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大电流光激可控硅的设计制造及应用
1
作者
阮震翔
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期16-21,共6页
本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑，特别对光激可控硅的正、反向阻断电压和α＿（ｎｐｎ）、α＿（ｐｎｐ）的关系，以及光触发开启灵敏度和ｄＶ／ｄｔ、ｄＩ／ｄｔ耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了３安培光激可控...
本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑，特别对光激可控硅的正、反向阻断电压和α＿（ｎｐｎ）、α＿（ｐｎｐ）的关系，以及光触发开启灵敏度和ｄＶ／ｄｔ、ｄＩ／ｄｔ耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了３安培光激可控硅的制造方法，以及在光敏固态继电器（ＳＳＲ）上的应用。
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关键词
晶闸管
光激可控硅
设计制造
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职称材料
大功率光触发晶闸管光能量传输系统的研究
2
作者
翁阳
高金凯
黄钟德
《沈阳工业大学学报》
EI
CAS
1989年第4期81-90,共10页
本文从提高光能量传输系统效率出发,提出了光学元件选取原则;就国内外现有适于作光传输系统的光学元件的性能作了比较;从理论上推出计算光传输系统耦合效率更为精确的方法,并立足于元件的国产化,用选取的国产光学元件制作了一实际的光...
本文从提高光能量传输系统效率出发,提出了光学元件选取原则;就国内外现有适于作光传输系统的光学元件的性能作了比较;从理论上推出计算光传输系统耦合效率更为精确的方法,并立足于元件的国产化,用选取的国产光学元件制作了一实际的光能量传输系统。
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关键词
大功率
光激可控硅
能量
传输
全文增补中
题名
大电流光激可控硅的设计制造及应用
1
作者
阮震翔
机构
杭州半导体厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期16-21,共6页
文摘
本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑，特别对光激可控硅的正、反向阻断电压和α＿（ｎｐｎ）、α＿（ｐｎｐ）的关系，以及光触发开启灵敏度和ｄＶ／ｄｔ、ｄＩ／ｄｔ耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了３安培光激可控硅的制造方法，以及在光敏固态继电器（ＳＳＲ）上的应用。
关键词
晶闸管
光激可控硅
设计制造
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
大功率光触发晶闸管光能量传输系统的研究
2
作者
翁阳
高金凯
黄钟德
机构
沈阳工业大学电子工程系
沈阳工业大学基础部
出处
《沈阳工业大学学报》
EI
CAS
1989年第4期81-90,共10页
文摘
本文从提高光能量传输系统效率出发,提出了光学元件选取原则;就国内外现有适于作光传输系统的光学元件的性能作了比较;从理论上推出计算光传输系统耦合效率更为精确的方法,并立足于元件的国产化,用选取的国产光学元件制作了一实际的光能量传输系统。
关键词
大功率
光激可控硅
能量
传输
Keywords
high power
photo-thyristor
energy transfer
systems
分类号
TN342.7 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
大电流光激可控硅的设计制造及应用
阮震翔
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
在线阅读
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职称材料
2
大功率光触发晶闸管光能量传输系统的研究
翁阳
高金凯
黄钟德
《沈阳工业大学学报》
EI
CAS
1989
0
全文增补中
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参考文献
引证文献
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