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室温光荧光谱分析中的几个典型问题 被引量：1
1
作者 刘英斌 赵润 +3 位作者 林琳 陈宏泰 杨红伟 崔崎 《微纳电子技术》 CAS 2008年第6期338-341,共4页
根据光荧光谱的测试原理,针对具体的化合物半导体材料的层次结构,归纳、总结出两个实用的分析模型:光荧光谱的厚度干涉模型和透明衬底发光模型。应用厚度干涉模型,对GaN外延材料、带DBR结构的MQW材料的光荧光谱曲线进行了分析,并解释了A... 根据光荧光谱的测试原理,针对具体的化合物半导体材料的层次结构,归纳、总结出两个实用的分析模型:光荧光谱的厚度干涉模型和透明衬底发光模型。应用厚度干涉模型,对GaN外延材料、带DBR结构的MQW材料的光荧光谱曲线进行了分析,并解释了AlGaInP LED结构PL扫描图的强度分布。应用透明衬底发光模型,分析并解释了InGaAs材料的发光强度图案。实验结果表明,这两个分析模型能很好地解释薄膜外延层的PL光谱曲线,能够分析光荧光谱的曲线形状和强度分布与材料结构及表面状态的关系,对判断材料品质有较大帮助,具有一定的实用价值。 展开更多
关键词 光荧光扫描 多量子阱 厚度干涉条纹 透明衬底 室温
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扫描光荧光表征半导体材料特性 被引量：1
2
作者 宗祥福 翁渝民 +1 位作者 刘松 秦曦 《应用科学学报》 CAS CSCD 1992年第1期78-84,共7页
报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料中的缺陷及浅能级杂质,显示其分布.PL对于杂质识别和缺陷分布... 报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料中的缺陷及浅能级杂质,显示其分布.PL对于杂质识别和缺陷分布的形貌特别灵敏.文中列举和讨论了用本PL扫描系统对Si和GaAs所获得的一些光谱和形貌的信息.实验证明该系统可用作为一个简单、无接触然而却是灵敏的表征手段,可用于评估半导体基片近表面层的均匀性,也适用于器件表征. 展开更多
关键词 光荧光 半导体 杂质 缺陷 表征
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中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究 被引量：2
3
作者 刘健 王佩璇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期50-55,共6页
用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及嬗变掺杂进行了研究．结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子嬗变掺杂效应，嬗变掺杂使近导带施主增加从而使与ＣＡｓ有关的跃迁峰向低能移动．辐照剂量较低时，嬗变原子... 用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及嬗变掺杂进行了研究．结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子嬗变掺杂效应，嬗变掺杂使近导带施主增加从而使与ＣＡｓ有关的跃迁峰向低能移动．辐照剂量较低时，嬗变原子Ｇｅ占居Ｇａ位；当辐照剂量较大时，部分嬗变原子Ｇｅ占居Ａｓ位．在高剂量（１０１７ｎ／ｃｍ２）辐照情况下，经８００℃（２０秒）退火，仍有反位缺陷ＧａＡｓ（ＥＶ＋２００ｍｅＶ）和复合缺陷ＩＧａ－ＶＡｓ存在，在低剂量（１０１４ｎ／ｃｍ２～１０１６ｎ／ｃｍ２）辐照情况下，经此退火过程，未观察到这两种缺陷的ＰＬ峰． 展开更多
关键词 中子辐照 光荧光 低温 砷化镓 抗辐照器件 退火
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CdSe四脚状纳米晶粒的光荧光研究
4
作者 赵莉娟 陆爱江 +2 位作者 庞起 葛惟昆 王建农 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第5期300-304,310,共6页
采用高温微乳液的化学方法,在溶液中合成了高产率的CdSe四脚状纳米晶粒。高分辨透射电镜(HRTEM)分析结果表明,CdSe四脚状纳米晶粒是由1个立方的核心和4个六方的臂所组成。研究了该四脚晶粒的变激发功率光荧光(PL)谱和变温的PL谱,分析发... 采用高温微乳液的化学方法,在溶液中合成了高产率的CdSe四脚状纳米晶粒。高分辨透射电镜(HRTEM)分析结果表明,CdSe四脚状纳米晶粒是由1个立方的核心和4个六方的臂所组成。研究了该四脚晶粒的变激发功率光荧光(PL)谱和变温的PL谱,分析发现低温时四脚晶粒的光荧光主要来自于被表面缺陷所局域的激子的辐射复合,而随着温度升高,束缚激子被热激发,室温时光荧光主要来自于自由激子的贡献。CdSe纳米量子点的退局域化温度比四脚纳米晶粒的高,而12K时CdSe纳米量子点的局域化能量比四脚纳米晶粒的也大得多,并对这一现象作了解释。 展开更多
关键词 四脚状纳米晶粒 变功率光荧光(PL) 变温光荧光(PL) 表面缺陷 局域化 高产率
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MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究 被引量：1
5
作者 牛智川 黎健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期133-136,共4页
采用低温光荧光谱测试方法，研究了ＭＢＥ生长的轻掺硅ＧａＡｓ材料的杂质特性，并结合Ｈａｌｌ测量结果，讨论了ＭＢＥ关键生长条件Ⅴ／Ⅲ束流比等对Ｓｉ在ＧａＡｓ中掺杂特性的影响，研究表明掺杂元素Ｓｉ在ＧａＡｓ中起两性（施主或... 采用低温光荧光谱测试方法，研究了ＭＢＥ生长的轻掺硅ＧａＡｓ材料的杂质特性，并结合Ｈａｌｌ测量结果，讨论了ＭＢＥ关键生长条件Ⅴ／Ⅲ束流比等对Ｓｉ在ＧａＡｓ中掺杂特性的影响，研究表明掺杂元素Ｓｉ在ＧａＡｓ中起两性（施主或受主）杂质作用，适当提高Ⅴ／Ⅲ束流比可以抑制Ｓｉ的自补偿效应，从而减小载流子的补偿度，进一步提高迁移率。通过优化生长条件，本实验已获得了杂质浓度小于１０１２ｃｍ－３，７７Ｋ下迁移率大于１．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ的高纯、高迁移率ＧａＡｓ材料。 展开更多
关键词 光荧光 硅 掺杂 分子束外延 MBE生长 砷化镓
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GaAs／AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系
6
作者 徐士杰 刘剑 +2 位作者 李国华 郑厚植 江德生 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期77-80,共4页
报道了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ非对称耦合双量子附Ｐｉｎ结构在不同温度下的光荧光谱，观察到宽附与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系，结果表明窄阱电子的热发射是导致窄附光荧光强度随温度上升而较快下降... 报道了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ非对称耦合双量子附Ｐｉｎ结构在不同温度下的光荧光谱，观察到宽附与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系，结果表明窄阱电子的热发射是导致窄附光荧光强度随温度上升而较快下降的主要原因．同时观测到宽阱轻空穴激子峰强度特殊的温度依赖关系，并分析了其物理机制， 展开更多
关键词 光荧光 量子阱 温度相关 砷化镓
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随机层厚分布的半导体超晶格光荧光对温度的依赖关系
7
作者 陈效双 窦红飞 +2 位作者 刘兴权 陆卫 沈学础 《量子电子学报》 CAS CSCD 1999年第2期134-137,共4页
本文提出热激活辐射过程和 Ｂｅｒｔｈｅｌｏｔ－型的非辐射复合过程互相竞争的简单模型解释无序半导体超晶格的光荧光防温度变化行为．预言了当温度升高荧光衰变时间在某一温度附近快速下降；获得了在高温时较大无序度的半导体超晶格... 本文提出热激活辐射过程和 Ｂｅｒｔｈｅｌｏｔ－型的非辐射复合过程互相竞争的简单模型解释无序半导体超晶格的光荧光防温度变化行为．预言了当温度升高荧光衰变时间在某一温度附近快速下降；获得了在高温时较大无序度的半导体超晶格比较小无序度的半导体超晶格荧光强，在低温时情况相反；且荧光峰随温度变化存在一个最大值．理论结果与实验观察到的无序半导体超晶格荧光行为一致． 展开更多
关键词 温度 依赖关系 随机层厚分布 半导体超晶格 光荧光
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GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究
8
作者 缪中林 陆卫 +10 位作者 陈平平 李志锋 刘平 袁先漳 蔡炜颖 徐文兰 沈学础 陈昌明 朱德彰 胡均 李明乾 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期15-19,共5页
用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子... 用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V。 展开更多
关键词 非对称耦合双量子阱 组合注入 界面混合 光荧光谱 子带间跃迁能量移动 GAAS ALGAAS
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注入Ga离子的GaAs／AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究
9
作者 郑宝真 赛纳 +3 位作者 许继宗 张鹏华 杨小平 徐仲英 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期407-411,共5页
用注入Ｇａ离子ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散，表现在ＰＬ光谱中量子阱峰值能量有３０～９０ｍｅＶ的兰移．发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关。
关键词 光荧光 量子阱 镓离子注入 砷化镓
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CdTe／Cd_（1－x）Mn_xTe：In应变层量子阱的光荧光光谱
10
作者 姜山 张家明 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期186-190,共5页
报道了ＭＢＥ生长的ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱，低温下观察到一个由多电子－单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象，对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加，使整个... 报道了ＭＢＥ生长的ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱，低温下观察到一个由多电子－单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象，对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加，使整个发光锋具有明显的非对称性．分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制，测量了７７Ｋ下ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ样品的调制光谱，与荧光光谱进行了比较，结果进一步支持了本文的结论．还测量了费密迪奇异随温度的变化，结果表明此现象在Ⅱ—Ⅵ族半导体多量子附材料中比Ⅲ─Ｖ族材料强得多． 展开更多
关键词 光荧光 费密边奇异 多量子阱
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SiGe／Si量子阱的低温光荧光和电注入发光
11
作者 董文甫 王启明 +3 位作者 杨沁清 崔堑 周钧铭 黄绮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期128-132,共5页
使用Ｓｉ－ＭＢＥ生长了阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱材料，在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光．阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ电子阱结构有利于提高发光效率．讨论了这种结构的光学和电学特性．
关键词 量子阱 光荧光 电注入发光 锗化硅 半导体
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张应变、长波长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP量子阱材料的光荧光谱实验研究
12
作者 丁国庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期54-58,共5页
给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变... 给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。 展开更多
关键词 张应变 光荧光谱 量子阱材料 半导体材料
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用于松散物料在线质量控制的X光荧光分析
13
《铀矿冶》 CAS 2003年第1期55-56,共2页
关键词 松散物料 在线质量控制 X光荧光分析粒度 燃煤
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邻二氮菲荧光分光光度法测定粉状食品中铁的含量
14
作者 张文 向清祥 +3 位作者 杨孝容 庾童海 陈婷婷 宋成 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期697-702,共6页
基于在三羟甲基氨基甲烷溶液中,邻二氮菲与Fe^(2+)形成的络合物使邻二氮菲荧光强度减弱的原理,提出了题示方法。取1.0000 g样品,加入8.00 mL硝酸和5.00 mL 30%(质量分数)过氧化氢溶液,静置过夜后加热至近干,加入5.00 mL硝酸和5.00 mL高... 基于在三羟甲基氨基甲烷溶液中,邻二氮菲与Fe^(2+)形成的络合物使邻二氮菲荧光强度减弱的原理,提出了题示方法。取1.0000 g样品,加入8.00 mL硝酸和5.00 mL 30%(质量分数)过氧化氢溶液,静置过夜后加热至近干,加入5.00 mL硝酸和5.00 mL高氯酸,继续加热至近干,加入2.50 mL 1.0 mol·L^(−1)硝酸溶液溶解,用水定容至25 mL。取一定体积上述溶液(蛋白质粉固态饮料样品取1.00 mL、婴儿配方奶粉样品取1.50 mL和面粉样品取2.00 mL),加入1.00 mL 50.0 g·L^(−1)盐酸羟胺溶液,静置2 min,加入4.00 mL 5.00×10^(-4)mol·L^(−1)邻二氮菲工作溶液,混匀后加入2.50 mL1.0 mol·L^(−1)三羟甲基氨基甲烷溶液(pH 8.5),用水定容至25 mL,静置10 min后在激发波长323 nm下,测量体系在363 nm处的荧光强度。结果表明:Fe^(3+)质量浓度在1.3440 mg·L^(−1)以内与邻二氮菲的荧光强度下降值呈线性关系,检出限(3s/k)为0.009 mg·L^(−1)。方法用于粉状食品中铁含量的测定,本底值的相对标准偏差(RSD,n=5)为1.7%~7.6%;按标准加入法进行回收试验,回收率为94.6%~99.9%,测定值的RSD(n=5)为1.5%~4.1%。经F检验和t检验分析,本方法与紫外-可见分光光度法、火焰原子吸收光谱法测定结果无显著性差异,但本方法的灵敏度更高。 展开更多
关键词 铁 邻二氮菲 荧光分光光度法 紫外-可见分光光度法 火焰原子吸收光谱法
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动物性食品中盐酸多西环素残留量荧光检测方法研究
15
作者 李月秋 田进禄 +3 位作者 徐天佑 王燕 张智 邸科前 《中国食品添加剂》 CAS 2024年第8期20-27,共8页
利用表面活性剂可以提高物质荧光强度这一原理以及固相萃取技术,建立荧光法检测动物性食品中盐酸多西环素残留量。讨论表面活性剂类型和加入量,反应温度、处理时间、加入顺序等条件对盐酸多西环素荧光强度的影响。设计了三因素三水平正... 利用表面活性剂可以提高物质荧光强度这一原理以及固相萃取技术,建立荧光法检测动物性食品中盐酸多西环素残留量。讨论表面活性剂类型和加入量,反应温度、处理时间、加入顺序等条件对盐酸多西环素荧光强度的影响。设计了三因素三水平正交实验,优化样品前处理过程。选择Mcllvaine-Na2EDTA缓冲液作为提取剂,甲醇、乙酸乙酯(1∶9)混合液作为洗脱剂,涡旋萃取时间为2 min。在1 cm石英比色皿中,设定激发波长(λex)为378 nm,发射波长(λem)为438 nm,冰浴30 min后扫描测定。在7.14×10^(-4)~5.71×10^(-2)mg/mL时,盐酸多西环素的浓度和荧光强度线性关系较好(r=0.9995),检出限为74.99 ng/mL,加标回收率为79.93%~90.48%,相对标准偏差为0.34%~0.73%。该方法可用于定性定量检测动物性食品中盐酸多西环素残留量。 展开更多
关键词 盐酸多西环素 吐温-20 动物性食品 固相萃取 荧光分光光度法
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半导体量子点的尺寸分布对其荧光的影响 被引量：2
16
作者 陈效双 刘兴权 +1 位作者 陆卫 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期81-85,共5页
基于量子局域模型，用类似Ｋａｎｅ平均场方法和Ｌｉｆｓｈｉｔｚ几率观点获得半导体量子点体系的光荧光谱．对直径为ｄ的半导体量子点尺寸用对数高斯或高斯分布描述，研究表明：光荧光谱的线型在短波边不对称，与实验观测一致；尺寸服... 基于量子局域模型，用类似Ｋａｎｅ平均场方法和Ｌｉｆｓｈｉｔｚ几率观点获得半导体量子点体系的光荧光谱．对直径为ｄ的半导体量子点尺寸用对数高斯或高斯分布描述，研究表明：光荧光谱的线型在短波边不对称，与实验观测一致；尺寸服从一定的分布导致光荧光峰红移，可用于获得表观激子束缚能； 展开更多
关键词 半导体量子点 光荧光 尺寸分布
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荧光太阳能聚光聚酰胺熔纺纤维的制备及其性能
17
作者 段泽平 秦世华 +5 位作者 郭诗盈 郭海洋 邓炳耀 李大伟 李昊轩 刘庆生 《纺织高校基础科学学报》 CAS 2024年第5期40-47,73,共9页
为了通过熔融纺丝的方法制得满足纺织加工要求的新型太阳能聚光纤维(FLSCs),以生物基聚酰胺和高温型荧光染料为原料,熔纺制得两类FLSCs,分析荧光染料种类、浓度和牵伸倍数对其结构和性能的影响。结果表明:FLSCs的表面光滑,条干均匀;随... 为了通过熔融纺丝的方法制得满足纺织加工要求的新型太阳能聚光纤维(FLSCs),以生物基聚酰胺和高温型荧光染料为原料,熔纺制得两类FLSCs,分析荧光染料种类、浓度和牵伸倍数对其结构和性能的影响。结果表明:FLSCs的表面光滑,条干均匀;随着染料浓度的增大,FLSCs的吸光度逐渐增大,激发荧光强度先增加后减小;当染料浓度为0.2%时,FLSCs与太阳能电池板耦合产生的短路电流量达到饱和,引入黄色染料FLSCs的电流可达10.2μA。3倍牵伸FLSCs的吸光度和短路电流量较初生FLSCs低,荧光强度变化不明显,拉伸强度均大于1.1 cN/dtex,可满足纺织加工对力学性能的要求。 展开更多
关键词 聚酰胺 熔融纺丝 牵伸倍数 荧光聚光纤维 光电性能
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基于钝化碳量子点的荧光分光光度法测定护肤品中谷胱甘肽
18
作者 杨建英 肖珩 +2 位作者 徐宁 朱虹 陈庆 《化学分析计量》 CAS 2024年第12期30-34,共5页
建立了基于钝化碳量子点的荧光分光光度法测定护肤品中的谷胱甘肽含量。高温加热柠檬酸制备碳量子点溶液,将不同浓度的谷胱甘肽标准溶液与1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺溶液(EDC)混合10 min,加入碳量子点溶液中反应10 min。样品用... 建立了基于钝化碳量子点的荧光分光光度法测定护肤品中的谷胱甘肽含量。高温加热柠檬酸制备碳量子点溶液,将不同浓度的谷胱甘肽标准溶液与1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺溶液(EDC)混合10 min,加入碳量子点溶液中反应10 min。样品用水提取,经PBS磷酸盐缓冲溶液稀释后,与标准溶液进行同步操作,测定荧光强度。谷胱甘肽溶液的质量浓度在0.1~100μg/mL范围内呈线性关系,相关系数为0.999 4,方法检出限为0.004%。在3种基质中,高、低两种加标水平下的平均回收率为93.7%~101.5%,测定结果的相对标准偏差为1.3%~3.3%(n=6)。该方法操作简便,适用于护肤品中谷胱甘肽含量的快速检测。 展开更多
关键词 荧光分光光度法 护肤品 谷胱甘肽
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微波消解-原子荧光分光光度法测定工业硫磺中的汞含量
19
作者 裴艳红 吕正忠 +2 位作者 常素萍 王礼云 朱静 《石化技术》 CAS 2024年第11期43-45,共3页
通过对工业硫磺中汞含量测定时载流液种类、硼氢化钾浓度、消解条件的选择优化,建立微波消解-原子荧光分光光度法测定工业硫磺中的Hg含量的方法。该方法测定浓度范围0~5μg/L的含汞样品线性相关系数大于0.999,汞的RSD小于4.5%,加标回收... 通过对工业硫磺中汞含量测定时载流液种类、硼氢化钾浓度、消解条件的选择优化,建立微波消解-原子荧光分光光度法测定工业硫磺中的Hg含量的方法。该方法测定浓度范围0~5μg/L的含汞样品线性相关系数大于0.999,汞的RSD小于4.5%,加标回收率在100.00%~113.50%,具有快速、简便、准确的特点,可以为硫磺的下游制造业业筛选原料提供技术参考。 展开更多
关键词 工业硫磺 汞 微波消解 原子荧光分光光度法
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原子荧光分光光度计测定土壤中汞的不确定度研究
20
作者 陈梓莹 《皮革制作与环保科技》 2024年第24期125-127,共3页
土壤中的汞含量事关环境保护和人类健康,因此精确测定汞含量至关重要。原子荧光分光光度计在此任务中发挥着关键作用。但在测量过程中,诸多因素可能导致不确定度,从而影响结果的准确性和可靠性。深入探讨原子荧光分光光度计测定土壤中... 土壤中的汞含量事关环境保护和人类健康,因此精确测定汞含量至关重要。原子荧光分光光度计在此任务中发挥着关键作用。但在测量过程中,诸多因素可能导致不确定度,从而影响结果的准确性和可靠性。深入探讨原子荧光分光光度计测定土壤中汞的不确定度,不仅能够提升测量精度,还能增强结果的可信度,这对于准确评估土壤中汞的污染水平,保障环境安全和人类健康具有重要意义。 展开更多
关键词 土壤 汞 原子荧光分光光度计 不确定度 测定
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