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光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素
被引量：
4
1
作者
胡艳
方秋艳
+4 位作者
周剑章
詹东平
时康
田中群
田昭武
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2392-2398,共7页
采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液pH等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中TiO2纳米管阵列表面游离OH生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0 V时,光电协同产...
采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液pH等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中TiO2纳米管阵列表面游离OH生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0 V时,光电协同产生游离OH效率最高;OH的光催化生成与消耗能很快达到稳态,形成稳定的约束刻蚀剂层,有利于保持刻蚀过程中的精度;当pH为10时,TiO2纳米管光催化产生游离OH效率最高.研究结果对于调控和优化光诱导约束刻蚀平坦化铜的溶液体系,提高铜的刻蚀速度或平坦化精度有重要的指导意义.
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关键词
光诱导约束刻蚀
游离·OH
荧光检测
光电协同效应
TIO2纳米管阵列
在线阅读
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职称材料
光诱导约束刻蚀体系中的TiO_2纳米管阵列光电极上Cu的沉积及抑制
2
作者
黄雅钰
方秋艳
+3 位作者
周剑章
詹东平
时康
田中群
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017年第10期2042-2051,共10页
光诱导约束刻蚀可作为一种无应力的化学平坦化方法用于Cu的抛光。我们发现在光诱导约束刻蚀工件Cu的过程中,工具表面的TiO_2纳米管上可能出现Cu沉积。通过扫描电子显微镜及其能谱,X射线光电子能谱等方法分析其沉积形貌和成分组成,探究...
光诱导约束刻蚀可作为一种无应力的化学平坦化方法用于Cu的抛光。我们发现在光诱导约束刻蚀工件Cu的过程中,工具表面的TiO_2纳米管上可能出现Cu沉积。通过扫描电子显微镜及其能谱,X射线光电子能谱等方法分析其沉积形貌和成分组成,探究在工具-工件之间的微纳尺度液层中Cu光催化还原沉积的机制,并在模拟液中研究Cu沉积对刻蚀体系的影响。探究引入搅拌、加入络合剂对TiO_2纳米管表面Cu的沉积的抑制,并考察抑制措施对于工件Cu刻蚀的影响。结果表明Cu沉积会增强TiO_2纳米管光电极的光催化性能,但随着沉积量的增加,增强机制会发生变化;在尝试抑制Cu沉积时也发现改善传质以抑制Cu沉积的同时也会带来工件Cu的刻蚀增强;采用添加络合剂结合改善传质的方法有望在抑制Cu沉积的同时提高平坦化效果。所以抑制方法和条件的选择需兼顾对工具-工件之间微纳液层中的多个化学和传质过程的影响。这些研究对于进一步优化光诱导约束刻蚀体系及其在化学平坦化中的应用有重要的指导意义。
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关键词
光诱导约束刻蚀
TIO2纳米管阵列
羟基自由基
约束
剂
Cu的光催化沉积
传质
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职称材料
题名
光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素
被引量：
4
1
作者
胡艳
方秋艳
周剑章
詹东平
时康
田中群
田昭武
机构
厦门大学化学化工学院化学系
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2392-2398,共7页
基金
国家自然科学基金(91023043,21021002,91023006)资助项目~~
文摘
采用荧光分析,暂态光电流响应分析,电化学交流阻抗谱(EIS)和Mott-Schottky响应分析考察了外加电位,光照时间,溶液pH等几个关键因素对光诱导约束刻蚀体系中TiO2纳米管阵列表面游离OH生成的影响.结果表明:当外加电位为1.0 V时,光电协同产生游离OH效率最高;OH的光催化生成与消耗能很快达到稳态,形成稳定的约束刻蚀剂层,有利于保持刻蚀过程中的精度;当pH为10时,TiO2纳米管光催化产生游离OH效率最高.研究结果对于调控和优化光诱导约束刻蚀平坦化铜的溶液体系,提高铜的刻蚀速度或平坦化精度有重要的指导意义.
关键词
光诱导约束刻蚀
游离·OH
荧光检测
光电协同效应
TIO2纳米管阵列
Keywords
Photo-induced confined etching
Free · OH
Fluorescence detection Photo-electro-synergistic effect
TiO2 nanotube array
分类号
O644.1 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
光诱导约束刻蚀体系中的TiO_2纳米管阵列光电极上Cu的沉积及抑制
2
作者
黄雅钰
方秋艳
周剑章
詹东平
时康
田中群
机构
厦门大学化学化工学院化学系固体表面化学国家重点实验室
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017年第10期2042-2051,共10页
基金
国家自然科学基金(21273182
21533006
21621091)资助项目~~
文摘
光诱导约束刻蚀可作为一种无应力的化学平坦化方法用于Cu的抛光。我们发现在光诱导约束刻蚀工件Cu的过程中,工具表面的TiO_2纳米管上可能出现Cu沉积。通过扫描电子显微镜及其能谱,X射线光电子能谱等方法分析其沉积形貌和成分组成,探究在工具-工件之间的微纳尺度液层中Cu光催化还原沉积的机制,并在模拟液中研究Cu沉积对刻蚀体系的影响。探究引入搅拌、加入络合剂对TiO_2纳米管表面Cu的沉积的抑制,并考察抑制措施对于工件Cu刻蚀的影响。结果表明Cu沉积会增强TiO_2纳米管光电极的光催化性能,但随着沉积量的增加,增强机制会发生变化;在尝试抑制Cu沉积时也发现改善传质以抑制Cu沉积的同时也会带来工件Cu的刻蚀增强;采用添加络合剂结合改善传质的方法有望在抑制Cu沉积的同时提高平坦化效果。所以抑制方法和条件的选择需兼顾对工具-工件之间微纳液层中的多个化学和传质过程的影响。这些研究对于进一步优化光诱导约束刻蚀体系及其在化学平坦化中的应用有重要的指导意义。
关键词
光诱导约束刻蚀
TIO2纳米管阵列
羟基自由基
约束
剂
Cu的光催化沉积
传质
Keywords
Photo-induced confined etching
Tie2 nanotube arrays
.OH
Scavenging agent
Photo-deposition of Cu
Mass transfer
分类号
O643.32 [理学—物理化学]
O644.1 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光诱导约束刻蚀体系中羟基自由基生成的影响因素
胡艳
方秋艳
周剑章
詹东平
时康
田中群
田昭武
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2013
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
光诱导约束刻蚀体系中的TiO_2纳米管阵列光电极上Cu的沉积及抑制
黄雅钰
方秋艳
周剑章
詹东平
时康
田中群
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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