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非线性光电导开关载流子碰撞电离分析
被引量：
1
1
作者
王馨梅
施卫
+1 位作者
屈光辉
侯磊
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期1958-1961,共4页
对非线性GaAs光电导开关在锁定期间的电流成丝现象、具有负微分迁移率的速场特性、深能级的陷阱效应、光子的再吸收等因素进行分析,建立了非线性光电导开关锁定期间的连续性方程和电中性方程.基于该方程组,用有限差分法计算了偏压为2200...
对非线性GaAs光电导开关在锁定期间的电流成丝现象、具有负微分迁移率的速场特性、深能级的陷阱效应、光子的再吸收等因素进行分析,建立了非线性光电导开关锁定期间的连续性方程和电中性方程.基于该方程组,用有限差分法计算了偏压为2200V的3.5mmGaAs:EL2非线性光电导开关的电流实验数据,得到电流丝内载流子瞬态特性为:载流子浓度约为1017cm-3,EL2电子陷阱近似饱和;电子电流随锁定时间明显下降,空穴电流基本不变;单位寿命时间载流子雪崩倍增因子的均值约为1.2,其统计起伏随锁定时间增大.
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关键词
光电半导体开关
砷化镓
碰撞电离
锁定
连续性方程
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职称材料
影响超快光电导开关关断特性的主次因素
被引量：
2
2
作者
王馨梅
施卫
《西安理工大学学报》
CAS
2008年第4期407-410,共4页
超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用...
超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用,其中,载流子寿命是最重要的因素。触发光参数及光电耦合关系、电极工艺、电路参数对关断特性有一定影响。
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关键词
光电半导体开关
关断特性
影响因素
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职称材料
触发区域宽度对砷化镓光导开关输出特性影响
3
作者
陈红
韦金红
+4 位作者
曾凡正
贾成林
付泽斌
李嵩
钱宝良
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第10期150-155,共6页
基于TCAD数值仿真软件,建立了异面结构砷化镓光导开关(GaAs PCSS)的二维数值计算模型,研究了触发区域宽度对GaAs PCSS输出特性影响。首先分析了PCSS的瞬态导通特性,结果表明,急剧增加的载流子浓度与快速演化的空间电离畴使PCSS工作在超...
基于TCAD数值仿真软件,建立了异面结构砷化镓光导开关(GaAs PCSS)的二维数值计算模型,研究了触发区域宽度对GaAs PCSS输出特性影响。首先分析了PCSS的瞬态导通特性,结果表明,急剧增加的载流子浓度与快速演化的空间电离畴使PCSS工作在超快速导通模式。基于此,研究了触发区域宽度对PCSS输出特性影响,结果表明,宽度变大会促进载流子密度急剧倍增和雪崩电离畴的快速演化,缩短PCSS的延迟时间和导通时间。研究分析了不同触发位置对延迟时间与导通时间影响,结果表明,阴极触发的延迟时间明显低于阳极触发,而导通时间受触发位置的影响不显著。
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关键词
砷化镓
光电
导
半导体
开关
异面电极
雪崩电离畴
超快速导通
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职称材料
题名
非线性光电导开关载流子碰撞电离分析
被引量：
1
1
作者
王馨梅
施卫
屈光辉
侯磊
机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期1958-1961,共4页
基金
国家自然科学基金(50477011)
国家重点基础研究发展基金(2007CB310406)资助
文摘
对非线性GaAs光电导开关在锁定期间的电流成丝现象、具有负微分迁移率的速场特性、深能级的陷阱效应、光子的再吸收等因素进行分析,建立了非线性光电导开关锁定期间的连续性方程和电中性方程.基于该方程组,用有限差分法计算了偏压为2200V的3.5mmGaAs:EL2非线性光电导开关的电流实验数据,得到电流丝内载流子瞬态特性为:载流子浓度约为1017cm-3,EL2电子陷阱近似饱和;电子电流随锁定时间明显下降,空穴电流基本不变;单位寿命时间载流子雪崩倍增因子的均值约为1.2,其统计起伏随锁定时间增大.
关键词
光电半导体开关
砷化镓
碰撞电离
锁定
连续性方程
Keywords
Photoconductive semiconductor switch
Semiconducting
gallium arsenide
Impact ionization
Lock-on
Continuity equation
分类号
TN201 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
影响超快光电导开关关断特性的主次因素
被引量：
2
2
作者
王馨梅
施卫
机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
西安理工大学理学院
出处
《西安理工大学学报》
CAS
2008年第4期407-410,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB310406)
国家自然科学基金资助项目(50837005)
文摘
超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用,其中,载流子寿命是最重要的因素。触发光参数及光电耦合关系、电极工艺、电路参数对关断特性有一定影响。
关键词
光电半导体开关
关断特性
影响因素
Keywords
photoconductive semiconductor switch
turn-off characteristic
influencing factor
分类号
TN201 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
触发区域宽度对砷化镓光导开关输出特性影响
3
作者
陈红
韦金红
曾凡正
贾成林
付泽斌
李嵩
钱宝良
机构
国防科技大学前沿交叉学科学院
出处
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第10期150-155,共6页
基金
脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金项目(SKL 2021KF05)。
文摘
基于TCAD数值仿真软件,建立了异面结构砷化镓光导开关(GaAs PCSS)的二维数值计算模型,研究了触发区域宽度对GaAs PCSS输出特性影响。首先分析了PCSS的瞬态导通特性,结果表明,急剧增加的载流子浓度与快速演化的空间电离畴使PCSS工作在超快速导通模式。基于此,研究了触发区域宽度对PCSS输出特性影响,结果表明,宽度变大会促进载流子密度急剧倍增和雪崩电离畴的快速演化,缩短PCSS的延迟时间和导通时间。研究分析了不同触发位置对延迟时间与导通时间影响,结果表明,阴极触发的延迟时间明显低于阳极触发,而导通时间受触发位置的影响不显著。
关键词
砷化镓
光电
导
半导体
开关
异面电极
雪崩电离畴
超快速导通
Keywords
gallium arsenide
photoconductive semiconductor switch
opposed structure electrode
multiple avalanche domains
ultrafast-switching mode
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非线性光电导开关载流子碰撞电离分析
王馨梅
施卫
屈光辉
侯磊
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
影响超快光电导开关关断特性的主次因素
王馨梅
施卫
《西安理工大学学报》
CAS
2008
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
触发区域宽度对砷化镓光导开关输出特性影响
陈红
韦金红
曾凡正
贾成林
付泽斌
李嵩
钱宝良
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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