红外测量系统中光电导探测器电路设计 被引量：10

1

作者 陈兴梧 刘鸣 +1 位作者 赵煜 赵慧影 《红外技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期33-37,49,共6页

光电导探测器是一种常用的红外探测器件。文中介绍了其基本工作原理 ;选择光电导探测器的原则和依据 ;

关键词 红外测量系统 光电导探测器 偏置电路设计

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光电导探测器的响应时间与微变等效电路 被引量：2

2

作者 江文杰 施建华 +1 位作者 曾学文 王省书 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第5期792-796,共5页

为了研究光电导探测器对高频光信号的响应特性,分析了光电导探测器响应时间的物理机理,应用解析方法推导出了它的响应时间表达式及其适用条件,建立了光电导探测器的微变等效电路模型,测试了CdSe光电导探测器在不同外接负载电阻条件下的... 为了研究光电导探测器对高频光信号的响应特性,分析了光电导探测器响应时间的物理机理,应用解析方法推导出了它的响应时间表达式及其适用条件,建立了光电导探测器的微变等效电路模型,测试了CdSe光电导探测器在不同外接负载电阻条件下的响应时间参数。实验表明:在照度小于103lx范围内,CdSe光电导探测器的响应时间平均值为5.4ms,与外接负载电阻的阻值无关。研究表明:线性光电导探测器的响应时间由半导体材料内部的微观结构决定;探测器可等效为恒流源和光电阻的并联;外接输出电路时,其总的响应时间与探测器的响应时间和光电检测电路的时间常数两个参数有关,一般应用中可近似取为探测器的响应时间。 展开更多

关键词 光电导探测器 响应时间 恒流源 微变等效电路 光电检测电路

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AlGaN紫外光电导探测器的研究 被引量：1

3

作者 王峰祥 郝跃 《现代电子技术》 2004年第6期1-2,5,共3页

在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了未掺杂的Al_(0.15)Ga_(0.05)N外延层,并以此为材料制作了光电导探测器,实验发现探测器具有显著的紫外光响应。分析了探测器持续光电导效应(PPC)的产生机理。

关键词 ALGAN 光电导探测器 紫外光 PPC

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基于门控积分的光电导探测器标定方法

4

作者 彭承志 虞孝麒 +3 位作者 金革 万长春 杨冬 胡元峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期398-400,共3页

为了用同步辐射光源完成对光电导探测器的标定工作,用门控积分方法代替基于高性能宽带示波器的高灵敏测量系统,改进了前端放大器,带宽达到了2.9 GHz,改进后的门控积分系统灵敏度达到2.8×10^-18 C/bit.在北京同步辐射装置进行了金... 为了用同步辐射光源完成对光电导探测器的标定工作,用门控积分方法代替基于高性能宽带示波器的高灵敏测量系统,改进了前端放大器,带宽达到了2.9 GHz,改进后的门控积分系统灵敏度达到2.8×10^-18 C/bit.在北京同步辐射装置进行了金刚石探测器的灵敏度动态标定实验,针对碳、铝、镍、铁多种薄滤波片进行了测量,获得了具有比较好的信噪比结果.从试验结果可以初步得出样品探测器在长波段响应（50～280 eV）比较灵敏,在原理上验证了这种方法的可行性. 展开更多

关键词 光电导探测器 惯性约束聚变 标定 门控积分

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背景辐射对长波HgCdTe光电导探测器性能的影响 被引量：2

5

作者 张卫军 李言谨 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 1997年第1期33-39,共7页

分析了背景辐射影响长波HgCdTe光电导探测器性能的基本原理，分析中考虑了器件上下两表面的表面复合速度和不同器件的具体参数。在MTD标准测试杜瓦上改装了一视场角可连续变化的冷屏（110～10°），用光电导衰退测量了不同视场角下... 分析了背景辐射影响长波HgCdTe光电导探测器性能的基本原理，分析中考虑了器件上下两表面的表面复合速度和不同器件的具体参数。在MTD标准测试杜瓦上改装了一视场角可连续变化的冷屏（110～10°），用光电导衰退测量了不同视场角下载流子有效寿命，用红外探测器的标准测试方法测量了不同规场角下器件的黑体响应率，单位带宽的均方根噪声电压，黑体探测率，实验结果表明所研制的长波器件已经达到低温背景限的性能。降低背景辐射量可使器件性能有很大提高，用测试过的器件的参数经理论计算得到的结果同实验数据基本一致。 展开更多

关键词 红外探测器 背景辐射 性能分析 光电导探测器

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HgCdTe长波光电导探测器的电路设计与噪声分析 被引量：4

6

作者 杨念 华建文 +1 位作者 代作晓 王模昌 《科学技术与工程》 2006年第3期261-264,共4页

从探测器电路的性能指标出发,在HgCdTe长波光导探测器工作特性分析的基础上对探测器的电源滤波、偏置电路以及前置放大器的电路设计进行了讨论,并在此基础上对电路进行了噪声分析和实验。

关键词 光电导探测器 偏置电路 前置放大电路 电源滤波

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改善光电导探测器NBP＜10^（－6）的新想法

7

作者 文婷婷 《量子电子学》 CSCD 1994年第2期85-85,共1页

改善光电导探测器ＮＢＰ＜１０^（－６）的新想法文婷婷（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）光电导探测器也是把输入光信号转变成电信号输出的一种光电器件。噪声等效功率ＮＥＰ的数值直接反映了此探测器的质量好... 改善光电导探测器ＮＢＰ＜１０^（－６）的新想法文婷婷（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）光电导探测器也是把输入光信号转变成电信号输出的一种光电器件。噪声等效功率ＮＥＰ的数值直接反映了此探测器的质量好坏，并代表了该器件的灵敏度。过去我?.. 展开更多

关键词 光电导探测器 NEP 硅

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ZnO光电导紫外探测器的制备和特性研究 被引量：33

8

作者 叶志镇 张银珠 +4 位作者 陈汉鸿 何乐年 邹璐 黄靖云 吕建国 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1605-1607,共3页

以Si(111)衬底 ,用脉冲激光沉积 (PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜 ,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器 .Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的 .对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明 ,金属铝和ZnO能形成很... 以Si(111)衬底 ,用脉冲激光沉积 (PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜 ,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器 .Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的 .对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明 ,金属铝和ZnO能形成很好的欧姆接触 ,紫外探测器的电阻值在 10 0KΩ左右 .在紫外区域 ,其 5V偏压下的光响应度为0 .5A/W . 展开更多

关键词 ZNO薄膜 光电导紫外探测器 欧姆接触 光响应度

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激光辐照参数对光导型光电探测器响应的影响 被引量：1

9

作者 杜立峰 孙静 张蓉竹 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期120-123,129,共5页

文章针对激光照射下光导型碲镉汞光电探测器的响应特性展开了研究,主要讨论了强激光照射下辐照时间、波长及光功率密度对探测器响应特性的影响。从传统载流子的漂移扩散模型出发,在考虑温度的变化下推导出描述半导体载流子的动态方程,... 文章针对激光照射下光导型碲镉汞光电探测器的响应特性展开了研究,主要讨论了强激光照射下辐照时间、波长及光功率密度对探测器响应特性的影响。从传统载流子的漂移扩散模型出发,在考虑温度的变化下推导出描述半导体载流子的动态方程,并通过数值模拟,给出了理论上的激光辐照主要参数对探测器电阻及输出电压的影响。结果表明:半导体探测器材料的热效应随辐照时间的增加而明显,随功率密度的增加而明显,但与波长的变化没有太大联系;输出电压随功率密度的增加而增加最终趋于饱和。 展开更多

关键词 光导型光电探测器 激光参数 响应特性

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体晶ZnO光导探测器制备与测试 被引量：3

10

作者 赵鹏 周旭昌 +2 位作者 洪雁 唐利斌 彭曼泽 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第10期567-569,共3页

在体单晶ZnO的Zn面和O面通过直流溅射金属薄膜,并采用剥离电极成型方法制备梳妆电极,从而制备出体晶ZnO紫外光导探测器。对Pt/ZnO/Pt的伏安特性测试研究表明,金属Pt和ZnO形成很好的欧姆接触,而Zn面的器件电阻明显低于O面的器件电阻。对... 在体单晶ZnO的Zn面和O面通过直流溅射金属薄膜,并采用剥离电极成型方法制备梳妆电极,从而制备出体晶ZnO紫外光导探测器。对Pt/ZnO/Pt的伏安特性测试研究表明,金属Pt和ZnO形成很好的欧姆接触,而Zn面的器件电阻明显低于O面的器件电阻。对制成的紫外探测器的光电性能测试表明,器件制备极性面的选择,测试的调制频率、偏置电压对器件的性能有较大影响,最终器件的电流响应率达到14.6A/W。 展开更多

关键词 ZnO体晶 光电导紫外探测器 欧姆接触 响应率

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背景辐射对0.1eVHgCdTe光导探测器性能的影响

11

作者 黄建新 方家熊 汤定元 《红外研究》 CSCD 北大核心 1989年第1期1-10,共10页

——详细计算并讨论了背景辐射对0.1eVHgCdTe(77K)光电导探测器性能的影响以及接近或达到背景辐射限的条件.在计算中,除考虑到辐射在探器中的多次反射外,还考虑了探测器的表面复合以及厚度的变化.并由过(?)载(?)子的连续性方程,导出了... ——详细计算并讨论了背景辐射对0.1eVHgCdTe(77K)光电导探测器性能的影响以及接近或达到背景辐射限的条件.在计算中,除考虑到辐射在探器中的多次反射外,还考虑了探测器的表面复合以及厚度的变化.并由过(?)载(?)子的连续性方程,导出了探测器量子效率的普遍表达式. 展开更多

关键词 背景辐射 光电导探测器 表面复合

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全无机钙钛矿纳米晶薄膜光电探测器 被引量：3

12

作者 杨智 汪敏强 +1 位作者 张妙 窦金娟 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第9期209-214,共6页

为改善有机-无机铅卤钙钛矿的空气稳定性,采用高温热注入法合成了两种不同尺寸的全无机钙钛矿CsPbBr_3纳米晶。由于晶粒尺寸对纳米晶薄膜电学性能具有决定性的作用,研究了CsPbBr_3纳米晶尺寸对薄膜光电导探测器光电响应性能的影响。结... 为改善有机-无机铅卤钙钛矿的空气稳定性,采用高温热注入法合成了两种不同尺寸的全无机钙钛矿CsPbBr_3纳米晶。由于晶粒尺寸对纳米晶薄膜电学性能具有决定性的作用,研究了CsPbBr_3纳米晶尺寸对薄膜光电导探测器光电响应性能的影响。结果表明:纳米片薄膜的光电流是纳米立方块薄膜的100倍,归结于二维CsPbBr_3纳米片薄膜更少的晶界导致了更长的载流子扩散长度。对性能更加优异的纳米片薄膜光电探测器进行了全面的性能评价,低的噪声等效功率和高的归一化探测率表明其具有优异的弱光探测能力。 展开更多

关键词 全无机钙钛矿 纳米晶 尺寸效应 光电导探测器 噪声分析

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0.1eV HgCdTe光导探测器的1/f噪声特性

13

作者 翟树礼 《红外与激光技术》 CSCD 1989年第4期35-39,共5页

在77K和10^(14)phcm^(-2)s^(-1)光子背景条件下,测量了具有新的电极结构和不同尺寸的0.1eV HgCdTe光导探测器的灵敏度。依照响应率数据,通过解非平衡少数载流子一维扩散方程,导出产生-复合噪声(g-r噪声)和少子寿命,然后讨论了1/f噪声问... 在77K和10^(14)phcm^(-2)s^(-1)光子背景条件下,测量了具有新的电极结构和不同尺寸的0.1eV HgCdTe光导探测器的灵敏度。依照响应率数据,通过解非平衡少数载流子一维扩散方程,导出产生-复合噪声(g-r噪声)和少子寿命,然后讨论了1/f噪声问题,并得出特征性结论。 展开更多

关键词 光电导探测器 碲镉汞 噪声 灵敏度

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GaAs:Cr探测器对聚变脉冲中子诊断的灵敏度研究 被引量：4

14

作者 杨洪琼 杨瑞华 +4 位作者 彭忠传 王慧芳 杨建伦 胡孟春 陈旭东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期381-385,共5页

介绍了国产ＧａＡｓ：Ｃｒ光电导探测器（简称ＰＣＤ）在ＤＴ聚变中子辐射脉冲测量中的应用，利用ＰＩＮ探测系统绝对测量结果，获得了ＧａＡｓ：ＣｒＰＣＤ的１４．１ＭｅＶ中子直照灵敏度是１．５２×１０－２０Ｃｃｍ２／ｍｍ３... 介绍了国产ＧａＡｓ：Ｃｒ光电导探测器（简称ＰＣＤ）在ＤＴ聚变中子辐射脉冲测量中的应用，利用ＰＩＮ探测系统绝对测量结果，获得了ＧａＡｓ：ＣｒＰＣＤ的１４．１ＭｅＶ中子直照灵敏度是１．５２×１０－２０Ｃｃｍ２／ｍｍ３，测量误差为±１８％。此结果与理论预估和国外报道在误差内符合。 展开更多

关键词 PCD 聚变中子 光电导探测器 中子诊断

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短波紫外光照射对n型碲镉汞探测器的影响

15

作者 史衍丽 陈铁金 +1 位作者 冯文清 吴兴惠 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期443-447,共5页

用波长以１８４９和２５３７为主的短波紫外光对经阳极氧化的光电导器件进行一定时间的照射，结果表明，器件探测率和响应率显著提高．

关键词 光电导探测器 碲镉汞 短波紫外光 红外探测器

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红外探测器的低噪声前置放大电路设计 被引量：8

16

作者 江婷 李胜 +2 位作者 高闽光 童晶晶 李妍 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期913-918,共6页

在红外探测器的工程应用中,前置放大电路是影响整个探测系统性能的重要组成部分。本文从制冷型碲镉汞光导红外探测器的工作特性出发,设计了一种恒流偏置的低噪声前置放大电路。对电路的工作原理以及噪声性能进行分析,并进行了电路仿真... 在红外探测器的工程应用中,前置放大电路是影响整个探测系统性能的重要组成部分。本文从制冷型碲镉汞光导红外探测器的工作特性出发,设计了一种恒流偏置的低噪声前置放大电路。对电路的工作原理以及噪声性能进行分析,并进行了电路仿真验证以及低噪声的性能测试。实验结果表明,基于窄带滤波法设计的前置放大电路信噪比达到80 dB,具有60~120 dB的可调增益,可以有效抑制噪声并检测到10-8A量级的微变交流信号,在信号检测方面达到了良好的检测效果。 展开更多

关键词 光电导探测器 微弱信号 偏置电路 前置放大电路

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PLD法生长高质量ZnO薄膜及其光电导特性研究 被引量：2

17

作者 边继明 李效民 +1 位作者 赵俊亮 于伟东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期701-706,共6页

采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射 (XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌．结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加, ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得... 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射 (XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌．结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加, ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善．优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀．以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料,利用剥离(lift-off)技术制备了MSM 结构ZnO光电导型紫外探测器．紫外光照射前后的I—V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象,分析了其光电响应机理． 展开更多

关键词 ZNO薄膜 脉冲激光沉积 光电导紫外探测器 光电响应机理

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光电探测技术及器件

18

《中国光学》 EI CAS 1995年第2期59-60,共2页

TN215 95021107GaAs/Al_0.4Ga_0.6As多量子阱红外探测器光吸收计算=Calculation of intersubband optical ab— sorption in GaAs/Al_0.4Ga<sub>0.6</sub&... TN215 95021107GaAs/Al_0.4Ga_0.6As多量子阱红外探测器光吸收计算=Calculation of intersubband optical ab— sorption in GaAs/Al_0.4Ga_0.6As multiquantumwen infrared detector[刊,中]/范卫军,夏建白（中科院半导体所）∥半导体学报.—1994,15（10）. 展开更多

关键词 半导体 超快光电探测器 光电导探测器 光敏三极管 雪崩光电二极管 高速集成电路 光吸收谱 探测技术 中科院 异质结光电三极管

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光探测与器件

19

《中国光学》 EI CAS 2002年第3期71-72,共2页

TN366 2002032109GaAs光电导探测器=GaAs photoconductor detectors[刊,中]/张乃罡,林理彬,甘荣兵(四川大学物理系.四川,成都(610064))//半导体技术.-2001,26(6).-37-39研究了一种双微带结构的GaAs光电导探测器的性能,测量了本征GaAs探... TN366 2002032109GaAs光电导探测器=GaAs photoconductor detectors[刊,中]/张乃罡,林理彬,甘荣兵(四川大学物理系.四川,成都(610064))//半导体技术.-2001,26(6).-37-39研究了一种双微带结构的GaAs光电导探测器的性能,测量了本征GaAs探测器和经过1.6MeV电子辐照的探测器的X脉冲响应,并对其响应时间,后沿下降时间,半高宽(FWHM)进行对比研究,结果显示经电子辐照后的探测器的性能得到了明显提高。图4表1参5(李瑞琴) 展开更多

关键词 光探测器 电子辐照 半导体技术 光电导探测器 大学物理 对比研究 脉冲响应 响应时间 光电探测器 四川

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光探测与器件

20

《中国光学》 EI CAS 2001年第1期74-75,共2页

TN23 2001010496GaN紫外光探测器=GaN UV photodetectors[刊,中]/张备恒,刘云燕(山东大学物理系.山东,济南(250100))∥物理.-2000,29(2).-82-85,113评述了近年来在GaN紫外光探测器方面的研究进展,介绍了GaN光电导探测器,p-n结二极管探... TN23 2001010496GaN紫外光探测器=GaN UV photodetectors[刊,中]/张备恒,刘云燕(山东大学物理系.山东,济南(250100))∥物理.-2000,29(2).-82-85,113评述了近年来在GaN紫外光探测器方面的研究进展,介绍了GaN光电导探测器,p-n结二极管探测器、肖特基势垒探测器以及MSM结构探测器的制备方法,光电参数及研究现状。图4参7(李瑞琴)TN366 2001010497双波段光电探测器=TWO-color photodetectors[刊,中]/刘铁权,但伟(重庆光电技术研究所.重庆(400060))∥半导体光电.-2000,21(增刊).-70-72光电探测器是实现光电检测及各种光电技术的核心部件。 展开更多

关键词 紫外光探测器 光电探测器 肖特基势垒探测器 谐振腔增强型光探测器 光电导探测器 研究进展 制备方法 研究现状 光电检测 双波段

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