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题名多晶硅背钝化太阳电池的光致衰减研究
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作者
刘石勇
何胜
单伟
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机构
浙江正泰太阳能科技有限公司
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出处
《太阳能》
2019年第4期33-36,共4页
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文摘
背钝化技术可以显著提升太阳电池的效率,但会使电池存在较大的光致衰减。该文系统研究了硅片种类和氢钝化技术对量产多晶硅背钝化太阳电池的光致衰减特性的影响,结果显示,掺Ga和B-Ga共掺硅片可以显著抑制多晶硅背钝化太阳电池的光致衰减,通过电注入诱导氢钝化技术可进一步改善电池的光稳定性。因此,在量产中实现B-Ga共掺硅片或掺B硅片与电注入处理技术相结合的方式都可以较好地解决多晶硅背钝化太阳电池光致衰减过大的问题。
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关键词
太阳电池
背钝化
光致衰减(lid)
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭和组件光衰的影响
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作者
牛晓龙
乔松
张莉沫
夏新中
高文宽
倪建雄
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机构
光伏材料与技术国家重点实验室
英利能源(中国)有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期836-841,共6页
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基金
河北省科技支撑计划资助项目(15214303D)
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文摘
研究了预烧结和未烧结的两种高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭少子寿命、氧浓度以及相应光伏组件光致衰减(LID)率的影响。采用含有预烧结隔离层的坩埚和未烧结隔离层的坩埚分别进行多晶硅铸锭实验并测试硅锭及相应光伏组件的性能。结果显示,两种隔离层对铁杂质都具有阻挡作用,预烧结的隔离层有利于降低硅锭中的氧浓度,其对应的硅锭中氧浓度和组件光致衰减率均为最低,而未经烧结的隔离层并未体现出这一作用。通过两种隔离层的SEM图像可以发现,经过预烧结工艺的隔离层结构更为致密;而未经烧结的隔离层中孔隙较多,可能容易引起硅熔体与隔离层或者坩埚进行反应,将较多的氧杂质引入到硅锭中,从而造成氧含量的增加并引起组件较高的光致衰减率。
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关键词
高纯SiO2隔离层
多晶硅铸锭
杂质
氧浓度
光致衰减(lid)
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Keywords
high-purity SiO2 barrier layer
multicrystalline silicon ingot
impurity
oxygen concentration
light induced degradation（lid）
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
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