采用光生伏特效应的LED芯片在线检测方法研究 被引量：4

1

作者 李恋 李平 +3 位作者 文玉梅 尹飞 毋玉芬 张鑫 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期454-458,共5页

基于pn结的光生伏特效应,本文研究了一种非接触式LED芯片在线检测方法。通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生电流,检测LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间的电气连接状态。通过分析pn结光生伏特效应的等效电路,详细论... 基于pn结的光生伏特效应,本文研究了一种非接触式LED芯片在线检测方法。通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生电流,检测LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间的电气连接状态。通过分析pn结光生伏特效应的等效电路,详细论述了半导体材料的各种参数及等效电路中各电参数与支架上流过的光生电流的关系。实验对各种不同颜色的LED样品进行了测量。研究表明,该方法可以实现LED芯片的在线检测,有较大的应用价值。 展开更多

关键词 LED芯片 光生伏特效应 在线检测 等效电路

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光电池非线性区PN结光生伏特效应的研究 被引量：5

2

作者 杜梅芳 姜志进 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2002年第1期65-67,72,共4页

根据光电池线性区应用叠加定理建立的PN结光生伏特效应理论,阐述了PN结光生伏特效应在光电池非线性区的应用.

关键词 光生伏特效应 光电池 非线性 PN结

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Mg:Fe:LiNbO_3晶体的光折变和光生伏特效应

3

作者 温金珂 汪洪 +2 位作者 朱亚平 唐燕生 王华馥 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1989年第3期222-224,共3页

本文研究了富锂 LiNbO_3:Mg:Fe 晶体的光折变和光生伏特效应,并与 LiNbO_3:Fe 和 LiNbO_3:Mg 晶体进行了比较。研究结果表明,富锂 LiNbO_3:Mg:Fe 晶体的光折变性能、光生伏特电流和光电导均与富锂 LiNbO_3:Mg 相近,而与 LiNbO_3:Fe 的... 本文研究了富锂 LiNbO_3:Mg:Fe 晶体的光折变和光生伏特效应,并与 LiNbO_3:Fe 和 LiNbO_3:Mg 晶体进行了比较。研究结果表明,富锂 LiNbO_3:Mg:Fe 晶体的光折变性能、光生伏特电流和光电导均与富锂 LiNbO_3:Mg 相近,而与 LiNbO_3:Fe 的差别很大。 展开更多

关键词 铌酸锂 晶体 光折变 光生伏特效应

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中-位四(邻-硝基苯基)四苯并卟啉合锡(Ⅳ)配合物的光敏化作用 被引量：1

4

作者 杨水彬 蔡乃才 +1 位作者 任建国 秦子斌 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第2期115-120,共6页

本文报道中位 -四 (邻 -硝基苯基 )四苯并卟啉合锡 ( )配合物 (简记为 Sn( ) TP(o- NO2 )TBPCl2 或 Sn( ) TBP)的光谱特征及其光敏化作用。在本工作的光电化学电池中 ,经该化合物修饰的 n- Ti O2 电极和 Pt电极 ,对紫外可见光的敏化作... 本文报道中位 -四 (邻 -硝基苯基 )四苯并卟啉合锡 ( )配合物 (简记为 Sn( ) TP(o- NO2 )TBPCl2 或 Sn( ) TBP)的光谱特征及其光敏化作用。在本工作的光电化学电池中 ,经该化合物修饰的 n- Ti O2 电极和 Pt电极 ,对紫外可见光的敏化作用 ,前者的响应时间为 1 0秒 ,最大光生电压为39m V,后者的响应时间为 48秒 ,最大光生电压为 1 2 m V;对可见光的敏化作用 ,前者的响应时间为 7秒 ,最大光生电压为 2 2 m V,后者的响应时间为 35秒 ,最大光生电压为 7m V。 展开更多

关键词 四苯并卟啉 光敏化作用 光生伏特效应 锡配合物

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单晶硅电池对不同波长色光响应程度的研究 被引量：2

5

作者 刘建科 王浩 李冠强 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2016年第2期165-168,共4页

以氙灯为光源,经五种不同的滤色片进行滤光并对每一种光用光谱仪进行测定并与标准谱比对,然后分别照射在太阳能电池片上,通过调节氙灯的电源及光源与电池片之间的距离控制不同的光照强度,测量其开路电压、短路电流及最大输出功率.通过... 以氙灯为光源,经五种不同的滤色片进行滤光并对每一种光用光谱仪进行测定并与标准谱比对,然后分别照射在太阳能电池片上,通过调节氙灯的电源及光源与电池片之间的距离控制不同的光照强度,测量其开路电压、短路电流及最大输出功率.通过这些数据来计算太阳能电池的其他参数,并以波长为基础对每一种参数进行分析对比,得出了太阳能电池对这五种不同波长单色光的光电响应情况.结果表明波长为577nm的单色光响应情况最为显著,并且伴随着光强的增加,其效率增长速度也随之增加. 展开更多

关键词 单晶硅电池 单色光波长 光强特性曲线 光生伏特效应

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多晶硅表面周期性微结构的激光制备与性能研究 被引量：1

6

作者 李甜甜 孙耀宁 +3 位作者 张丽 王国建 贾天代 冯爱新 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期102-110,共9页

为了减小多晶硅表面入射光的反射率,提高太阳能电池的光电效率,利用紫外纳秒激光器在多晶硅表面制备不同深度、不同间距的微凹坑点阵绒面,研究织构形貌对反射率及光电转换效率的影响。通过激光频率的改变实现微凹坑深度的变化,通过微凹... 为了减小多晶硅表面入射光的反射率,提高太阳能电池的光电效率,利用紫外纳秒激光器在多晶硅表面制备不同深度、不同间距的微凹坑点阵绒面,研究织构形貌对反射率及光电转换效率的影响。通过激光频率的改变实现微凹坑深度的变化,通过微凹坑排布方式的改变实现微凹坑间距的变化;使用光纤光谱仪测量多晶硅表面反射率并通过激光共聚焦显微镜观察微凹坑形貌;在PC1D软件中建立多晶硅入射光反射模型并模拟不同点阵间距下的多晶硅短路电流和开路电压,计算光电转换效率和填充因子。研究表明,不同频率(300 kHz、200 kHz、150 kHz、50 kHz)和点阵排布方式(300×300、310×310、350×350、400×400)对多晶硅表面的反射率和光电转换效率影响显著,随着频率增大,多晶硅试样反射率先减小后增加最后保持稳定;随着点阵排布密集程度增加,多晶硅试样光电转换效率逐渐提高。实验结果显示当激光频率为150 kHz,点阵分布为400×400时,多晶硅表面微凹坑成型较好,表面平均反射率为3.32%,多晶硅电池的效率为18.80%,相较于未制绒多晶硅电池提高25.9%。 展开更多

关键词 表面织构 脉冲激光 反射率 多晶硅 光生伏特效应

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基于S7-200提高光伏发电系统效率研究 被引量：1

7

作者 王颖龄 王磊 +1 位作者 高健 庄建军 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2017年第4期51-55,共5页

在研究光伏发电的背景基础上,设计出一种提高光电转换效率的光伏跟踪系统。该系统以西门子S7-200为主控制器,使光伏电池阵列能跟踪光源的移动、运动到与光源正对的位置,从而使光伏电池方阵获取最大的有效光照面积,达到提高光伏输出效率... 在研究光伏发电的背景基础上,设计出一种提高光电转换效率的光伏跟踪系统。该系统以西门子S7-200为主控制器,使光伏电池阵列能跟踪光源的移动、运动到与光源正对的位置,从而使光伏电池方阵获取最大的有效光照面积,达到提高光伏输出效率的目的。 展开更多

关键词 光生伏特效应 光伏跟踪 光电转换效率

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基于多权重混合分布模型的光伏出力波动特性研究 被引量：2

8

作者 王振浩 康佳 +3 位作者 裴哲义 成龙 董存 雷震 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期278-287,共10页

建立光伏发电理论出力模型,通过求取其实际出力和衰减理论出力差值提取光伏出力的随机性分量,采用不同单一概率密度函数对随机性分量进行拟合,并分析拟合结果存在较大偏差的原因。为降低拟合偏差,采用基于二分K均值聚类的权重值划分方法... 建立光伏发电理论出力模型,通过求取其实际出力和衰减理论出力差值提取光伏出力的随机性分量,采用不同单一概率密度函数对随机性分量进行拟合,并分析拟合结果存在较大偏差的原因。为降低拟合偏差,采用基于二分K均值聚类的权重值划分方法,提出三权重混合t Location-scale概率密度函数模型以描述光伏出力波动量的数字特征。最后通过Matlab仿真结果与指标值验证所提出模型拟合效果的优异性。 展开更多

关键词 光生伏特效应 随机性变量 概率密度函数 聚类算法

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水光互补技术

9

《电力工程技术》 北大核心 2023年第6期F0002-F0002,共1页

光伏发电利用光生伏特效应,将太阳能转化为电能。光伏发电具有波动性和间歇性,水光互补技术将光伏电站发出的电,通过输电线路接入水电站,利用水电优异的调节性能平抑光伏输出功率的波动性和间歇性,从而消除光伏发电对电网的影响。

关键词 光生伏特效应 水光互补 光伏发电 光伏电站 调节性能 线路接入 波动性 输出功率

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光能转换与器件

10

《中国光学》 EI CAS 2000年第4期81-81,共1页

TM914 2000042783新型红外硅微电流光电池的研制=A novel infraredsilicon micro-current photocell[刊,中]/.伍乾永(自贡高等专料学校.四川,自贡(643000)),魏万迎(成都大学.四川,成都(610081)),杨国渝(电子工业部第24研究所.重庆(40006... TM914 2000042783新型红外硅微电流光电池的研制=A novel infraredsilicon micro-current photocell[刊,中]/.伍乾永(自贡高等专料学校.四川,自贡(643000)),魏万迎(成都大学.四川,成都(610081)),杨国渝(电子工业部第24研究所.重庆(400060))//微电子学.—1999,29(4).—286—291利用PN结的光生伏特效应,采用集成电路的工艺技术和特殊处理的方法,研制成功了短路电流大于10μA,开路电压大于8 V的红外硅微电流光电池。 展开更多

关键词 光电池 太阳电池 光生伏特效应 研制成功 短路电流 成都大学 工艺技术 开路电压 红外 微电子学

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使用太阳电池阵列的皮卫星姿态确定方法 被引量：12

11

作者 李东 李玉芳 +1 位作者 金仲和 王跃林 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第z1期87-92,共6页

卫星在轨飞行时,短时间内可以将日光看作方向不变的平行入射光源.以此入射光作为参考方向,利用皮卫星表面贴装的太阳电池阵列充当姿态敏感器,对其输出信号进行采样处理,解算了卫星姿态.文中给出与该方法有关的计算理论,并以实验测试数... 卫星在轨飞行时,短时间内可以将日光看作方向不变的平行入射光源.以此入射光作为参考方向,利用皮卫星表面贴装的太阳电池阵列充当姿态敏感器,对其输出信号进行采样处理,解算了卫星姿态.文中给出与该方法有关的计算理论,并以实验测试数据为依据,针对一种26面体构形的皮卫星电池阵列配置方案,定量分析了太阳参考矢量的解算精度(≤4°)、可解概率、以及最终定姿误差.此方法体现了当前微小卫星领域中"结构复用"的设计思想. 展开更多

关键词 皮卫星 姿态确定 太阳电池阵列 光生伏特效应 结构复用

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LED芯片在线检测方法研究 被引量：8

12

作者 尹飞 李平 +3 位作者 文玉梅 李恋 毋玉芬 张鑫 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期869-874,共6页

对于封装过程中的LED芯片的检测目前还没有行之有效的方法,基于p-n结的光生伏特效应和法拉第定律,提出一种非接触式的针对LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间连接状态的检测方法。根据实际LED芯片所处的闭合短路状态,感应回路由绕... 对于封装过程中的LED芯片的检测目前还没有行之有效的方法,基于p-n结的光生伏特效应和法拉第定律,提出一种非接触式的针对LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间连接状态的检测方法。根据实际LED芯片所处的闭合短路状态,感应回路由绕在高磁导率条形磁芯上的多匝线圈构成。磁芯采用不同搭接方式以提高检测的信噪比,根据实验结果确定了磁芯的最佳搭接方式。实验结果表明,该方法具有较高的检测精度,可以实现对闭合短路状态微安量级光生电流的检测。计算结果与实验结果吻合较好。 展开更多

关键词 LED芯片 在线检测 p-n结光生伏特效应 法拉第定律 磁芯

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LED芯片非接触在线检测方法 被引量：5

13

作者 李恋 李平 +1 位作者 文玉梅 尹飞 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期760-764,共5页

目前LED封装过程中由于缺乏有效的检测方法,导致产品的次品率较高。本文根据pn结的光生伏特效应,提出了一种针对LED封装半成品的非接触在线检测方法。该方法通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生短路电流,分析LED芯片功能状... 目前LED封装过程中由于缺乏有效的检测方法,导致产品的次品率较高。本文根据pn结的光生伏特效应,提出了一种针对LED封装半成品的非接触在线检测方法。该方法通过测量pn结光生伏特效应在引线支架中产生的光生短路电流,分析LED芯片功能状态及芯片与引线支架间的电气连接情况。在检测短路电流时,根据LED封装支架结构,采用互感原理实现非接触测量,克服了接触式测量的缺陷,提高了检测精度。研究表明,对红、黄、绿等各种颜色的LED,该方法都能快速有效地完成在线检测。 展开更多

关键词 LED 非接触检测 在线检测 光生伏特效应 封装

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一种LED芯片在线非接触检测系统 被引量：1

14

作者 张鑫 李平 +3 位作者 文玉梅 毋玉芬 李恋 尹飞 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1273-1276,共4页

本文介绍了一种发光二极管(LED)芯片非接触在线检测系统。阐述了检测系统工作原理及检测系统构成。系统采用C8051F020单片机进行控制,利用LED p-n结的光生伏特效应,通过对光生伏特效应中产生的光生短路电流的测量,实现对LED芯片质量及... 本文介绍了一种发光二极管(LED)芯片非接触在线检测系统。阐述了检测系统工作原理及检测系统构成。系统采用C8051F020单片机进行控制,利用LED p-n结的光生伏特效应,通过对光生伏特效应中产生的光生短路电流的测量,实现对LED芯片质量及芯片与引线支架电气连接状态的检测。通过对常用LED芯片测量的实验结果表明,该系统能快速有效的对封装过程中的LED芯片状态进行非接触检测。 展开更多

关键词 LED芯片 光生伏特效应 非接触检测 在线检测 单片机

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太阳电池的研究和应用进展 被引量：4

15

作者 周勋 徐明 《贵州师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2000年第2期64-66,74,共4页

简要介绍了太阳电池工作原理 ,并对现有太阳电池进行了分类。

关键词 光生伏特效应 转换效率 稳定性 太阳能电池

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LED芯片封装缺陷检测方法研究 被引量：5

16

作者 蔡有海 文玉梅 +2 位作者 李平 余大海 伍会娟 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1040-1044,共5页

引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测,得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间... 引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测,得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间的电气连接情况,并对检测精度的影响因素进行分析。实验表明,该方法具有高检测信噪比,能够实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测。计算结果与实验结果较好吻合。 展开更多

关键词 LED芯片 封装缺陷检测 p-n结光生伏特效应 电子隧穿效应 非金属膜层

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导电聚苯胺线膜修饰ZnO纳米棒阵列的可控制备及其紫外探测性能 被引量：1

17

作者 王建超 杨光慧 +2 位作者 唐格格 麻明友 彭华勇 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2021年第1期88-93,共6页

基于p-n结的光生伏特效应可构筑性能优异的UV探测器,本文采用水热法可控制备竖直排列的氧化锌纳米棒阵列(n型ZnO-NRs),利用原位聚合法在ZnO-NRs表面上修饰p型聚苯胺线膜(PANI-NWs),再组装成ZnO-NRs与ZnO-NRs/PANI-NWs紫外探测器。通过... 基于p-n结的光生伏特效应可构筑性能优异的UV探测器,本文采用水热法可控制备竖直排列的氧化锌纳米棒阵列(n型ZnO-NRs),利用原位聚合法在ZnO-NRs表面上修饰p型聚苯胺线膜(PANI-NWs),再组装成ZnO-NRs与ZnO-NRs/PANI-NWs紫外探测器。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见漫反射(UV-Vis)光谱表征样品的形貌、结构与光学性质。并通过电化学工作站测定电流-时间(I-t)和电流电压(I-V)曲线,表征其光响应性能。结果表明,制备的ZnO-NRs/PANI-NWs材料阵列排列整齐,界面接触良好,孔隙均匀。ZnO-NRs/PANI-NWs探测器在检测365 nm紫外光时,光电流为2.73×10^-4 A;检测254 nm紫外光时,光电流为1.44×10^-4 A。其光电流为ZnO-NRs探测器的4~10倍,ZnO-NRs和PANI-NWs之间形成的p-n结增强了光电导。用ZnO-NRs/PANI-NWs材料组装成的UV探测器体现出稳定性好,响应速度快,恢复时间短,电流增益高等优点,为开发高性能紫外光电探测器提供数据支撑。 展开更多

关键词 导电聚苯胺 ZNO纳米棒阵列 水热法 P-N结 光生伏特效应 紫外探测性能

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读者咨询及解答九则

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《农村电工》 2013年第8期48-48,共1页

编辑同志：请问什么是光伏发电技术？（辽宁省营口市严宽）严宽同志：光伏发电技术是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积... 编辑同志：请问什么是光伏发电技术？（辽宁省营口市严宽）严宽同志：光伏发电技术是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。 展开更多

关键词 读者来信 光伏发电技术 太阳能电池 光生伏特效应 半导体界面 功率控制器 关键元件 电池组件

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