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热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究: 1; 作者荣延栋阴生毅 +6 位作者胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3181-3183,共3页; 采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对... 展开更多; 关键词非晶硅红外光致衰退; 在线阅读下载PDF 职称材料

a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响: 2; 作者王青阴生毅 +4 位作者胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3198-3200,3204,共4页; 采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.; 关键词氢化非晶硅氢含量光敏性光致衰退; 在线阅读下载PDF 职称材料

气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究被引量：14: 3; 作者张晓丹朱锋 +8 位作者赵颖侯国付魏长春孙建张德坤任慧志薛俊明耿新华熊绍珍《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期414-418,共5页; 本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的... 展开更多; 关键词 VHF-PECVD 制备方法气压 μc-Si:H 薄膜微晶硅材料太阳能电池光致衰退效应 SWE; 在线阅读下载PDF 职称材料

氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展被引量：12: 4; 作者廖乃镘李伟 +3 位作者蒋亚东匡跃军李世彬吴志明《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期21-24,共4页; 氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,... 展开更多; 关键词氢化非晶硅稳定性光致衰退效应物理模型稳定化处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究被引量：1: 5; 作者刘国汉丁毅 +3 位作者朱秀红何斌陈光华贺德衍《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期986-989,共4页; 为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(Si... 展开更多; 关键词电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积氢化非晶硅薄膜热丝光致衰退效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究: 6; 作者张文理陈光华 +6 位作者何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期67-70,共4页; 采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加... 展开更多; 关键词 A-SI:H薄膜沉积速率键合模式光致衰退; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶/微晶相变区硅基薄膜太阳能电池研究进展: 7; 作者范闪闪杨彦斌 +1 位作者于威傅广生《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2016年第5期468-473,共6页; 综述了非晶/微晶相变区硅基薄膜的微观结构、光电特性及其在太阳能电池中的应用进展.稳定优质的宽带隙初始晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的非晶硅一侧,其相比于非晶硅具有更高的中程有序性和更低的光致衰退特性.低缺陷密度的窄带隙纳米... 展开更多; 关键词非晶/微晶相变区中程有序性光致衰退叠层电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究: 1; 作者荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华; 机构北京工业大学; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3181-3183,共3页; 基金国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1); 文摘采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.; 关键词非晶硅红外光致衰退; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响: 2; 作者王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华; 机构北京工业大学; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3198-3200,3204,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1); 文摘采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.; 关键词氢化非晶硅氢含量光敏性光致衰退; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究被引量：14: 3; 作者张晓丹朱锋赵颖侯国付魏长春孙建张德坤任慧志薛俊明耿新华熊绍珍; 机构南开大学光电子所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期414-418,共5页; 基金国家"973"研究项目 (No .G2 0 0 0 0 2 82 0 2 G2 0 0 0 0 2 82 0 3 ) +1 种基金教育部重点项目 (No .0 2 167) "863"项目 (No .2 0 0 2 3 0 3 2 61)资助; 文摘本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性 ;; 关键词 VHF-PECVD 制备方法气压 μc-Si:H 薄膜微晶硅材料太阳能电池光致衰退效应 SWE; Keywords very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si∶H) Flourier transform infrared (FTIR) spectroscopy X-ray diffraction micro-Raman spectroscopy; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展被引量：12: 4; 作者廖乃镘李伟蒋亚东匡跃军李世彬吴志明; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期21-24,共4页; 文摘氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si∶H薄膜稳定性的方法。; 关键词氢化非晶硅稳定性光致衰退效应物理模型稳定化处理; Keywords a-Si ： H, stability, light-induced degeneration, physical model, stabilization treatment; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究被引量：1: 5; 作者刘国汉丁毅朱秀红何斌陈光华贺德衍; 机构兰州大学物理科学与技术学院北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期986-989,共4页; 基金国家重点基础研究发展规划资助项目(G000028201) 甘肃省自然科学基金项目(3ZS051-A25-052); 文摘为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。; 关键词电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积氢化非晶硅薄膜热丝光致衰退效应; Keywords MWECR-CVD a-Si： H Films hot wire light-induced degradation effect; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究: 6; 作者张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅; 机构北京工业大学; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期67-70,共4页; 文摘采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-Si:H薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加和热丝温度的上升而增加.通过光致衰退实验,将样品衰退前后的红外吸收谱图进行基线拟合和高斯函数拟合,计算得到薄膜的氢含量基本不发生变化,但Si-H与Si-H2组态的相对含量改变.; 关键词 A-SI:H薄膜沉积速率键合模式光致衰退; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶/微晶相变区硅基薄膜太阳能电池研究进展: 7; 作者范闪闪杨彦斌于威傅广生; 机构河北工业大学理学院河北大学物理科学与技术学院; 出处《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2016年第5期468-473,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(60940020) 河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(12963929); 文摘综述了非晶/微晶相变区硅基薄膜的微观结构、光电特性及其在太阳能电池中的应用进展.稳定优质的宽带隙初始晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的非晶硅一侧,其相比于非晶硅具有更高的中程有序性和更低的光致衰退特性.低缺陷密度的窄带隙纳米晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的微晶硅一侧,有效钝化的纳米硅晶粒具有较高的载流子迁移率和较好的长波响应特性.基于上述相变区硅薄膜材料的叠层电池已经达到13.6%的稳定转换效率.掺锗制备的硅锗薄膜可进一步降低薄膜的带隙宽度,引入相变区硅锗合金薄膜后,三结叠层电池初始效率已经达到16.3%,四结叠层太阳能电池理论效率可以超过20%.; 关键词非晶/微晶相变区中程有序性光致衰退叠层电池; Keywords phase transition from amorphous to microcrystalline medium range order light-induced degradation multi-junction solar cell; 分类号 O756 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究	荣延栋阴生毅胡跃辉吴越颖朱秀红周怀恩张文理邓金祥陈光华	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响	王青阴生毅胡跃辉朱秀红荣延栋周怀恩陈光华	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究	张晓丹朱锋赵颖侯国付魏长春孙建张德坤任慧志薛俊明耿新华熊绍珍	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	14	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展	廖乃镘李伟蒋亚东匡跃军李世彬吴志明	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	12	在线阅读下载PDF 职称材料
5	热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究	刘国汉丁毅朱秀红何斌陈光华贺德衍	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究	张文理陈光华何斌朱秀红马占洁丁毅刘国汉郜志华宋雪梅	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	非晶/微晶相变区硅基薄膜太阳能电池研究进展	范闪闪杨彦斌于威傅广生	《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料