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SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究
被引量：
1
1
作者
谢自力
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期10-12,17,共4页
研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型。
关键词
深能级陷阱
退火特性
半绝缘砷化镓
热处理
光致电流瞬态谱
在线阅读
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职称材料
题名
SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究
被引量：
1
1
作者
谢自力
机构
南京电子器件研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期10-12,17,共4页
文摘
研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型。
关键词
深能级陷阱
退火特性
半绝缘砷化镓
热处理
光致电流瞬态谱
Keywords
SI-GaAs
deep level trap
thermal annealing
PITS
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究
谢自力
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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