通过掩膜预处理和挡板转移技术的配合 ,利用真空沉积方法首次制备了内场助结构Ag O Cs光电发射薄膜。Ag O Cs薄膜内场助光电发射特性测试结果表明 ,该方法能够有效地实现Ag O Cs薄膜体内电场的加载与表面电极的引出 ,薄膜光电灵敏度随...通过掩膜预处理和挡板转移技术的配合 ,利用真空沉积方法首次制备了内场助结构Ag O Cs光电发射薄膜。Ag O Cs薄膜内场助光电发射特性测试结果表明 ,该方法能够有效地实现Ag O Cs薄膜体内电场的加载与表面电极的引出 ,薄膜光电灵敏度随内场偏压的增大而上升。Ag O Cs薄膜在内场作用下的光电发射增强现象与薄膜体内能带结构变化。展开更多
制备了透射式 Ga As阴极组件 ,测量了 Ga As阴极激活过程中阴极光电灵敏度和发射电子平均横向能量随激活时间的变化 ,用扫描电镜观察 Ga As(Cs,O)阴极表面形貌 ,结果表明 :Ga As(Cs,O)阴极发射电子横向能量取决于 Ga As晶格温度、阴极...制备了透射式 Ga As阴极组件 ,测量了 Ga As阴极激活过程中阴极光电灵敏度和发射电子平均横向能量随激活时间的变化 ,用扫描电镜观察 Ga As(Cs,O)阴极表面形貌 ,结果表明 :Ga As(Cs,O)阴极发射电子横向能量取决于 Ga As晶格温度、阴极表面形貌和电子在能带弯曲区的多次散射 ,与 (Cs,O)激活层无关 .展开更多
文摘通过掩膜预处理和挡板转移技术的配合 ,利用真空沉积方法首次制备了内场助结构Ag O Cs光电发射薄膜。Ag O Cs薄膜内场助光电发射特性测试结果表明 ,该方法能够有效地实现Ag O Cs薄膜体内电场的加载与表面电极的引出 ,薄膜光电灵敏度随内场偏压的增大而上升。Ag O Cs薄膜在内场作用下的光电发射增强现象与薄膜体内能带结构变化。
文摘制备了透射式 Ga As阴极组件 ,测量了 Ga As阴极激活过程中阴极光电灵敏度和发射电子平均横向能量随激活时间的变化 ,用扫描电镜观察 Ga As(Cs,O)阴极表面形貌 ,结果表明 :Ga As(Cs,O)阴极发射电子横向能量取决于 Ga As晶格温度、阴极表面形貌和电子在能带弯曲区的多次散射 ,与 (Cs,O)激活层无关 .
