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一种新型短波长光吸收纳米复合材料的合成与表征 被引量:2
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作者 李贵安 宋建平 +1 位作者 李貅 边小兵 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期33-36,共4页
提出了一种具有包覆共掺杂结构的金属纳米粒子偶氮染料复合物(metallicnanoparticlesazo-dyecompound,简写为MNPADC)纳米复合材料合成的新方法.用透射电子显微镜(TEM)、扫描探针显微镜(SPM)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)和热重分析仪(T... 提出了一种具有包覆共掺杂结构的金属纳米粒子偶氮染料复合物(metallicnanoparticlesazo-dyecompound,简写为MNPADC)纳米复合材料合成的新方法.用透射电子显微镜(TEM)、扫描探针显微镜(SPM)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)和热重分析仪(TGA)表征了复合材料的物理性能,分析了其吸收蓝移及热稳定性提高的机理.结果表明,该材料在400~450nm蓝紫波段具有良好的吸收强度和热稳定性,可望作为与GaN半导体激光器匹配的新型光记录介质,为短波长光存储材料的合成提供有效途径. 展开更多
关键词 纳米粒子 偶氮染料 纳米复合材料 短波长吸收 光记录介质 表征
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酞菁衍生物分子内能量传递及作为光学功能材料的研究 被引量:3
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作者 周庆复 沈淑引 +8 位作者 刘纪祥 李莉 周圣泽 田宏健 许慧君 张新夷 许武 李多禄 周建平 《高技术通讯》 CSCD 1992年第2期36-38,共3页
研究了以共价键连接卟啉—酞菁的双发色团分子内的能量传递过程。结果表明:在非极性溶剂中有利于能量传递,其效率可达70%,此类有机偶极分子的宏观三阶非线性极化率X^((3))=10^(-8);10^(-10);e.s.u.,酞菁衍生物亦具有作为光记录介质所需... 研究了以共价键连接卟啉—酞菁的双发色团分子内的能量传递过程。结果表明:在非极性溶剂中有利于能量传递,其效率可达70%,此类有机偶极分子的宏观三阶非线性极化率X^((3))=10^(-8);10^(-10);e.s.u.,酞菁衍生物亦具有作为光记录介质所需的优良性能。 展开更多
关键词 酞菁 卟啉—酞菁二聚体 分子内能量传递 非线性学材料 光记录介质
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光盘用猝灭剂的研究进展 被引量:1
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作者 彭必先 邢洪江 戴志飞 《中国科学院研究生院学报》 CAS CSCD 1999年第1期49-54,共6页
对光盘用猝灭剂的主要类别、合成、染料的光稳定作用机理以及结构与性能之间的关系进行了综述,并展望了今后的发展趋势.
关键词 猝灭剂 光记录介质 稳定性 双硫酚类
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吲哚二碳菁染料的合成 被引量:3
4
作者 顾超 姚祖光 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期315-317,共3页
合成了五种N 烷基吲哚二碳菁染料 ,通过质谱、核磁共振氢谱及红外光谱确证了化合物结构。测定了化合物在溶液中的紫外吸收光谱和溶解度 ,讨论了溶解度。
关键词 合成 光记录介质 熔点 溶解度 CD-R 吲哚二碳菁染料
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1988中心专利选刊
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《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第Z1期47-60,共14页
在衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物薄膜DD251-153-A在碲熔融液中的衬底上生长电致发光或阴极射线发光器件的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料发光膜,衬底最好是具备蒸镀绝缘膜和高熔点金属(Ni,Au,W,Mo)丝的石英膜片。其特点是用过渡族金属掺杂Ⅱ-Ⅵ族... 在衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物薄膜DD251-153-A在碲熔融液中的衬底上生长电致发光或阴极射线发光器件的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料发光膜,衬底最好是具备蒸镀绝缘膜和高熔点金属(Ni,Au,W,Mo)丝的石英膜片。其特点是用过渡族金属掺杂Ⅱ-Ⅵ族化合物。这种过渡族金属是锰或某种稀土金属,其浓度为0.01-100atom%.可以以金属或硫化物的方式添加。Ⅱ-Ⅵ族化合物是ZnS,CsS,ZnSe,CaS,MgS;混合化合物是(Zn, 展开更多
关键词 Ⅱ-Ⅵ族半导体 阴极射线发 绝缘膜 石英膜片 光记录介质 电致变色 电致发 ZNSE 过渡族金属 高熔点金属
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