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题名光源掩模协同优化的原理与应用
被引量：3
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作者
陈文辉
何建芳
董立松
韦亚一
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机构
中国科学院微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期641-649,共9页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301001)
国家自然科学基金资助项目(61604172)
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文摘
当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术。
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关键词
远紫外光刻(EUVL)
分辨率增强技术
光源掩模协同优化(SMO)
像素化光源
193
nm浸没式光刻
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Keywords
extreme ultraviolet lithography（EUVL）
resolution enhancement technology
source mask optimization（SMO）
pixelated source
193 nm immersion lithography
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名集成电路掩模分辨率增强技术
被引量：1
- 2
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作者
华卫群
周家万
尤春
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机构
无锡中微掩模电子有限公司
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出处
《电子与封装》
2020年第11期64-67,共4页
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文摘
随着大规模集成电路技术的飞速发展,掩模分辨率增强技术变得越来越重要。介绍了掩模分辨率增强技术中的相移掩模技术、光学邻近效应修正技术和光源掩模协同优化技术,重点介绍了3种技术的作用和具体做法。
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关键词
掩模
分辨率增强技术
相移掩模
光学邻近效应修正
光源掩模协同优化
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Keywords
mask
resolution enhancement technology
PSM
OPC
SMO
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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