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CdS敏化对TiO_2纳米薄膜电极光生电荷转移特性的影响 被引量:33
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作者 钱新明 宋庆 +4 位作者 白玉白 李铁津 汤心颐 董绍俊 汪尔康 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期295-297,共3页
The TiO 2 nanoparticle thin films have been sensitized in situ with CdS nanoparticles. The SPS measurement showed that large surface state density was present on the TiO 2 nanoparticles and the surface state can be ef... The TiO 2 nanoparticle thin films have been sensitized in situ with CdS nanoparticles. The SPS measurement showed that large surface state density was present on the TiO 2 nanoparticles and the surface state can be efficiently decreased by sensitization as well as selecting suitable heat treatment. Both the photocurrent response and the charge recombination kinetics in TiO 2 thin films were strongly influenced by trapping/detrapping of surface states. The slow photocurrent response of TiO 2 nanoparticulate thin films upon the illumination was attributed to the trap saturation effects. The semiconductor sensitization made the slow photoresponse disappeared and the steadystate photocurrent value increased drastically, which suggested that the sensitization of TiO 2 thin films with CdS could get a better charge separation and provide a simple alternative to minimize the effect of surface state on the photocurrent response. 展开更多
关键词 电极敏化 光生电荷转移 氧化钛薄膜电极 硫化镉
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n-Si/TiO_2/偶氮颜料微纳米尺度下的光生电荷转移性质
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作者 王雪松 王凌凌 +1 位作者 王德军 谢腾峰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期858-860,共3页
The photo-generated charge transfer characteristics of n-Si/TiO2/Azo pigment in micrometer regions was studied by means of kelvin probe force microscopy(KFM) technique.The results showed that the photo-generated elect... The photo-generated charge transfer characteristics of n-Si/TiO2/Azo pigment in micrometer regions was studied by means of kelvin probe force microscopy(KFM) technique.The results showed that the photo-generated electrons of Azo pigment particles transferred to n-Si/TiO2 under illumination,and a photo-induced p-n-p structure in micro-scale was observed for the first time.This result indicates that photo-generated charge transfer characteristics of organic/inorganic complex in nano-scale can be observed directly by KFM. 展开更多
关键词 异质结构 表面伏特性 Kelvin探针力显微镜 光生电荷转移
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CdS/ZnO异质结构材料的光生电荷性质 被引量:6
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作者 王凌凌 杨文胜 +1 位作者 王德军 谢腾峰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2316-2318,共3页
CdS纳米材料由于具有良好的可见光光电性质而成为太阳能利用研究中的热点[1],特别是近年来对CdS进行修饰和改性构成具有异质界面的复合材料,能够提高光生电荷的分离效率,减缓光腐蚀,
关键词 CdS/ZnO异质结构 表面伏相位谱 瞬态表面 光生电荷转移
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利用Kelvin探针力显微镜研究纳米尺度下n-AlGaN/GaN薄膜的表面电荷性质 被引量:2
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作者 王凌凌 杨文胜 +1 位作者 王德军 谢腾峰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期139-142,共4页
利用真空Kelvin探针力显微镜(KFM)研究了纳米尺度下n-AlGaN/GaN薄膜的表面电荷性质并进行了定量测量.结果表明,n-AlGaN/GaN薄膜的表面位错均为电活性的受主型表面态,所捕获电荷的区域远远大于表面位错的大小,其表面电势与GaN薄膜表面电... 利用真空Kelvin探针力显微镜(KFM)研究了纳米尺度下n-AlGaN/GaN薄膜的表面电荷性质并进行了定量测量.结果表明,n-AlGaN/GaN薄膜的表面位错均为电活性的受主型表面态,所捕获电荷的区域远远大于表面位错的大小,其表面电势与GaN薄膜表面电势的最大差值达到590 mV.在光照下,n-AlGaN/GaN薄膜的表面电荷发生了明显的光生电荷重新分布现象. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN异质结 表面电势 Kelvin探针力显微镜 光生电荷转移
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