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半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究
1
作者
邹睿
林理彬
+2 位作者
张猛
张国庆
李永贵
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期33-36,共4页
利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响。用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子...
利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响。用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低。分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化,对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较。
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关键词
OTCS
量子阱
自由电子激
光
辐照
低温
光
荧
光
谱
红移
光瞬态电流谱
半导体材料
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职称材料
SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究
被引量：
1
2
作者
谢自力
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期10-12,17,共4页
研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型。
关键词
深能级陷阱
退火特性
半绝缘砷化镓
热处理
光
致
电流
瞬
态
谱
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职称材料
题名
半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究
1
作者
邹睿
林理彬
张猛
张国庆
李永贵
机构
四川大学物理系
中国科学院高能物理研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期33-36,共4页
基金
国家自然科学基金资助课题(6008802)
全国高校博士点基金资助课题
文摘
利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响。用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低。分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化,对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较。
关键词
OTCS
量子阱
自由电子激
光
辐照
低温
光
荧
光
谱
红移
光瞬态电流谱
半导体材料
Keywords
GaAs/AlGaAs quantum wells
free electron laser irradiation
photoluminescence spectra
red shift
OTCS
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究
被引量：
1
2
作者
谢自力
机构
南京电子器件研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期10-12,17,共4页
文摘
研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型。
关键词
深能级陷阱
退火特性
半绝缘砷化镓
热处理
光
致
电流
瞬
态
谱
Keywords
SI-GaAs
deep level trap
thermal annealing
PITS
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究
邹睿
林理彬
张猛
张国庆
李永贵
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
2
SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究
谢自力
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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职称材料
已选择
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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