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激光触发多门极半导体开关初步研究
被引量：
1
1
作者
刘宏伟
王凌云
+6 位作者
栾崇彪
袁建强
谢卫平
杨杰
何泱
付佳斌
徐乐
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第11期25-31,共7页
固态脉冲功率源在脉冲功率技术领域应用广泛,已经成为新的研究热点,其中,高功率固态开关器件是固态脉冲功率源的核心。报道了一种新型光触发多门极半导体开关(LIMS),该开关具备光致线性模式和场致增益模式两种工作模式,解决了传统电控...
固态脉冲功率源在脉冲功率技术领域应用广泛,已经成为新的研究热点,其中,高功率固态开关器件是固态脉冲功率源的核心。报道了一种新型光触发多门极半导体开关(LIMS),该开关具备光致线性模式和场致增益模式两种工作模式,解决了传统电控器件电流上升率低的问题,实现了器件的高电流上升率,光致线性模式下实验测试得到了454 kA/μs的电流上升率,该开关在雷管起爆、电磁脉冲模拟等领域已得到初步应用。
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关键词
光触发多门极半导体开关
固态脉冲功率源
重复频率
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职称材料
不同激光二极管能量触发下GaAs光导开关研究
2
作者
吴朝阳
范昭奇
+1 位作者
陆巍
杨周炳
《微波学报》
CSCD
北大核心
2014年第S1期464-467,共4页
Ga As光导开关在较高的场强下可工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的Ga As光导开关以提高开关场强。设计的开关芯片厚度为2mm,电极间隙为3mm,利用半导体激光二极管对开关进行了触发实验。当开关充电电压超过8k V后,开关输出脉冲幅度...
Ga As光导开关在较高的场强下可工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的Ga As光导开关以提高开关场强。设计的开关芯片厚度为2mm,电极间隙为3mm,利用半导体激光二极管对开关进行了触发实验。当开关充电电压超过8k V后,开关输出脉冲幅度显著增强,输出脉冲前沿快于光脉冲,开关开始了雪崩工作模式,且随着开关电场不断增加,开关输出电压幅值也线性增加。在不同触发能量下,开关输出电压幅值和波形基本没有改变,但在较高的触发能量和高的偏置电场下,开关抖动较小,实验中开关获得的最小抖动约500ps。
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关键词
光
导
开关
雪崩模式
半导体
二极管
触发
能量
在线阅读
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职称材料
基于光电信号控制触发的四路高压脉冲源
3
作者
李玺钦
吴红光
+1 位作者
丁明军
刘云涛
《电子设计工程》
2014年第23期123-124,127,共3页
给出了一种基于光电信号来作为四路高压脉冲源触发控制的设计原理和方法,采用光电信号作为前级控制触发脉冲,驱动后级高压半导体开关器件(IGBT)输出高压脉冲信号。设计了一台脉冲幅度为500 V^1 k V、脉冲宽度大于500 ns、脉冲前沿小于25...
给出了一种基于光电信号来作为四路高压脉冲源触发控制的设计原理和方法,采用光电信号作为前级控制触发脉冲,驱动后级高压半导体开关器件(IGBT)输出高压脉冲信号。设计了一台脉冲幅度为500 V^1 k V、脉冲宽度大于500 ns、脉冲前沿小于25 ns以及各通道之间输出的高压脉冲信号分散性小于10 ns的四路高压脉冲源。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,给出了单次触发情况下四路高压脉冲输出的实验结果。
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关键词
分散性
光
电信号
触发
控制
半导体
开关
高压脉冲
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职称材料
题名
激光触发多门极半导体开关初步研究
被引量：
1
1
作者
刘宏伟
王凌云
栾崇彪
袁建强
谢卫平
杨杰
何泱
付佳斌
徐乐
机构
中国工程物理研究院流体物理研究所
国防科技大学前沿交叉学科学院
出处
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第11期25-31,共7页
文摘
固态脉冲功率源在脉冲功率技术领域应用广泛,已经成为新的研究热点,其中,高功率固态开关器件是固态脉冲功率源的核心。报道了一种新型光触发多门极半导体开关(LIMS),该开关具备光致线性模式和场致增益模式两种工作模式,解决了传统电控器件电流上升率低的问题,实现了器件的高电流上升率,光致线性模式下实验测试得到了454 kA/μs的电流上升率,该开关在雷管起爆、电磁脉冲模拟等领域已得到初步应用。
关键词
光触发多门极半导体开关
固态脉冲功率源
重复频率
Keywords
laser initiated multi-gate semiconductor switch
solid state pulse power generator
repetition frequency
分类号
TM833 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
不同激光二极管能量触发下GaAs光导开关研究
2
作者
吴朝阳
范昭奇
陆巍
杨周炳
机构
中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术重点实验室
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2014年第S1期464-467,共4页
基金
高功率微波技术重点实验室项目(2013HPM-01)
文摘
Ga As光导开关在较高的场强下可工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的Ga As光导开关以提高开关场强。设计的开关芯片厚度为2mm,电极间隙为3mm,利用半导体激光二极管对开关进行了触发实验。当开关充电电压超过8k V后,开关输出脉冲幅度显著增强,输出脉冲前沿快于光脉冲,开关开始了雪崩工作模式,且随着开关电场不断增加,开关输出电压幅值也线性增加。在不同触发能量下,开关输出电压幅值和波形基本没有改变,但在较高的触发能量和高的偏置电场下,开关抖动较小,实验中开关获得的最小抖动约500ps。
关键词
光
导
开关
雪崩模式
半导体
二极管
触发
能量
Keywords
photoconductive semiconductor switch(PCSS)
avalanche mode
semiconductor diode
trigger energy
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于光电信号控制触发的四路高压脉冲源
3
作者
李玺钦
吴红光
丁明军
刘云涛
机构
中国工程物理研究院流体物理研究所
出处
《电子设计工程》
2014年第23期123-124,127,共3页
文摘
给出了一种基于光电信号来作为四路高压脉冲源触发控制的设计原理和方法,采用光电信号作为前级控制触发脉冲,驱动后级高压半导体开关器件(IGBT)输出高压脉冲信号。设计了一台脉冲幅度为500 V^1 k V、脉冲宽度大于500 ns、脉冲前沿小于25 ns以及各通道之间输出的高压脉冲信号分散性小于10 ns的四路高压脉冲源。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,给出了单次触发情况下四路高压脉冲输出的实验结果。
关键词
分散性
光
电信号
触发
控制
半导体
开关
高压脉冲
Keywords
dispersion
photo electricity signal
trigger control
semiconductor switch
high voltage pulse
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
激光触发多门极半导体开关初步研究
刘宏伟
王凌云
栾崇彪
袁建强
谢卫平
杨杰
何泱
付佳斌
徐乐
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
不同激光二极管能量触发下GaAs光导开关研究
吴朝阳
范昭奇
陆巍
杨周炳
《微波学报》
CSCD
北大核心
2014
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于光电信号控制触发的四路高压脉冲源
李玺钦
吴红光
丁明军
刘云涛
《电子设计工程》
2014
0
在线阅读
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职称材料
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