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动态范围超过75dB的InGaAs/InAIAs光电导太赫兹探测天线制备与表征
1
作者
江情男
谭智勇
+4 位作者
万文坚
符张龙
夏宇
李敏
曹俊诚
《红外与毫米波学报》
北大核心
2025年第4期562-568,共7页
光电导天线是太赫兹频段非常重要的器件,在太赫兹时域光谱技术中应用广泛。本文采用分子束外延生长方法制备Be掺杂InGaAs/InAlAs超晶格材料,作为1550nm激光泵浦光电导太赫兹探测天线的光吸收材料,制备的材料方块电阻大于10°Q2/sq...
光电导天线是太赫兹频段非常重要的器件,在太赫兹时域光谱技术中应用广泛。本文采用分子束外延生长方法制备Be掺杂InGaAs/InAlAs超晶格材料,作为1550nm激光泵浦光电导太赫兹探测天线的光吸收材料,制备的材料方块电阻大于10°Q2/sq、电子迁移率为216cm^(2)/(Vs)。采用湿法腐蚀和磁控溅射工艺分别制备探测天线有源区台面和电极结构,并将天线芯片封装在PCB电路板上。采用国产1550nm飞秒泵浦激光器搭建探测天线测试系统,对电极间隙分别为40μm和60μm的探测天线进行了表征。测量结果表明,60μm天线具有更宽的谱宽和功率动态范围,分别达到4.0THz和77.0dB。
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关键词
太赫兹
光电导探测天线
分子束外延
时域光谱
光纤飞秒激光
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职称材料
题名
动态范围超过75dB的InGaAs/InAIAs光电导太赫兹探测天线制备与表征
1
作者
江情男
谭智勇
万文坚
符张龙
夏宇
李敏
曹俊诚
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室
中国科学院大学材料与光电研究中心
上海理工大学光电信息与计算机工程学院
出处
《红外与毫米波学报》
北大核心
2025年第4期562-568,共7页
基金
国家自然科学基金(61927813、62435020、12333012)。
文摘
光电导天线是太赫兹频段非常重要的器件,在太赫兹时域光谱技术中应用广泛。本文采用分子束外延生长方法制备Be掺杂InGaAs/InAlAs超晶格材料,作为1550nm激光泵浦光电导太赫兹探测天线的光吸收材料,制备的材料方块电阻大于10°Q2/sq、电子迁移率为216cm^(2)/(Vs)。采用湿法腐蚀和磁控溅射工艺分别制备探测天线有源区台面和电极结构,并将天线芯片封装在PCB电路板上。采用国产1550nm飞秒泵浦激光器搭建探测天线测试系统,对电极间隙分别为40μm和60μm的探测天线进行了表征。测量结果表明,60μm天线具有更宽的谱宽和功率动态范围,分别达到4.0THz和77.0dB。
关键词
太赫兹
光电导探测天线
分子束外延
时域光谱
光纤飞秒激光
Keywords
terahertz
photoconductive detection antenna
molecular beam epitaxy
time-domain spectroscopy
fiber
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
动态范围超过75dB的InGaAs/InAIAs光电导太赫兹探测天线制备与表征
江情男
谭智勇
万文坚
符张龙
夏宇
李敏
曹俊诚
《红外与毫米波学报》
北大核心
2025
0
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