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激光触发多门极半导体开关初步研究被引量：1: 1; 作者刘宏伟王凌云 +6 位作者栾崇彪袁建强谢卫平杨杰何泱付佳斌徐乐《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期25-31,共7页; 固态脉冲功率源在脉冲功率技术领域应用广泛,已经成为新的研究热点,其中,高功率固态开关器件是固态脉冲功率源的核心。报道了一种新型光触发多门极半导体开关(LIMS),该开关具备光致线性模式和场致增益模式两种工作模式,解决了传统电控... 展开更多; 关键词光触发多门极半导体开关固态脉冲功率源重复频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同激光二极管能量触发下GaAs光导开关研究: 2; 作者吴朝阳范昭奇 +1 位作者陆巍杨周炳《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第S1期464-467,共4页; Ga As光导开关在较高的场强下可工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的Ga As光导开关以提高开关场强。设计的开关芯片厚度为2mm,电极间隙为3mm,利用半导体激光二极管对开关进行了触发实验。当开关充电电压超过8k V后,开关输出脉冲幅度... 展开更多; 关键词光导开关雪崩模式半导体二极管触发能量; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析被引量：1: 3; 作者景争汪韬 +3 位作者阮驰杨宏春王警卫吴雷学《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2383-2386,共4页; 针对光导开关阵列和光纤分束耦合的实际应用环境,提出一种新的实验方案,用于测试当触发光源相对于开关光敏面为点光源时入射位置对输出脉冲的影响.实验证明,不同的入射位置对开关输出脉冲有很大的影响.在入射光从负极向正极扫描过程中... 展开更多; 关键词光导开关 GAAS 触发位置半导体体内电场分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

光放大、控制与器件: 4; 《中国光学》 EI CAS 1999年第5期74-75,共2页; TM564 99053295高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象 =Optically activated charge domain phenomenain high gain ultra fast high voltage GaAs photoconductiveswitches[刊,中]/施卫(西安理工大学应用物理系.陕西,西安(710... 展开更多; 关键词光电导开关光激发半导体激光器工作模式辐射发光应用物理像增强器触发条件西安行为决定; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名激光触发多门极半导体开关初步研究被引量：1: 1; 作者刘宏伟王凌云栾崇彪袁建强谢卫平杨杰何泱付佳斌徐乐; 机构中国工程物理研究院流体物理研究所国防科技大学前沿交叉学科学院; 出处《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期25-31,共7页; 文摘固态脉冲功率源在脉冲功率技术领域应用广泛,已经成为新的研究热点,其中,高功率固态开关器件是固态脉冲功率源的核心。报道了一种新型光触发多门极半导体开关(LIMS),该开关具备光致线性模式和场致增益模式两种工作模式,解决了传统电控器件电流上升率低的问题,实现了器件的高电流上升率,光致线性模式下实验测试得到了454 kA/μs的电流上升率,该开关在雷管起爆、电磁脉冲模拟等领域已得到初步应用。; 关键词光触发多门极半导体开关固态脉冲功率源重复频率; Keywords laser initiated multi-gate semiconductor switch solid state pulse power generator repetition frequency; 分类号 TM833 [电气工程—高电压与绝缘技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同激光二极管能量触发下GaAs光导开关研究: 2; 作者吴朝阳范昭奇陆巍杨周炳; 机构中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第S1期464-467,共4页; 基金高功率微波技术重点实验室项目(2013HPM-01); 文摘 Ga As光导开关在较高的场强下可工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的Ga As光导开关以提高开关场强。设计的开关芯片厚度为2mm,电极间隙为3mm,利用半导体激光二极管对开关进行了触发实验。当开关充电电压超过8k V后,开关输出脉冲幅度显著增强,输出脉冲前沿快于光脉冲,开关开始了雪崩工作模式,且随着开关电场不断增加,开关输出电压幅值也线性增加。在不同触发能量下,开关输出电压幅值和波形基本没有改变,但在较高的触发能量和高的偏置电场下,开关抖动较小,实验中开关获得的最小抖动约500ps。; 关键词光导开关雪崩模式半导体二极管触发能量; Keywords photoconductive semiconductor switch(PCSS) avalanche mode semiconductor diode trigger energy; 分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析被引量：1: 3; 作者景争汪韬阮驰杨宏春王警卫吴雷学; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室中国科学院研究生院电子科技大学; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2383-2386,共4页; 基金国家863高技术研究发展计划(2005A000200) 西部之光(2005ZD01) 西安应用材料创新基金(XA-AM-200613)资助; 文摘针对光导开关阵列和光纤分束耦合的实际应用环境,提出一种新的实验方案,用于测试当触发光源相对于开关光敏面为点光源时入射位置对输出脉冲的影响.实验证明,不同的入射位置对开关输出脉冲有很大的影响.在入射光从负极向正极扫描过程中输出脉冲逐渐增强,在正极附近输出达到峰值,但在电极边缘处有所减弱.分析表明,这一现象和开关体内电场的分布有密切联系.; 关键词光导开关 GAAS 触发位置半导体体内电场分布; Keywords PCSS GaAs Trigger position Electric field intensity distribution; 分类号 TN6 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光放大、控制与器件: 4; 出处《中国光学》 EI CAS 1999年第5期74-75,共2页; 文摘 TM564 99053295高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象 =Optically activated charge domain phenomenain high gain ultra fast high voltage GaAs photoconductiveswitches[刊,中]/施卫(西安理工大学应用物理系.陕西,西安(710048)),梁振宪(西安交通大学电气工程学院.陕西,西安(710049))//半导体学报,—1998,20(1).—53—57报道了在临界触发条件下观察到的高倍增GaAs光电导开关中的光激发畴现象。分析了畴的产生与辐射发光在lock—on效应中的作用。指出正是光激发畴的性质与行为决定了GaAs光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性。图4参4(方舟); 关键词光电导开关光激发半导体激光器工作模式辐射发光应用物理像增强器触发条件西安行为决定; 分类号 TM564 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料