上制备太阳电池。利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,对比各阶段太阳电池电性能参数。结果表明,光照时会导致太阳电池表面减反射膜SiN∶H/Si界面处积聚大量固定电荷,增大界面态密度,破坏电池表面钝化层结构,导致开路电压和短路电流产生较大衰减,35 kWh/m^2光辐照后n型硅太阳电池效率衰减3.6%。在380℃低温退火处理后电池效率基本可恢复到初始状态。内量子效率测试结果表明光辐照后电池短波区域响应减弱,前表面界面效应导致电池效率发生较大衰减。
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关键词
N型硅
太阳电池
光诱导衰减
光辐照
退火
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职称材料
p型多晶硅PERC太阳电池LeTID特性和机理的研究
被引量：
1
2
作者
纪方旭
周春兰
+3 位作者
程尚之
王贺
吁洵哲
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第7期128-133,共6页
热辅助光诱导衰减(LeTID)作为一种不可忽视的太阳电池效率衰减现象,其衰减机制和相关缺陷形态的演变过程亟需澄清。针对p型多晶硅钝化发射极局域接触(PERC)太阳电池,研究在不同光照强度下的衰减规律,光照促进了衰减-再生反应的进行,衰...
热辅助光诱导衰减(LeTID)作为一种不可忽视的太阳电池效率衰减现象,其衰减机制和相关缺陷形态的演变过程亟需澄清。针对p型多晶硅钝化发射极局域接触(PERC)太阳电池,研究在不同光照强度下的衰减规律,光照促进了衰减-再生反应的进行,衰减程度随光照强度减小而增大。对衰减起主导作用的是由LeTID过程中产生的体内深能级缺陷导致的SRH复合,该缺陷中心的电子与空穴俘获截面之比k值在33~37范围内,而对衰减影响较小的浅能级缺陷可能是k值在0.1~1.0之间的Fe—B复合物。
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关键词
太阳电池
多晶硅
衰减
载流子寿命
光诱导衰减
PERC
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职称材料
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
3
作者
程尚之
周春兰
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第11期14-19,共6页
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品...
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复,这一过程称为光注入再生处理。在LID环境下,无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段,光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段。计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7,表明其中缺陷与直拉单晶硅(Cz-Si)中的BO缺陷相同。对光注入再生处理的样品,在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35,此数值与多晶硅(mc-Si)中LeTID缺陷的一致。
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关键词
光伏
铸造单晶硅
光致
衰减
热辅助
光诱导衰减
载流子寿命
缺陷
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职称材料
题名
n型晶体硅太阳电池光诱导衰减现象研究
被引量：
1
1
作者
李能能
马继奎
机构
西安航空学院电子工程学院
国家电投集团西安太阳能电力有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第7期540-544,549,共6页
基金
陕西省自然科学基础研究计划面上项目(2017JM6096)
国家级大学生创新创业训练计划项目(201611736010)
文摘
基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理。使用工业化设备在大面积（156 mm×156 mm）n型单晶硅片上制备太阳电池。利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,对比各阶段太阳电池电性能参数。结果表明,光照时会导致太阳电池表面减反射膜SiN∶H/Si界面处积聚大量固定电荷,增大界面态密度,破坏电池表面钝化层结构,导致开路电压和短路电流产生较大衰减,35 kWh/m^2光辐照后n型硅太阳电池效率衰减3.6%。在380℃低温退火处理后电池效率基本可恢复到初始状态。内量子效率测试结果表明光辐照后电池短波区域响应减弱,前表面界面效应导致电池效率发生较大衰减。
关键词
N型硅
太阳电池
光诱导衰减
光辐照
退火
Keywords
n-type silicon
solar cell
light induced degradation
light soaking
annealing
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TM919.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
p型多晶硅PERC太阳电池LeTID特性和机理的研究
被引量：
1
2
作者
纪方旭
周春兰
程尚之
王贺
吁洵哲
王文静
机构
中科院太阳能热利用及光伏系统重点实验室
中国科学院大学
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第7期128-133,共6页
基金
国家重点研发计划(2018YFB1500303)。
文摘
热辅助光诱导衰减(LeTID)作为一种不可忽视的太阳电池效率衰减现象,其衰减机制和相关缺陷形态的演变过程亟需澄清。针对p型多晶硅钝化发射极局域接触(PERC)太阳电池,研究在不同光照强度下的衰减规律,光照促进了衰减-再生反应的进行,衰减程度随光照强度减小而增大。对衰减起主导作用的是由LeTID过程中产生的体内深能级缺陷导致的SRH复合,该缺陷中心的电子与空穴俘获截面之比k值在33~37范围内,而对衰减影响较小的浅能级缺陷可能是k值在0.1~1.0之间的Fe—B复合物。
关键词
太阳电池
多晶硅
衰减
载流子寿命
光诱导衰减
PERC
Keywords
solar cells
polycrystalline silicon
degradation
carrier lifetime
light and elevated temperature degradation(LeTID)
PERC
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
3
作者
程尚之
周春兰
王文静
机构
中国科学院电工研究所太阳能光伏与热利用重点实验室
中国科学院大学
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第11期14-19,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目(61874120)。
文摘
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复,这一过程称为光注入再生处理。在LID环境下,无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段,光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段。计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7,表明其中缺陷与直拉单晶硅(Cz-Si)中的BO缺陷相同。对光注入再生处理的样品,在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35,此数值与多晶硅(mc-Si)中LeTID缺陷的一致。
关键词
光伏
铸造单晶硅
光致
衰减
热辅助
光诱导衰减
载流子寿命
缺陷
Keywords
photovoltaic
cast mono silicon
LID
LeTID
carrier lifetime
defects
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
n型晶体硅太阳电池光诱导衰减现象研究
李能能
马继奎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
p型多晶硅PERC太阳电池LeTID特性和机理的研究
纪方旭
周春兰
程尚之
王贺
吁洵哲
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
程尚之
周春兰
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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职称材料
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