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溶液的pH值对化学浴法制备CdS薄膜光电流响应性能的影响
被引量：
2
1
作者
焦静
沈鸿烈
+2 位作者
张三洋
李金泽
王威
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期10-14,共5页
采用化学浴沉积法将氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系合成CdS薄膜,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外可见吸收光谱等研究了CdS薄膜的形貌、相结构和光学性能,通过测试薄膜的光电流响应曲线分析了薄膜的光电性能.结果表明：溶液...
采用化学浴沉积法将氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系合成CdS薄膜,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外可见吸收光谱等研究了CdS薄膜的形貌、相结构和光学性能,通过测试薄膜的光电流响应曲线分析了薄膜的光电性能.结果表明：溶液的pH值在9~11的范围内均可以制备均匀致密的CdS薄膜,其中pH=10时制备的CdS薄膜最为均匀致密且其X射线衍射仪衍射峰强度最强,对应的光学带隙约为2.37eV;光电流响应曲线显示该薄膜的光电导最高为2.94×10-2Ω-1·cm-1,光暗电导比为38.23,具有最佳的光敏性.
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关键词
化学浴沉积法
CDS薄膜
光
电流响应
光
电导
光暗电导比
光
敏性
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职称材料
衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
被引量：
5
2
作者
张丽平
张建军
+2 位作者
张鑫
孙建
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期831-835,共5页
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220...
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。
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关键词
氢化微晶硅锗薄膜
衬底温度
光
、
暗
电导
率
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职称材料
题名
溶液的pH值对化学浴法制备CdS薄膜光电流响应性能的影响
被引量：
2
1
作者
焦静
沈鸿烈
张三洋
李金泽
王威
机构
南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期10-14,共5页
基金
国家自然科学基金(No.61176062)
江苏省工业支撑项目(No.BE2012103)
+1 种基金
江苏省前瞻性联合创新项目(No.BY2013003-08)
江苏高校优势学科建设工程项目资助
文摘
采用化学浴沉积法将氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系合成CdS薄膜,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外可见吸收光谱等研究了CdS薄膜的形貌、相结构和光学性能,通过测试薄膜的光电流响应曲线分析了薄膜的光电性能.结果表明：溶液的pH值在9~11的范围内均可以制备均匀致密的CdS薄膜,其中pH=10时制备的CdS薄膜最为均匀致密且其X射线衍射仪衍射峰强度最强,对应的光学带隙约为2.37eV;光电流响应曲线显示该薄膜的光电导最高为2.94×10-2Ω-1·cm-1,光暗电导比为38.23,具有最佳的光敏性.
关键词
化学浴沉积法
CDS薄膜
光
电流响应
光
电导
光暗电导比
光
敏性
Keywords
Chemical bath deposition
CdS thin films
Photo-current response
Photoconductivity
Light and dark conductivity ratio
Photosensitivity
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
被引量：
5
2
作者
张丽平
张建军
张鑫
孙建
赵颖
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期831-835,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(No.2009AA05Z422)
天津市应用基础及前沿技术研究计划(No.08JCZDJC22200)
科技部基础研究973项目(No.2006CB202602No.2006CB202603)
文摘
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。
关键词
氢化微晶硅锗薄膜
衬底温度
光
、
暗
电导
率
Keywords
hydrogenated microcrystalline silicon-germanium
substrate temperature
photo- and dark-conductivity
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溶液的pH值对化学浴法制备CdS薄膜光电流响应性能的影响
焦静
沈鸿烈
张三洋
李金泽
王威
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
在线阅读
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职称材料
2
衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
张丽平
张建军
张鑫
孙建
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
5
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职称材料
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